Conference Activities & Talks -

Surface Electronic States of a Cerasome model

Masato Oda  [Invited]

Advanced Materials Web Congress on Computational Materials and Modelling 2021  2021.01.26  

Microscopic Mechanism of Defect Reactions in GaN

Masato Oda, Tsuyoshi Miyazaki  [Invited]

International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021  2021.01.20  

窒化ガリウム中におけるVGa-VN周りの欠陥反応解析

中村 城太, 小田 将人, 寒川 義裕

第71回応用物理学会春季学術講演会  2024.03.25  

PHASE/0を用いたセシウム吸着風化黒雲母の溶融塩反応機構解明

飯野千秋, 小田将人

NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2023  2023.12.06  

Adiabatic potential for conformational change of VGa-VN complex defects in GaN

Jota Nakamura, Masato Oda, Yoshihiro Kangawa

14th International Conference on Nitride Semiconductors  2023.11.14  

Thermal Interaction between Exitons in III-Nitride Semiconductors

Aayami Kadono, Masato Oda

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors  2023.11.14  

第一原理計算による窒化アルミニウム上での窒化ニオブの結晶成長初期段階の解明

中越 龍司, 小田 将人

第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023.09.21  

溶融塩処理による和田石生成過程の反応機構

奥本 峻介, 飯野 千秋, 小田 将人, 村口 正和, 早川 虹雪, 石井 宏幸, 本田 充紀

第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023.09.20  

III族窒化物半導体中の励起子間に働く熱的相互作用

葛野 彩未, 小田 将人

第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023.09.19  

第一原理計算を用いたセシウム吸着風化黒雲母の溶融塩反応機構解明

飯野千秋, 奥本峻介, 小田将人, 奈良純, 村口正和, 石井宏幸, 本田充紀

日本物理学会第78回年次大会  2023.09.17  

α-Al2O3上に蒸着した自己組織化単分子膜の電子状態

車谷朋寛, 小田将人

日本物理学会第78回年次大会  2023.09.16  

セラソーム表面電子状態に対する多角形構造の影響

井口 楓梨, 小田 将人

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023.03.17  

溶融塩処理による風化黒雲母からの熱電変換材料創製

本田 充紀, 金田 結依, 村口 正和, 早川 虹雪, 小田 将人, 飯野 千秋, 石井 宏幸, 後藤 琢也, 矢板 毅

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023.03.15  

セラソームの表面電子状態の表面構造依存性

井口楓梨, 小田将人

第44回日本バイオマテリアル学会  2022.11.21  

福島風化黒雲母を対象とした熱伝導特性の温度依存性

早川 虹雪, 梅田 海人, 村口 正和, 木村 尚仁, 小田 将人, 飯野 千秋, 石井 宏幸, 本田 充紀

第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022.09.23  

DNA上における蛍光分子とバルジ構造の相互作用

朴泰亮, 小田将人

日本物理学会2022年秋季大会  2022.09.14  

A first-principles study of initial growth mechanism of (ZnO)1-x(InN)x

Ryota Furuki, Masato Oda

THE 22ND INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS IVC-22  2022.09.14  

Measurement of Thermal Conductivity of Soil Clay Minerals toward Exploring Novel Thermoelectric Materials

Kosetsu Hayakawa, Masakazu Muraguchi, Masato Oda, Chiaki Iino, Hiroyuki Ishii, Mitsunori Honda

THE 22ND INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS IVC-22  2022.09.14  

Electronic structures calculation of GaAs(1-x)Bix using Interacting quasi-band model

Chiaki Iino, Masato Oda

THE 22ND INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS IVC-22  2022.09.12  

Electronic states of high-concentration silicon-doped gallium nitride using first- principles calculations

Yasuhiro yamaguchi, Masato Oda

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022.03.24  

Effects of measurement terminals on thermoelectric property measurements on thermoelectric property measurement by heat transfer simulation

Toshinobu Wakoh, Kosetsu Hayakawa, Hiroshi Matsumura, Masakazu Muraguchi, Masato Oda, Chiaki Iino, Hiroyuki Ishii, Mitsunori Honda

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022.03.24  

Measurement of Thermal Conductivity of Soil Clay Minerals treated by molten salt electrolysis

Kosetsu Hayakawa, Hiroshi Matsumura, Toshinobu Wakoh, Masakazu Muraguchi, Masato Oda, Chiaki Iino, Hiroyuki Ishii, Mitsunori Honda

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022.03.22  

Evaluation of Thermoelectric Properties of Soil Clay Minerals for Thermoelectric Material Development

