惠下 隆 (エシタ タカシ)

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通称等の別名

恵下 隆

所属

役員

職名

理事

兼務

副学長、紀伊半島価値共創基幹(副基幹長)、産学連携イノベーションセンター(センター長)

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外部リンク


学歴 【 表示 / 非表示

  • 1983年
    -
    1986年

    名古屋大学   大学院工学研究科博士課程後期課程   結晶材料工学  

  • 1981年
    -
    1983年

    名古屋大学   大学院工学研究科博士課程前期課程   結晶材料工学  

  • 1977年
    -
    1981年

    名古屋大学   工学部   原子核工学科  

学位 【 表示 / 非表示

  • 工学博士   1986年

経歴 【 表示 / 非表示

  • 2019年04月
    -
    継続中

    和歌山大学   理事・副学長, 産学連携イノベーションセンター長

  • 2017年12月
    -
    継続中

    富士通セミコンダクターメモリソリューション(株)(旧富士通セミコンダクター)   デバイス統括部   シニアアドバイザー

  • 2017年12月
     
     

    和歌山大学   産学連携イノベーションセンター   URA/教授

  • 2016年04月
     
     

    富士通セミコンダクター ㈱   FRAM事業部   主席部長

  • 2012年12月
     
     

    富士通セミコンダクター㈱   FRAM事業部   専任部長   Director

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所属学協会 【 表示 / 非表示

  • 2021年04月
    -
    継続中

    産学連携学会

  • 2020年01月
    -
    継続中

    日本誘電体学会

  • 2016年01月
    -
    継続中

    電気化学会

  • 2014年01月
    -
    継続中

    IEEE

  • 1986年04月
    -
    継続中

    応用物理学会

研究分野 【 表示 / 非表示

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

  • ナノテク・材料 / 無機材料、物性

  • その他 / その他 / 知的財産権教育、アントレプレナーシップ教育

 

【学部】授業等(実験、演習、卒業論文指導、卒業研究、課題研究を含む) 【 表示 / 非表示

  • 2021年度   知的財産権   教養教育科目
  • 2020年度   知的財産権   教養教育科目
  • 2020年度   知的財産権   教養教育科目

【大学院】授業等 【 表示 / 非表示

  • 2021年度   システム工学グローバル講究Ⅰ   博士後期
  • 2021年度   システム工学特別研究   博士後期
  • 2021年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期
  • 2021年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期
  • 2021年度   システム工学研究ⅡB   博士前期

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研究キーワード 【 表示 / 非表示

  • 強誘電体

  • 半導体工学

  • 強誘電体メモリ

  • 物性物理学

  • 知的財産権教育

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論文 【 表示 / 非表示

  • An improvement of low temperature characteristics of an La-doped Pb(Zr,Ti)O<sub>3</sub> capacitor

    Wensheng Wang, Takashi Eshita, Kazuaki Takai, Kenji Nomura, Hideshi Yamaguchi, Ko Nakamura, Soichiro Ozawa, Kouichi Nagai, Junichi Watanabe, Satoru Mihara, Yukinobu Hikosaka, Hitoshi Saito, Manabu Kojima (担当区分: 責任著者 )

    Japanese Journal of Applied Physics ( IOP Publishing )  61 ( SN ) SN1013 - SN1013   2022年11月  [査読有り]

     概要を見る

    Abstract

    We developed a lanthanum-doped Pb(Zr<sub>0.4</sub>,Ti<sub>0.6</sub>)O<sub>3</sub> (PLZT)-based ferroelectric capacitor (FE) aiming at low-voltage operation of ferroelectric random access memory at low temperatures down to −45 °C. High-temperature sputter-deposited IrO<sub>x</sub> (1 &lt; x &lt; 2) or HT-IrO<sub>x</sub> was employed as a top electrode (TE) instead of room-temperature (RT) deposited IrO<sub>x</sub> or RT-IrO<sub>x</sub> over two PLZT stacked layers. We observed that polarization characteristics drastically improved even at −45 °C by employing HT-IrO<sub>x</sub> and thinning PLZT, even though leakage current was increased by about one order of magnitude. Transmission electron microscopy observations showed that HT-IrO<sub>x</sub> has a columnar-like crystalline structure while RT-IrO<sub>x</sub> has a granular-like crystalline structure. Secondary ion mass spectroscopy indicated that Pb diffusion from PLZT into TE was suppressed by HT-IrO<sub>x</sub>, which is considered to cause the improvement of polarization characteristics.

