ESHITA Takashi

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Vice President、Kii Peninsula Institute of Regional Innovation(Vice COO)、Center for Innovative and Joint Research(Director)

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Education 【 display / non-display

  • 1983
    -
    1986

    Nagoya University   Graduate School of Engineering   結晶材料工学  

  • 1981
    -
    1983

    Nagoya University   大学院工学研究科博士課程前期課程   結晶材料工学  

  • 1977
    -
    1981

    Nagoya University   School of Engineering   原子核工学科  

Degree 【 display / non-display

  • 工学博士   1986

Academic & Professional Experience 【 display / non-display

  • 2019.04
    -
    Now

    Wakayama University   Vice President, Executive Director

  • 2017.12
    -
    2019.03

    Wakayama University   産学連携イノベーションセンター   URA、Prof.

  • 2010.03
    -
    Now

    Fujitsu Semiconductor Limited   System Memory Company   Senior Adviser

  • 1986.04
    -
    2010.03

    Fujitsu Laboratories Ltd.

Association Memberships 【 display / non-display

  • 2021.04
    -
    Now

    産学連携学会

  • 2020.01
    -
    Now

    日本誘電体学会

  • 2016.01
    -
    Now

    電気化学会

  • 2014.01
    -
    Now

    IEEE

  • 1986.04
    -
    Now

    応用物理学会

Research Areas 【 display / non-display

  • Manufacturing technology (mechanical, electrical/electronic, chemical engineering) / Electronic devices and equipment

  • Nanotechnology/Materials / Inorganic materials

  • Other / Other / 知的財産権教育、アントレプレナーシップ教育

 

Classes (including Experimental Classes, Seminars, Graduation Thesis Guidance, Graduation Research, and Topical Research) 【 display / non-display

  • 2021   Intellectual Property   Liberal Arts and Sciences Subjects
  • 2020   NA   Liberal Arts and Sciences Subjects
  • 2020   Intellectual Property   Liberal Arts and Sciences Subjects

Classes 【 display / non-display

  • 2021   Systems Engineering SeminarⅠA   Master's Course
  • 2021   Systems Engineering SeminarⅠB   Master's Course
  • 2021   Systems Engineering SeminarⅡA   Master's Course
  • 2021   Systems Engineering SeminarⅡB   Master's Course
  • 2021   Systems Engineering Project SeminarⅠA   Master's Course

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Research Interests 【 display / non-display

  • Ferroelectrics

  • Semiconductor engineering

  • Ferroelectric Memory

  • Material Science

  • 知的財産権教育

Published Papers 【 display / non-display

  • An improvement of low temperature characteristics of an La-doped Pb(Zr,Ti)O<sub>3</sub> capacitor

    Wensheng Wang, Takashi Eshita, Kazuaki Takai, Kenji Nomura, Hideshi Yamaguchi, Ko Nakamura, Soichiro Ozawa, Kouichi Nagai, Junichi Watanabe, Satoru Mihara, Yukinobu Hikosaka, Hitoshi Saito, Manabu Kojima (Part: Corresponding author )

    Japanese Journal of Applied Physics ( IOP Publishing )  61 ( SN ) SN1013 - SN1013   2022.11  [Refereed]

     View Summary

    Abstract

    We developed a lanthanum-doped Pb(Zr<sub>0.4</sub>,Ti<sub>0.6</sub>)O<sub>3</sub> (PLZT)-based ferroelectric capacitor (FE) aiming at low-voltage operation of ferroelectric random access memory at low temperatures down to −45 °C. High-temperature sputter-deposited IrO<sub>x</sub> (1 &lt; x &lt; 2) or HT-IrO<sub>x</sub> was employed as a top electrode (TE) instead of room-temperature (RT) deposited IrO<sub>x</sub> or RT-IrO<sub>x</sub> over two PLZT stacked layers. We observed that polarization characteristics drastically improved even at −45 °C by employing HT-IrO<sub>x</sub> and thinning PLZT, even though leakage current was increased by about one order of magnitude. Transmission electron microscopy observations showed that HT-IrO<sub>x</sub> has a columnar-like crystalline structure while RT-IrO<sub>x</sub> has a granular-like crystalline structure. Secondary ion mass spectroscopy indicated that Pb diffusion from PLZT into TE was suppressed by HT-IrO<sub>x</sub>, which is considered to cause the improvement of polarization characteristics.

