2025/04/10 更新

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ウノ　カズユキ
宇野　和行
所属
システム工学部 材料工学メジャー
職名
准教授
兼務
電子物理工学メジャー（准教授）
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外部リンク

学歴

  • 1990年
    -
    1995年

    京都大学   工学研究科   電気工学専攻科  

  • 1986年
    -
    1990年

    京都大学   工学部   電気工学科  

学位

  • 博士（工学）   1997年

経歴

  • 2008年04月
    -
    継続中

    和歌山大学   システム工学部   准教授

  • 2005年04月
    -
    2008年03月

    和歌山大学   システム工学部   助教授

  • 2002年04月
    -
    2005年03月

    和歌山大学   システム工学部   講師

  • 1997年04月
    -
    2002年03月

    和歌山大学   システム工学部   助手

  • 1995年09月
    -
    1997年03月

    NEDO産業技術研究員

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所属学協会

  • 2012年04月
    -
    継続中

    日本材料学会

  • 2008年
    -
    継続中

    日本表面真空学会

  • 1998年02月
    -
    継続中

    応用物理学会

研究分野

  • ナノテク・材料 / 結晶工学 / 酸化物半導体, ミストCVD法, 酸化ガリウム

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

【学部】授業等（実験、演習、卒業論文指導、卒業研究、課題研究を含む）

  • 2023年度   材料科学と技術展開   教養教育科目

  • 2023年度   システム工学自主演習Ⅲ   専門教育科目

  • 2023年度   科学技術英語Ｂ   専門教育科目

  • 2023年度   卒業研究（ME）   専門教育科目

  • 2023年度   材料工学セミナー   専門教育科目

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【学部】サテライト科目

  • 2019年度   【選択】さまざまな材料からながめる電気と電子の技術   教養教育科目

  • 2018年度   【選択】さまざまな材料からながめる電気と電子の技術   教養教育科目

  • 2017年度   さまざまな材料からながめる電気と電子の技術   教養教育科目

  • 2014年度   みんなの科学入門   教養教育科目

【学部】自主演習

  • 2023年度   Linux環境でC言語を学ぶ

  • 2016年度   Arduinoを用いたプログラム，電子回路設計

  • 2008年度   物理学の基礎を視覚的に理解する演習

【大学院】授業等

  • 2023年度   システム工学研究ⅡＢ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   システム工学研究ⅡＡ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   システム工学研究ⅠＢ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   システム工学研究ⅠＡ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   ディジタルデバイス工学概論   博士前期

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受賞（教育活動に関するもの）

  • 2021年度   グッドレクチャー賞   和歌山大学システム工学部   国内

研究キーワード

  • ミストCVD法

  • 化合物半導体

  • 結晶成長

  • 光デバイス

  • 半導体ナノ構造

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論文

  • 深紫外光検出器を目指した酸化ガリウム薄膜の水晶基板上ミストCVD成長

    宇野和行, 田中一成, 尾友響 (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    材料 ( 日本材料学会 )  73 ( 10 ) 778 - 784   2024年10月  [査読有り]

    DOI

  • Improvement of Photoconductivity in a-Oriented α-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Thin Films Grown on Sapphire Substrates by Mist Chemical Vapor Deposition

    Kazuyuki Uno, Keishi Yamaoka (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    physica status solidi (b) ( Wiley )  261 ( 7 ) 2300463   2024年04月  [査読有り]

    DOI

  • Control of Al composition of mist chemical vapor deposition grown α-(AlGa)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alloy thin films by acetylacetonation of Al ion

    Kazuyuki Uno, Marika Ohta (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    Japanese Journal of Applied Physics ( IOP Publishing )  62   SF1026   2023年05月  [査読有り]

    　概要を見る

    Abstract

    We investigated the dominant factors affecting the Al composition of α-(AlGa)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alloy thin films in mist chemical vapor deposition, focusing on the acetylacetonation of the source solutions. The Al acetylacetonate (acac) complex formation time was evaluated using Fourier-transform infrared spectroscopy to examine the effectiveness of heating during stirring of the source solutions. Then, α-(AlGa)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alloy thin films were grown in source solutions in which the state of the acac complex was changed by adding ammonia water and/or hydrochloric acid, and the Al composition increased with increasing the pH value due to acceleration of acetylacetonation. The growth-temperature dependence of the Al composition was also experimentally investigated. The Al composition decreased with increasing growth temperature. The reasons are due to the strength of Al–O bond or dissociation of Al–acac ligand.