    DOI

  • Ferroelectric capacitor with an asymmetric double-layer PLZT structure for FRAM

    Wensheng Wang, Ko Nakamura, Takashi Eshita, Kenji Nomura, Kazuaki Takai, Hideshi Yamaguchi, Satoru Mihara, Yukinobu Hikosaka, Hitoshi Saito, Manabu Kojima (担当区分: 責任著者 )

    Applied Physics Letters ( AIP Publishing )  120 ( 10 ) 102901 - 102901   2022年03月  [査読有り]

     概要を見る

    We developed a lanthanum-doped Pb(Zr<sub>0.4</sub>,Ti<sub>0.6</sub>)O<sub>3</sub> (PLZT)-based ferroelectric capacitor for low-voltage operation of ferroelectric memory for use in edge devices in the internet of things. The structure, consisting of PLZT stacked layers 30 and 90 nm thick, showed drastically improved performance in three main measures: low leakage current, high saturation polarization, and low saturation voltage. Secondary ion mass spectroscopy indicated that atomic interdiffusion between PLZT and IrO<sub>x</sub> in the top electrode (TE) was suppressed by the 30 nm thick PLZT, which plays the role of a diffusion barrier, producing a low leakage current and high saturation polarization. The higher oxygen atomic density of the PLZT near the TE interface lowers the oxygen vacancy, which should also suppress the leakage current and the P–V hysteresis shift (imprint). The large grain size and high crystalline quality of PLZT near the TE interface in the PLZT structure provide a high saturation polarization with low leakage current.

    DOI

  • Investigation of GaAs and AlAs atomic-layer epitaxial growth mechanism based on experimental results and first-principles total energy calculation

    Nobuyuki Ohtsuka, Masato Oda, Takashi Eshita, Ichiro Tanaka, Chihiro Itoh

    Japanese Journal of Applied Physics ( IOP Publishing )  59 ( SG ) SGGK16 - SGGK16   2020年04月  [査読有り]

     概要を見る

    In GaAs and AlAs atomic-layer epitaxy (ALE), it was experimentally found that the AlAs layer is deposited in two monolayers (2 ML) per ALE cycle, while the GaAs layer is deposited in 1 ML. In order to elucidate this growth mechanism, we compared the stability of Ga and Al atoms on the GaAs(100) surface by the first-principles total energy calculation based on density functional theory. Comparing adsorption energies, we found that Ga and Al stably adsorbed on the As-Terminated GaAs surface in 1 ML. It was also revealed that Al can adsorb on an As-Terminated GaAs(100) surface in 2 ML because excess Al atoms can be adsorbed by forming a metallic Al(110) plane-like structure. These results well explain the experimental results for ALE-GaAs and ALE-AlAs.

    DOI

  • Novel approach for Growth Mechanism of Atomic Layer Epitaxy of GaAs and AlAs

    N. Ohtsuka, M. Oda, T. Eshita, I. Tanaka, C. Itoh

    Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials ( The Japan Society of Applied Physics )    2019年09月  [査読有り]

    DOI

  • Reconstruction of IrO2/(Pb, La)(Zr, Ti)O3 (PLZT) interface by optimization of postdeposition annealing and sputtering conditions

    Kenji Nomura, Wensheng Wang, Ko Nakamura, Takashi Eshita, Kazuaki Takai, Soichiro Ozawa, Hideshi Yamaguchi, Satoru Mihara, Yukinobu Hikosaka, Hitoshi Saito, Yuji Kataoka, Manabu Kojima (担当区分: 責任著者 )

    Journal of Applied Physics ( AIP Publishing )  126 ( 7 ) 074105 - 074105   2019年08月  [査読有り]

    DOI

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書籍等出版物 【 表示 / 非表示

  • Advances in nonvolatile memory and storage technology

    T. Eshita, T. Tamura, Y. Arimoto( 担当: 共著,  担当範囲: chap.14 "Ferroelectric random access memory (FRAM) devices")

    Woodhead Publishing  2014年 

  • 電子情報通信学会知識ベース 10群4編 メモリLSI 第3章 FeRAM

    恵下隆( 担当範囲: 10群4編 メモリLSI 第3章 FeRAM)

    電子情報通信学会  2008年 

Misc 【 表示 / 非表示

  • 第4次産業革命 -半導体産業とオプトメカトロニクスの進展

    恵下隆 (担当区分: 筆頭著者 )

    光技術コンタクト   57 ( 1 )   2019年01月  [招待有り]