    DOI

  • Ferroelectric capacitor with an asymmetric double-layer PLZT structure for FRAM

    Wensheng Wang, Ko Nakamura, Takashi Eshita, Kenji Nomura, Kazuaki Takai, Hideshi Yamaguchi, Satoru Mihara, Yukinobu Hikosaka, Hitoshi Saito, Manabu Kojima (Part: Corresponding author )

    Applied Physics Letters ( AIP Publishing )  120 ( 10 ) 102901   2022.03  [Refereed]

     View Summary

    We developed a lanthanum-doped Pb(Zr<sub>0.4</sub>,Ti<sub>0.6</sub>)O<sub>3</sub> (PLZT)-based ferroelectric capacitor for low-voltage operation of ferroelectric memory for use in edge devices in the internet of things. The structure, consisting of PLZT stacked layers 30 and 90 nm thick, showed drastically improved performance in three main measures: low leakage current, high saturation polarization, and low saturation voltage. Secondary ion mass spectroscopy indicated that atomic interdiffusion between PLZT and IrO<sub>x</sub> in the top electrode (TE) was suppressed by the 30 nm thick PLZT, which plays the role of a diffusion barrier, producing a low leakage current and high saturation polarization. The higher oxygen atomic density of the PLZT near the TE interface lowers the oxygen vacancy, which should also suppress the leakage current and the P–V hysteresis shift (imprint). The large grain size and high crystalline quality of PLZT near the TE interface in the PLZT structure provide a high saturation polarization with low leakage current.

    DOI

  • Investigation of GaAs and AlAs atomic-layer epitaxial growth mechanism based on experimental results and first-principles total energy calculation

    Nobuyuki Ohtsuka, Masato Oda, Takashi Eshita, Ichiro Tanaka, Chihiro Itoh

    Japanese Journal of Applied Physics ( IOP Publishing )  59 ( SG ) SGGK16 - SGGK16   2020.04  [Refereed]

    DOI

  • Novel approach for Growth Mechanism of Atomic Layer Epitaxy of GaAs and AlAs

    N. Ohtsuka, M. Oda, T. Eshita, I. Tanaka, C. Itoh

    Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials ( The Japan Society of Applied Physics )    2019.09  [Refereed]

    DOI

  • Reconstruction of IrO2/(Pb, La)(Zr, Ti)O3 (PLZT) interface by optimization of postdeposition annealing and sputtering conditions

    Kenji Nomura, Wensheng Wang, Ko Nakamura, Takashi Eshita, Kazuaki Takai, Soichiro Ozawa, Hideshi Yamaguchi, Satoru Mihara, Yukinobu Hikosaka, Hitoshi Saito, Yuji Kataoka, Manabu Kojima (Part: Corresponding author )

    Journal of Applied Physics ( AIP Publishing )  126 ( 7 ) 074105 - 074105   2019.08  [Refereed]

    DOI

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Books etc 【 display / non-display

Misc 【 display / non-display

  • 第4次産業革命 -半導体産業とオプトメカトロニクスの進展

    恵下隆 (Part: Lead author )

    光技術コンタクト   57 ( 1 )   2019.01  [Invited]

  • 「高集積強誘電体メモリFRAM の量産技術開発」で受賞した候補者を後方支援で貢献

    恵下隆

    電気科学技術奨励賞受賞者アーカイブ・シリーズ No.4     2018.12

  • IoT市場向け強誘電体メモリにおけるPLZT薄膜の結晶化メカニズム

    野村 健二, 王 文生, 山口 秀史, 中村 亘, 恵下 隆, 彦坂 幸信, 片岡 祐治 (Part: Corresponding author )

    SPring-8/SACLA Information,Vol. 23 No.1     2018.02

  • A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1017-Cycle Endurance

    H. Saito, T. Sugimachi, K. Nakamura, S. Ozawa, N. Sashida, S. Mihara, Y. Hikosaka, W. Wang, T. Hori, K. Takai, M. Nakazawa, N. Kosugi, M. Okuda, M. Hamada, S. Kawashima, T. Eshita, M. Matsumiya

    2015 IEEE 7th International Memory Workshop, IMW 2015 ( Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. )  116   45 - 49   2015.07  [Refereed]

     View Summary

    We have developed a ferroelectric RAM (FRAM) with a low operation voltage of 1.2 V and a high switching endurance up to 1017 cycles. Our newly developed tripleprotection structured cell array, has constructed without an additional mask step, effectively protects 0.4-μm2 ferroelectric capacitors from hydrogen and moisture degradation. We have designed our capacitor-over-bit-line (COB) structure to have a small cell size of 0.5 μm2.

