講演・口頭発表等 - 尾崎 信彦
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Strain balancing of MOVPE InAs/GaAs quantum dots using GaAs0.8P0.2
T. S. Roberts, B. J. Stevens, E. Clarke, I. Tooley, J. Orchard, I. Farrer, D. T. D. Childs, N. Babazadeh, N. Ozaki, D. Mowbray, R. A. Hogg
The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016) WE43 2016年09月14日
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G. Goldberg, P. Ivanov, N. Ozaki, D. Childs, K. Groom, K. Kennedy, R. Hogg
The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016) WE63 2016年09月14日
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High-Intensity and Broadband Emission Centered at ~1 um from InGaAs 3D Nanostructures Formed by High-Temperature Molecular-Beam-Epitaxy Growth
N. Ozaki, S. Kanehira, Y. Hayashi, S. Ohkouchi, N. Ikeda, Y. Sugimoto
19th Int. Conf. Molecular Beam Epitaxy (MBE2016) Mo-P-68 2016年09月05日
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2光子励起によるInAs量子ドット埋め込みGaAsフォトニック結晶導波路型レーザの室温発振
小田久哉, 山中明生, 尾崎信彦, 池田直樹, 杉本喜正
電子情報通信学会LQE研究会 LQE2016-36 2016年08月25日
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Enhancement of spontaneous emission from InAs quantum dots embedded in photonic crystal waveguides via the Purcell effect and its application to an ultra-small multi-wavelength light source
Sho Uchida, Nobuhiko Ozaki, Hisaya Oda, Naoki Ikeda, and Yoshimasa Sugimoto
The 2016 International Symposium Advanced Materials Reseach (ISAMR 2016) P20 2016年08月13日 Asia Pacific Society for Materials Research
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(Invited) High axial resolution imaging of OCT using a broadband NIR superluminescent diode based on self-assembled InAs quantum dots
Nobuhiko Ozaki [招待有り]
The 2016 Int. Symp. Advanced Materials Reseach (ISAMR 2016) 2016年08月12日
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Opto-electronic Properties of Strain Compensated InAs/GaAs Quantum Dot Devices Grown by MOVPE
T. S. Roberts, B. J. Stevens, E. Clarke, I. Tooley, J. Orchard, I. Farrer, D. T. D. Childs, N. Babazadeh, N. Ozaki, D. Mowbray, R. A. Hogg
UK Semiconductors 2016 B-O-4 2016年07月07日
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Yuma Hayashi, Nobuhiko Ozaki, Shunsuke Ohkouchi, Hirotaka Ohsato, Eiichiro Watanabe, Naoki Ikeda, and Yoshimasa Sugimoto
2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016 - Includes 28th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM and 43rd International Symposium on Compound Semiconductors, ISCS 2016 MoP-ISCS-037 2016年06月27日
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Ultra-small Multi-wavelength Near-infrared Light Source Using a Heterojunction Photonic Crystal Waveguide and InAs Quantum Dots
Nobuhiko Ozaki, Sho Uchida, Hisaya Oda, Naoki Ikeda, and Yoshimasa Sugimoto
17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN17) TuP16 2016年03月29日
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可視光OCTとFDTDシミュレーションによる半導体光デバイス微細加工における新規非破壊膜厚測定法
西剛史, 尾崎信彦, 及川陽一, 宮地邦男, 大里啓孝, 渡辺英一郎, 池田直樹, 杉本喜正
第63回応用物理学会春季学術講演会 21p-P15-12 2016年03月21日
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As<sub>2</sub>分子線を用いて成長したInAs‐QDによる電流注入型広帯域光源
林佑真, 尾崎信彦, 大河内俊介, 大里啓孝, 渡辺英一郎, 池田直樹, 杉本喜正
第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-P16-6 2016年03月20日
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広帯域発光量子ドットを埋込んだ直列ヘテロ接合型フォトニック結晶導波路による超小型近赤外多波長光源
内田翔, 尾崎信彦, 小田久哉, 池田直樹, 杉本喜正
第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-P4-11 2016年03月20日
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広帯域発光量子ドットを埋め込んだ直列ヘテロ接合型フォトニック結晶導波路からの発光特性
小田久哉, 山中明生, 内田翔, 尾崎信彦, 池田直樹, 杉本喜正
第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-P4-12 2016年03月20日
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異なるバンドギャップエネルギーを持つInAs-QDを用いた中間バンド型GaAs太陽電池の特性比較
池田理彩, 林 佑真, 尾崎信彦, 大里啓孝, 渡辺英一郎, 池田直樹, 杉本喜正
第26回光物性研究会 IIIB-105 2015年12月12日
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As2/As4分子線によるInAs/GaAs量子ドット成長と光学特性の変化
林 佑真, 尾崎 信彦, 大河内 俊介, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 池田 直樹, 杉本 喜正
日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門 平成27年度第2回研究会 2015年11月21日 日本材料学会
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工業製品検査用の非破壊・非接触光断層計測システム
尾崎 信彦
第12回JST/CIC東京「新技術説明会」 2015年11月19日
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Spectral-Domain Optical Coherence Tomography with a White Light Developed for Optical Device Fabrication
T. Nishi, N. Ozaki, H. Ohsato, E. Watanabe, N. Ikeda, Y. Sugimoto
The 20th Microoptics Conference (MOC'15), H-42 2015年10月27日
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Broadband Gain Superluminescent Diode Based on Self-assembled InAs Quantum Dots with Segmented Contacts
N. Ozaki, T. Yasuda, H. Shibata, H. Ohsato, E. Watanabe, N. Ikeda, Y. Sugimoto, D. T. D. Childs, and R. A. Hogg
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), P-7-7 2015年09月29日
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分割電極を用いた広帯域多波長InAs量子ドットSLDの光学利得測定
尾崎 信彦, David Childs, 保田拓磨, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 池田 直樹, 杉本 喜正, Richard Hogg
第76回応用物理学会秋季学術講演会 16p-2E-8 2015年09月16日 応用物理学会
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As2分子線を用いたInAs-QD成長と1.05μm帯広帯域光源応用の検討
林 佑真, 尾崎 信彦, 大河内 俊介, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 池田 直樹, 杉本 喜正
第76回応用物理学会秋季学術講演会 13p-PB2-9 2015年09月13日 応用物理学会