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所属 |
システム工学部 材料工学メジャー |
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職名 |
准教授 |
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emailアドレス |
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学歴 【 表示 ／ 非表示 】
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京都大学 Graduate School, Division of Engineering
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京都大学 工学研究科 電気工学専攻科
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京都大学 工学部 電気工学科
経歴 【 表示 ／ 非表示 】
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2008年04月-継続中
和歌山大学 システム工学部 准教授
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2005年04月-2008年03月
和歌山大学 システム工学部 助教授
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2002年04月-2005年03月
和歌山大学 システム工学部 講師
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1997年-2002年03月
和歌山大学システム工学部助手 システム工学部
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1995年-1997年
NEDO産業技術研究員
研究分野 【 表示 ／ 非表示 】
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ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学
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ナノテク・材料 / 結晶工学 / 酸化物半導体, ミストCVD法, 酸化ガリウム
【学部】授業等（実験、演習、卒業論文指導、卒業研究、課題研究を含む） 【 表示 ／ 非表示 】
- 2019年度 物理学実験 専門教育科目
- 2019年度 精密物質実験Ｂ 専門教育科目
- 2019年度 半導体工学 専門教育科目
- 2019年度 物理学演習 専門教育科目
- 2019年度 精密物質実験Ｃ 専門教育科目
【学部】サテライト科目 【 表示 ／ 非表示 】
- 2019年度 【選択】さまざまな材料からながめる電気と電子の技術 教養教育科目
- 2018年度 【選択】さまざまな材料からながめる電気と電子の技術 教養教育科目
- 2017年度 さまざまな材料からながめる電気と電子の技術 教養教育科目
- 2014年度 みんなの科学入門 教養教育科目
【大学院】授業等 【 表示 ／ 非表示 】
- 2019年度 化合物半導体物性特論 博士前期
- 2019年度 システム工学研究ⅠＡ 博士前期
- 2019年度 システム工学研究ⅠＢ 博士前期
- 2019年度 システム工学研究ⅡＡ 博士前期
- 2019年度 システム工学研究ⅡＢ 博士前期
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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Kazuyuki Uno, Marika Ohta, Ichiro Tanaka
Applied Physics Letters ( AIP Publishing ) 117 ( 5 ) 052106 - 052106 2020年08月 [査読有り]
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手作り分光器の改良 ～利き目の問題と可変スリット～
井口楓梨, 宇野和行, 富田晃彦 (担当区分： 責任著者 )
天文教育 32 ( 4 ) 2 - 8 2020年07月
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硫化アンモニウム処理したPbSコロイダルナノドット薄膜を用いた電界効果トランジスタ
竹市祐実, 三谷展弘, 宇野和行, 田中一郎
材料 67 ( 9 ) 840 - 843 2018年09月 [査読有り]
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Ester-free cross-linker molecules for ultraviolet-light-cured polysilsesquioxane gate dielectric layers of organic thin-film transistors
Shuichi Okada, Yoshio Nakahara, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka
Japanese Journal of Applied Physics ( Japan Society of Applied Physics ) 57 ( 4 ) 2018年04月 [査読有り]
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ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の表面平坦化によるペンタセン薄膜トランジスタのキャリア移動度向上
道浦大佑, 中原佳夫, 宇野和行, 田中一郎
材料 66 ( 9 ) 644 - 647 2017年09月 [査読有り]
Misc 【 表示 ／ 非表示 】
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エンチオール反応により紫外線重合させた有機薄膜トランジスタ用ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜
山根 健一郎,, 中上 智章, 中原 佳夫, 宇野 和行, 田中 一郎
第67回応用物理学会春季学術講演会 12p-PA5-28 2020年03月
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PbSコロイダルナノドットをフローティングゲートに用いた有機メモリトランジスタの配位子交換による特性改善
井原 聖矢, 宇野 和行, 田中 一郎
第67回応用物理学会春季学術講演会 12p-PA5-33 2020年03月
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2C6-BDT-dimerを用いた有機薄膜トランジスタのフローコート法による作製
石井 洸一, 大須賀 秀次, 宇野 和行, 田中 一郎
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 2019年度第1回講演会・見学会 P6 2020年01月
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ナフタレンジイミド系材料を用いたn型有機薄膜トランジスタ
田村 明日香, 友國 里香, 大須賀 秀次, 宇野 和行, 田中 一郎
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 2019年度第1回講演会・見学会 P7 2020年01月
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エンチオール反応により紫外線重合させたポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜を用いたペンタセン薄膜トランジスタ
山根 健一郎, 中上 智章, 岡田 秀一, 中原 佳夫, 宇野 和行, 田中 一郎
薄膜材料デバイス研究会第16回研究集会 08P21 2019年11月
Works 【 表示 ／ 非表示 】
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ナノサイズの電極形成技術とデバイスへの応用
1998年 -
GeGaAsを用いた光デバイスのための基礎的研究
1998年 -
耐環境デバイスの電極技術に関する研究
1997年-1999年 -
計算科学に基づく新材料の開発に関する基礎的・応用的研究
1997年
特許 【 表示 ／ 非表示 】
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成膜方法及び成膜装置
出願日： 2020年09月04日 （ 特願2020-148776 ）
発明者： 宇野和行、渡部武紀、橋上洋、坂爪崇寛
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酸化ガリウム半導体膜の製造方法
出願日： 2019年04月12日 （ 特願2019-76229 ）
発明者： 宇野和行、松本一寿、渡部武紀、橋上洋
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酸化ガリウムの製造方法及び結晶成長装置
特許番号： 特許第6793942号
出願日： 2016年11月01日 （ 特願2016-213949 ） 公開日： 2018年05月10日 （ 特開2018-70422 ）
発明者： 宇野和行、中村幸 出願人： 国立大学法人和歌山大学
研究交流 【 表示 ／ 非表示 】
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科研費説明会
2014年10月 -
科研費説明会
2013年09月 -
第59回応用物理学関係連合講演会
2012年03月 -
第72回応用物理学会学術講演会
2011年08月-2011年09月 -
The 30th Electronic Materials Symposium (EMS30)
2011年06月-2011年07月
科学研究費 【 表示 ／ 非表示 】
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高品質なα型酸化ガリウム系薄膜による量子ヘテロ構造物性の研究
2018年04月-2021年03月基盤研究（C） 代表
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窒化物混晶半導体の発光機構の解明
2006年04月-2008年03月基盤研究（C） 分担
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超格子混晶半導体の光学特性の研究
2004年04月-2006年03月基盤研究（C） 分担
公開講座等の講師、学術雑誌等の査読、メディア出演等 【 表示 ／ 非表示 】
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日高高校特別講義
2017年04月その他
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Editor, Special issue on Compound Semiconductors
2016年05月-2017年03月Physica Status Solidi a, b, Vol. 214, Issue 3, Wiley
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NS(ナチュラルサイエンス)I特別講義
2016年01月その他
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特別号編集委員
2013年09月-2014年01月Japanese Journal of Applied Physics, 応用物理学会
学協会、政府、自治体等の公的委員 【 表示 ／ 非表示 】
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プログラム委員
2018年04月-2020年03月The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
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副委員長
2017年04月-2020年03月Compound Semiconductor Week 2019
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プログラム委員
2016年10月-2019年03月2018年窒化物半導体国際ワークショップ (International Workshop on Nitride Semiconductors, 略称: IWN2018)
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プログラム委員
2016年09月-2019年03月第19回有機金属気相エピタキシャル成長国際会議（19th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 略称：ICMOVPE-XIX）
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実行委員
2015年11月-2018年10月The 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS29)