    DOI

  • 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発

    前田 展秀, 金 永〓, 彦坂 吉信, 恵下 隆, 北田 秀樹, 藤本 興冶, 水島 賢子, 鈴木 浩助, 中村 友二, 川合 章仁, 荒井 一尚, 大場 隆之

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   110 ( 182 ) 95 - 97   2010

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Awards & Honors 【 display / non-display

  • 紫綬褒章

    Winner: 恵下隆

    2015.04    

  • 第14回山崎貞一賞

    Winner: 恵下隆, 川嶋将一郎, 柏木茂雄

    2014.11   材料科学振興財団   強誘電体メモリの高信頼化技術の開発と量産化

  • 文部科学大臣表彰科学技術賞(開発部門)

    Winner: 王文生、川嶋将一郎、高井一章、竹島徹, 恵下隆

    2014.04   文部科学省   高集積強誘電体メモリの量産化技術の開発

  • 第60回大河内記念技術賞

    Winner: 井上あまね, 森田敬三, 川嶋将一郎, 佐次田直也, 恵下隆

    2014.03   大河内記念会   高集積強誘電体メモリ(FRAM)の量産技術開発

  • 第7回応用物理学会フェロー表彰

    Winner: 恵下隆

    2013.09   応用物理学会   高集積強誘電体メモリの量産化技術の開発

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Conference Activities & Talks 【 display / non-display

  • La添加Pb(Zr,Ti)O3キャパシタにおける、低温での低電圧分極反転特性の改善

    王 文生, 恵下 隆, 高井一章, 野村健二, 山口秀史, 中村 亘, 小澤聡一郎, 永井孝一, 渡邉純一, 三原 智, 彦坂幸信, 齋藤 仁, 児島 学

    強誘電体学会(FMA)  2022.06.03  

  • 強誘電体メモリの開発と今後の展開

    惠下隆  [Invited]

    第11回夏の学校  2020.09.07   応用物理学会 強的秩序とその操作に関わるグループ

  • 低電圧動作FRAMにおける低リーク電流積層PbLa(Zr,Ti)O3キャパシタの開発

    王 文生, 中村 亘, 高井 一章, 野村 健二, 恵下 隆, 中林 正明, 小澤 聡一郎, 山口 秀史, 三原 智, 彦坂 幸信, 齋藤 仁, 片岡 祐治, 児島 学

    第80回秋季学術講演会  2019.09.21   応用物理学会

  • Application of ferroelectric thin films for memory devices

    Eshita Takashi  [Invited]

    第112回研究会  2019.04.23   日本学術振興会154委員会

  • IrOx/PLZT/Pt強誘電体キャパシタにおける熱処理及びIrOx酸化度の最適化による分極特性向上と結晶化メカニズム解析

    野村健二, 王文生, 山口秀史, 中村亘, 恵下隆, 小澤聡一郎, 高井一章, 三原智, 彦坂幸信, 濱田誠, 児島学, 片岡祐治

    第79回秋季学術講演会  2018.09   応用物理学会

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Patents 【 display / non-display

  • 半導体装置の製造方法

    Patent no: 特許第4822625号

    Date applied: 2001.07.30 ( 2001-230046 )  

    Inventor(s)/Creator(s): 惠下隆、塚田峰春  Applicant: 富士通セミコンダクター株式会社

  • Memory device with two ferroelectric capacitors per one cell

    Patent no: US6046929

    Date applied: 1999.03.31 ( 9/282,469 )  

    Inventor(s)/Creator(s): Aoki Masaki , Itoh Akio , Mushiga Mitsuteru , Nakamura Ko , Eshita Takashi 