  • 「高集積強誘電体メモリFRAM の量産技術開発」で受賞した候補者を後方支援で貢献

    恵下隆

    電気科学技術奨励賞受賞者アーカイブ・シリーズ No.4     2018年12月

  • IoT市場向け強誘電体メモリにおけるPLZT薄膜の結晶化メカニズム

    野村 健二, 王 文生, 山口 秀史, 中村 亘, 恵下 隆, 彦坂 幸信, 片岡 祐治 (担当区分: 責任著者 )

    SPring-8/SACLA Information,Vol. 23 No.1     2018年02月

  • Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 10¹⁷-Cycle Endurance

    齋藤 仁, 杉町 達也, 中村 亘, 小澤 聡一郎, 佐次田 直也, 三原 智, 彦坂 幸信, 王 文生, 堀 智之, 高井 一章, 中澤 光晴, 小杉 騰, 濱田 誠, 川嶋 将一郎, 恵下 隆, 松宮 正人

    電子情報通信学会技術研究報告 ( Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. )  116   45 - 49   2015年07月  [査読有り]

     概要を見る

    We have developed a ferroelectric RAM (FRAM) with a low operation voltage of 1.2 V and a high switching endurance up to 1017 cycles. Our newly developed tripleprotection structured cell array, has constructed without an additional mask step, effectively protects 0.4-μm2 ferroelectric capacitors from hydrogen and moisture degradation. We have designed our capacitor-over-bit-line (COB) structure to have a small cell size of 0.5 μm2.

    DOI

  • 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発

    前田 展秀, 金 永〓, 彦坂 吉信, 恵下 隆, 北田 秀樹, 藤本 興冶, 水島 賢子, 鈴木 浩助, 中村 友二, 川合 章仁, 荒井 一尚, 大場 隆之

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   110 ( 182 ) 95 - 97   2010年

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受賞(研究活動に関するもの) 【 表示 / 非表示

  • 紫綬褒章

    受賞者:  恵下隆

    2015年04月    

  • 第14回山崎貞一賞

    受賞者:  恵下隆, 川嶋将一郎, 柏木茂雄

    2014年11月   材料科学振興財団   強誘電体メモリの高信頼化技術の開発と量産化  

  • 文部科学大臣表彰科学技術賞(開発部門)

    受賞者:  王文生、川嶋将一郎、高井一章、竹島徹, 恵下隆

    2014年04月   文部科学省   高集積強誘電体メモリの量産化技術の開発  

  • 第60回大河内記念技術賞

    受賞者:  井上あまね, 森田敬三, 川嶋将一郎, 佐次田直也, 恵下隆

    2014年03月   大河内記念会   高集積強誘電体メモリ(FRAM)の量産技術開発  

  • 第7回応用物理学会フェロー表彰

    受賞者:  恵下隆

    2013年09月   応用物理学会   高集積強誘電体メモリの量産化技術の開発  

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講演・口頭発表等 【 表示 / 非表示

  • La添加Pb(Zr,Ti)O3キャパシタにおける、低温での低電圧分極反転特性の改善

    王 文生, 恵下 隆, 高井一章, 野村健二, 山口秀史, 中村 亘, 小澤聡一郎, 永井孝一, 渡邉純一, 三原 智, 彦坂幸信, 齋藤 仁, 児島 学

    強誘電体学会(FMA)  2022年06月03日  

  • 強誘電体メモリの開発と今後の展開

    惠下隆  [招待有り]

    第11回夏の学校  2020年09月07日   応用物理学会 強的秩序とその操作に関わるグループ

  • 低電圧動作FRAMにおける低リーク電流積層PbLa(Zr,Ti)O3キャパシタの開発

    王 文生, 中村 亘, 高井 一章, 野村 健二, 恵下 隆, 中林 正明, 小澤 聡一郎, 山口 秀史, 三原 智, 彦坂 幸信, 齋藤 仁, 片岡 祐治, 児島 学

    第80回秋季学術講演会  2019年09月21日   応用物理学会

  • 強誘電体薄膜のメモリデバイス応用

    恵下隆  [招待有り]

    第112回研究会  2019年04月23日   日本学術振興会154委員会

  • IrOx/PLZT/Pt強誘電体キャパシタにおける熱処理及びIrOx酸化度の最適化による分極特性向上と結晶化メカニズム解析

    野村健二, 王文生, 山口秀史, 中村亘, 恵下隆, 小澤聡一郎, 高井一章, 三原智, 彦坂幸信, 濱田誠, 児島学, 片岡祐治

    第79回秋季学術講演会  2018年09月   応用物理学会

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特許 【 表示 / 非表示

  • 半導体装置の製造方法

    特許番号: 特許第4822625号

    出願日: 2001年07月30日 ( 2001-230046 )  