Mitsunori Honda, Yui Kaneta, Masakazu Muraguchi, Kosetsu Hayakawa, Masato Oda, Chiaki Iino, Hiroyuki Ishii, Takuya Goto, Tsuyoshi Yaita

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022.03.22  

Electronic states investigation of layered clay minerals (Si8-xAlx)Mg6O20(OH)4

C. Iino, M. Oda, J.Nara

日本物理学会第76回年次大会  2022.01.16  

Adsorption structures of an oxygen molecule of initially oxidated Si(001) surfaces

N. Kadowaki, M. Oda, J. Nara

日本物理学会第76回年次大会  2022.01.16  

Electronic structures and the initial growth mechanism of (ZnO)1-x(InN)x

Masato Oda, Yuzo Shinozuka, Ryota Furuki  [Invited]

The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation  2022.01.11  

Ag(111), Cu(111)表面上におけるDph-BTBT分子の吸着構造

小田将人  [Invited]

NIMSナノシミュレーションワークショップ2021  2021.12.09  

IQB理論を用いたGaAs(1-x)Bixの電子状態計算

飯野千秋, 小田将人

第13回ナノ構造  2021.12.03  

Thermoelectric Properties of Soil Clay Minerals treated by molten salt electrolysis

Mitsunori Honda, Yui Kaneta, Masakazu Muraguchi, Masato Oda, Hiroyuki Ishii, Takuya Goto, Tsuyoshi Yaita

第53回溶融塩化学討論会  2021.11.19  

Analysis of adsorption states of DPh-BTBT on Ag(111) surfaces

A. Nakama, M.Iwasawa, Y.Ono, M.Oda, H.Ishii, Y.Yamada

日本物理学会2021年秋季大会  2021.09.21  

The evolution of electronic structure of Dph-BTBT films during structural transition

Y.Ono, M. Iwasawa, A. Nakama, M. Oda, H. Ishii, M. Sasaki, Y.Yamada

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021.09.11  

First-principles calculation of large complex defects in GaN

Masato Oda, Tsuyoshi Miyazaki

2021年電気化学会秋季大会  2021.09.08  

窒化ガリウム中の空孔複合欠陥の安定性と電子状態

柿原 大嗣, 小田 将人

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021.03.16  

Electronic states calculation of GaAs1-xBix by interacting quasi-band model

Chiaki Iino, Masato Oda

The 8thAsian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology  2021.03.02  

Effect of a Dopant for Migration Energies of (0001) oriented 5-7 edge dislocation in GaN

Jesse C Anderson, Tsuyoshi Miyazaki, Jun Nara, Masato Oda

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology  2021.03.02  

Microscopic structures of vacancy complexes in GaN

Masato Oda

Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity  2021.02.02  

バーミキュライト中のCsイオン吸着構造およびエネルギー安定性

飯野千秋, 小田将人

日本物理学会第75回年次大会  2020.03.17  

Si(001)表面における分子状酸素の吸着構造

門脇菜穂, 小田将人, 奈良純

日本物理学会第75回年次大会  2020.03.17  

GaN 中におけるミクロな欠陥反応機構

小田将人

第13回紀州吉宗セミナー  2020.01.28  

Conformational change from VGa to NGa-VN complex in GaN

Taishi Kakihara, Masato Oda

The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors  2019.11.14  

Migration Energies of 5-7 Edge Dislocations in GaN

J. C. Anderson, M. Oda, J. Nara, T. Miyazaki

The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors  2019.11.12  

GaN中のGa空孔周りにおける欠陥反応

柿原 大嗣, 小田 将人

第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019.09.18  

(ZnO)1-x(InN)xの結晶成長初期段階の第一原理計算による研究

古木凌太, 小田将人, 篠塚雄三

第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019.09.18  

Novel approach for Growth Mechanism of Atomic Layer Epitaxy of GaAs and AlAs

N. Ohtsuka, M. Oda, T. Eshita, I. Tanaka, C. Itoh

SSDM2019  2019.09.05  

Study on Initial Growth Mechanism of (ZnO)1-x(InN)x Using First PrinciplesCalculations