  • 強誘電体メモリ装置

    Patent no: 特許第3189094

    Date applied: 1999.02.24 ( 特願平11-046855 )  

    Inventor(s)/Creator(s): 青木 正樹 , 伊藤 昭男 , 虫賀 満輝 , 中村 亘 , 恵下 隆  Applicant: 富士通株式会社

  • 誘電体膜の作製方法

    Patent no: 特許第4212013号

    Date applied: 1999.01.22 ( 特願平11-14607 )  

    Inventor(s)/Creator(s): 宮垣 真治 , 恵下 隆 , 山脇 秀樹  Applicant: 富士通株式会社

  • Ferroelectric memory device and its drive method

    Patent no: US6191441

    Date applied: 1998.10.26 ( 9/178,426 )  

    Inventor(s)/Creator(s): Aoki Masaki , Tamura Hirotaka , Takauchi Hideki , Eshita Takashi 

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Research Exchange 【 display / non-display

  • 平成23年度革新的低炭素技術集約産業国内立地推進事業(経産省) 「強誘電体メモリ(FRAM)の製造」

    2011.04
    -
    2012.03
     

     Joint research

  • 平成13年度 大学連携型産業科学技術研究開発 新エネルギー・産業技術総合開発機構委託、 " 次世代強誘電体メモリの研究開発”

    2001.04
    -
    2002.03
     

     Joint research

  • 平成12 年度 大学連携型産業科学技術研究開発 新エネルギー・産業技術総合開発機構委託、 " 次世代強誘電体メモリの研究開発”

    2000.04
    -
    2001.03
     

     Joint research

 

Instructor for open lecture, peer review for academic journal, media appearances, etc. 【 display / non-display

  • 理事

    2022.01.13
    -
    2024.01.12

    一般社団法人和歌山イノベーションベース

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    アントレプレナーシップ

    一般社団法人和歌山イノベーションベース 理事

  • 理事

    2021.06.08
    -
    2023.06.07

    一般社団法人和歌山県発明協会

     View Details

    「学協会、政府、自治体等の公的委員」以外の委員

    総会、理事会、委員会等への出席。

  • わかやま地域活性化雇用創造プロジェクト運営協議会 出席

    2021.04.28
     
     

    公益財団法人わかやま産業振興財団

     View Details

    地域活性化雇用

    議会の参加、助言。

  • 持続可能な地域のつくり方~江戸時代に学ぶ未来社会のデザイン~

    2021.01.19
     
     

    和歌山市SDGs推進ネットワーク

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    SDGs

    パネリスト

  • SDGs未来都市・和歌山市から持続可能な地域を創る

    2020.12.20
     
     

    和歌山市SDGs推進事業実行委員会

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    SDG's

    連続シンポジウムの第2部パネルディスカッション(テレビ番組)としてSDGs推進特別番組「SDGs未来都市・和歌山市から持続可能な地域を創る」のパネリスト

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Committee member history in academic associations, government agencies, municipalities, etc. 【 display / non-display

  • 理事

    2022.01.11
    -
    Now
     

    和歌山イノベーションベース

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    起業 アントレブレナー

    活動の審議

  • 「令和3年度わかやま中小企業元気ファンド事業及びわかやま農商工連携ファンド事業」第2次審査委員会

    2020.11.13
    -
    2021.03.31
     

    公益財団法人わかやま産業振興財団

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    県内の中小企業者等が行う、地域の強みである地域資源を活用した新商品や新サービスの開発、販路開拓などを支援する団体であり、その中の選考し審査する。

  • 和歌山県利用計画公募型普通財産売却等事業者選定委員

    2020.10.20
    -
    2021.03.31
     

    和歌山県庁

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    和歌山県有地に事業用定期借地権を設定し、民設民営で施設整備事業を実施する事業者を選定するため、2段階の事業者選定公募の際の審査

  • 評議員

    2019.06
    -
    2024.03
     

    公益財団法人わかやま産業振興財団

     View Details

    国や地方自治体、他大学・研究機関等での委員

    評議員,任期:2019年6月~2024年3月

  • 理事

    2019.06
    -
    2022.03
     

    一般社団法人和歌山県発明協会

     View Details

    国や地方自治体、他大学・研究機関等での委員

    理事,任期:2019年6月~2022年3月

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