    発明者: 惠下隆、塚田峰春  出願人: 富士通セミコンダクター株式会社

  • Memory device with two ferroelectric capacitors per one cell

    特許番号: US6046929

    出願日: 1999年03月31日 ( 9/282,469 )  

    発明者: Aoki Masaki , Itoh Akio , Mushiga Mitsuteru , Nakamura Ko , Eshita Takashi 

  • 強誘電体メモリ装置

    特許番号: 特許第3189094

    出願日: 1999年02月24日 ( 特願平11-046855 )  

    発明者: 青木 正樹 , 伊藤 昭男 , 虫賀 満輝 , 中村 亘 , 恵下 隆  出願人: 富士通株式会社

  • 誘電体膜の作製方法

    特許番号: 特許第4212013号

    出願日: 1999年01月22日 ( 特願平11-14607 )  

    発明者: 宮垣 真治 , 恵下 隆 , 山脇 秀樹  出願人: 富士通株式会社

  • Ferroelectric memory device and its drive method

    特許番号: US6191441

    出願日: 1998年10月26日 ( 9/178,426 )  

    発明者: Aoki Masaki , Tamura Hirotaka , Takauchi Hideki , Eshita Takashi 

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研究交流 【 表示 / 非表示

  • 平成23年度革新的低炭素技術集約産業国内立地推進事業(経産省) 「強誘電体メモリ(FRAM)の製造」

    2011年04月
    -
    2012年03月
     

    共同研究

  • 平成13年度 大学連携型産業科学技術研究開発 新エネルギー・産業技術総合開発機構委託、 " 次世代強誘電体メモリの研究開発”

    2001年04月
    -
    2002年03月
     

    共同研究

  • 平成12 年度 大学連携型産業科学技術研究開発 新エネルギー・産業技術総合開発機構委託、 " 次世代強誘電体メモリの研究開発”

    2000年04月
    -
    2001年03月
     

    共同研究

 

公開講座等の講師、学術雑誌等の査読、メディア出演等 【 表示 / 非表示

  • 理事

    2022年01月13日
    -
    2024年01月12日

    一般社団法人和歌山イノベーションベース

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    アントレプレナーシップ

    一般社団法人和歌山イノベーションベース 理事

  • 理事

    2021年06月08日
    -
    2023年06月07日

    一般社団法人和歌山県発明協会

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    「学協会、政府、自治体等の公的委員」以外の委員

    総会、理事会、委員会等への出席。

  • わかやま地域活性化雇用創造プロジェクト運営協議会 出席

    2021年04月28日
     
     

    公益財団法人わかやま産業振興財団

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    地域活性化雇用

    議会の参加、助言。

  • 持続可能な地域のつくり方~江戸時代に学ぶ未来社会のデザイン~

    2021年01月19日
     
     

    和歌山市SDGs推進ネットワーク

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    SDGs

    パネリスト

  • SDGs未来都市・和歌山市から持続可能な地域を創る

    2020年12月20日
     
     

    和歌山市SDGs推進事業実行委員会

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    SDG's

    連続シンポジウムの第2部パネルディスカッション(テレビ番組)としてSDGs推進特別番組「SDGs未来都市・和歌山市から持続可能な地域を創る」のパネリスト

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学協会、政府、自治体等の公的委員 【 表示 / 非表示

  • 理事

    2022年01月11日
    -
    継続中
     

    和歌山イノベーションベース

     詳細を見る

    起業 アントレブレナー

    活動の審議

  • 「令和3年度わかやま中小企業元気ファンド事業及びわかやま農商工連携ファンド事業」第2次審査委員会

    2020年11月13日
    -
    2021年03月31日
     

    公益財団法人わかやま産業振興財団

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    県内の中小企業者等が行う、地域の強みである地域資源を活用した新商品や新サービスの開発、販路開拓などを支援する団体であり、その中の選考し審査する。

  • 和歌山県利用計画公募型普通財産売却等事業者選定委員

    2020年10月20日
    -
    2021年03月31日
     

    和歌山県庁

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    和歌山県有地に事業用定期借地権を設定し、民設民営で施設整備事業を実施する事業者を選定するため、2段階の事業者選定公募の際の審査

  • 評議員

    2019年06月
    -
    2024年03月
     

    公益財団法人わかやま産業振興財団

     詳細を見る

    国や地方自治体、他大学・研究機関等での委員

    評議員,任期:2019年6月~2024年3月

  • 理事

    2019年06月
    -
    2022年03月
     

    一般社団法人和歌山県発明協会

     詳細を見る

    国や地方自治体、他大学・研究機関等での委員

    理事,任期:2019年6月~2022年3月

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