R. Furuki, M. Oda, Y. Shinozuka

SSDM2019  2019.09.04  

First-stage of a defect reaction around Ga vacancy in GaN

Masato Oda

21st International Vacuum Congress  2019.07.04  

電子格子相互作用を介した欠陥反応機構

小田将人

第12回紀州吉宗セミナー  2019.02.15  

Phonon modes Analysis of AlN/InN Superlattice

Yoshihiro Ihira, Masato Oda

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018  2018.11.15  

Electronic Structures of a NGa-VN complex defect in GaN

Masato Oda

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018  2018.11.12  

Stable Surface Structures of a Cerasome Model

Masato Oda

Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 2018  2018.10.23  

Electronic Structure of a Cerasome Surface Model

Masato Oda

AiMES2018  2018.10.03  

(ZnO)1-x(InN)x混晶半導体の電子状態の理論

古木凌太, 小田将人, 篠塚雄三

日本学術振興会162委員会110回研究会・特別公開シンポジウム  2018.09.27  

AlN/InN半導体超格子のフォノンモード解析

居平吉弘, 小田将人

日本物理学会2018年秋季大会  2018.09.10  

Si(001)表面における分子状酸素の安定構造

門脇菜穂, 柿原大嗣, 古木凌太, J. ANDERSON, 小田将人

日本物理学会2018年秋季大会  2018.09.09  

GaN中のGa欠陥移動の機構

小田将人

日本物理学会2018年秋季大会  2018.09.09  

Migration Energy of a N Atom around Ga Vacancy in GaN

Masato Oda

International Symposium on Growth of III-Nitrides 2018  2018.08.07  

Electronic Structure of (ZnO)1-x(InN)x Alloys Calculated Using IQB Theory

R. Furuki, M. Oda, Y. Shinozuka

Compound Seciconductor Week 2018  2018.05.30  

フェロセン内包カーボンナノチューブの電子状態計算

境新, 小田将人, 伊東千尋, 篠塚雄三

日本物理学会第73回年次大会  2018.03.25  

Interacting Quasi-bandモデルを用いたSi1-xSnxの電子状態計算

黒田侑奈, 小田将人, 篠塚雄三

日本物理学会第73回年次大会  2018.03.23  

(ZnO)x(InN)1-x混晶半導体の電子状態の理論

古木 凌太、小田 将人、篠塚 雄三

応用物理学会第65回春季学術講演会  2018.03.20  

GaN中の欠陥に対する大規模電子状態計算

小田将人

第11回紀州吉宗セミナー  2018.03.09  

ヘマグルチニンと糖鎖結合状態の電子状態

松村琢琳, 小田将人, 篠塚雄三

日本物理学会2017年秋季大会  2017.09.24  

First-Principles Calculation of Electronic States of Ga2O3 Modulated by Oxygen Vacancies

Yuto Nakano, Masato Oda, Yuzo Shinozuka

29th International Conference on Defects in Semiconductors  2017.07.31  

Electron-phonon coupling at a Ga vacancy in GaN

T. tsujio, M. Oda, Y. Shinozuka

9th ICMAT  2017.06.21  

Effects of Surface Substituents on Electronic Structures of a Cerasome Model

Masato Oda

9th ICMAT  2017.06.19  

セラソーム表面の安定構造

小田将人

第10回紀州吉宗セミナー  2017.03.03  

Electronic Structures of a Cerasome Surface Model

Masato Oda

SSSN-KANSAI  2017.01.24  

窒化物混晶半導体のＩＱＢ理論による電子状態計算

岸 彩香, 小田将人, 篠塚雄三

第27回光物性研究会  2016.12.03  

Effects of Surface Substituents on Electronic Structures of a Cerasome Surface Model

Masato Oda

ACSIN-13  2016.10.12  

セラソーム表面電子状態における置換基の影響

小田将人

日本物理学会2016年秋季大会  2016.09.14  

酸化ガリウム中の酸素空孔によるバンド分散変化

中野友斗, 小田将人, 篠塚雄三

日本物理学会2016年秋季大会  2016.09.14  

GaN中の欠陥における格子変位が引き起こす電子状態変化

辻尾健志, 小田将人, 篠塚雄三

日本物理学会2016年秋季大会  2016.09.14  

First-principles calculation of electronic structures and phonon modes at a Ga vacancy in GaN

T. Tsujio, M. Oda, Y. Shinozuka

ICDIM 2016  2016.07.14  

ElectroniStructures Calculation of Si1-xSnx Compound Alloy Using Interacting Quasi-band Model

M. oda, Y. Kuroda, A. Kishi, Y. Shinozuka

Compound Seciconductor Week 2016  2016.06.27  

Electronic States of III-V and II-VI Alloys Calculated by IQB Theory

A. Kishi, M. Oda, Y. Shinozuka

Compound Seciconductor Week 2016  2016.06.27