    DOI

  • Polysilsesquioxane Gate Dielectric Layers Cured by Ultra‐Violet Light Irradiation Using Thiol‐Ene Reaction for Organic Thin‐Film Transistors

    Yoshio Nakahara, Ken-ichiro Yamane, Tomoaki Nakagami, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    physica status solidi (a) ( Wiley )    2023年04月  [査読有り]

    DOI

  • Growth of α-(AlGa)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alloy thin films on c-sapphire substrates by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated Al and Ga solutions

    Marika Ohta, Hiroto Tamura, Kazuyuki Uno (担当区分： 最終著者,　責任著者 )

    Applied Physics Express ( IOP Publishing )  15 ( 5 ) 055502   2022年04月  [査読有り]

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    α-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> is a semi-stable phase of Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> and is known as an ultra-wide-bandgap semiconductor material. α-(AlGa)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alloys are important for their applications in electronic and optoelectronic devices. We investigated the growth mechanism and process of α-(AlGa)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alloys by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated Al and Ga aqueous solutions. The contribution of acetylacetonated Al ions to the epitaxial growth was investigated. The effects of an anchoring mechanism on the mosaic spread were experimentally evaluated. Investigating $10\overline{1}4$ X-ray diffraction profiles, strain relaxation processes in film formations are discussed.

    DOI

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書籍等出版物

  • 半導体用語大辞典

    半導体用語大辞典編集委員会

    日刊工業新聞社  1999年03月  ISBN: 4526043419

Works

  • IRCA (Internet Relay Chat Adapter)

    宇野和行 

    1993年
     ソフトウェア

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    英語にしか対応していないIRCクライアントソフトで日本語を扱えるようにするディスパッチャとしてフリーウェア公開した。

  • IRCW (Internet Relay Chat for Windows)

    宇野和行 

    1993年
     ソフトウェア

    　概要を見る

    世界初のWindows版日本語対応IRCクライアントソフト。フリーウェアとして発表した。

受賞（研究活動に関するもの）

  • システム工学部論文賞

    受賞者：  宇野和行

    2022年10月   和歌山大学システム工学部  

  • グッドレクチャー賞（電磁気学Ｉ）

    受賞者：  宇野和行

    2021年09月   和歌山大学システム工学部  

  • システム工学部論文賞

    受賞者：  宇野和行

    2020年10月   和歌山大学システム工学部  

講演・口頭発表等

  • ミストCVD法の結晶成⻑機構︓アセチルアセトナート錯体の第⼀原理分⼦動⼒ 学計算による熱的安定性評価

    宇野和行

    2025年第72回応用物理学会春季学術講演会  2025年03月15日   (東京理科大学野田キャンパス)  応用物理学会

  • ミストCVD法における錯体化学と表面化学反応に基づく酸化物半導体の薄膜結晶成長

    宇野和行  [招待有り]

    第11回工学研究シーズ合同発表会  2024年12月13日   (和歌山城ホール大会議室)  和歌山大学システム工学部

  • 13族アセチルアセトナート錯体の第一原理計算による構造解析とミストCVD成長

    宇野和行

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会2024年度第2回研究会  2024年11月16日   (京都府京都市西京区京都大学桂)  日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会

  • Growth of Amorphous Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> on Quartz Substrates by Mist Chemical Vapor Deposition

    Kazuyuki Uno

    International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials  2024年05月27日   (Berlin) 

  • 水晶基板上に成長したアモルファス酸化ガリウム薄膜とその光導電特性

    尾友 響, 田中 一成, 宇野 和行

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会, 24p-P16-6  2024年03月24日   (東京都市大学世田谷キャンパス)  応用物理学会

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特許

  • 成膜方法及び成膜装置

    特許番号： 特許第7436333号

    登録日： 2024年02月13日 

    出願日： 2020年09月04日 （ 特願2020-148776 ）   公開日： 2022年03月16日 （ 特開2022-43480 ）  

    発明者： 宇野和行、渡部武紀、橋上洋、坂爪崇寛 

  • 酸化ガリウム半導体膜及び原料溶液

    特許番号： 特許第7432904

    登録日： 2024年02月08日 

    出願日： 2019年04月12日 （ 特願2022-179004 ）   公開日： 2022年11月08日 （ 特開2023-15226 ）  

    発明者： 宇野和行、渡部武紀、橋上洋、松本一寿  出願人： 国立大学法人和歌山大学、信越化学工業株式会社

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    特願2019-76229の分割出願

  • 結晶性酸化物膜

    特許番号： 特許第7306640号

    登録日： 2023年07月03日 

    出願日： 2019年08月28日 （ 特願2022-033298 ）  

    発明者： 渡部武紀、橋上　洋、坂爪崇寛、宇野和行  出願人： 国立大学法人和歌山大学、信越化学工業株式会社

  • 金属膜形成方法

    特許番号： 特許第7261410号

    登録日： 2023年04月12日 

    出願日： 2019年09月02日 （ 特願2019-159947 ）   公開日： 2021年03月11日 （ 特開2021-38428 ）  

    発明者： 渡部武紀、橋上　洋、坂爪崇寛、宇野和行  出願人： 国立大学法人和歌山大学、信越化学工業株式会社

  • 酸化ガリウム半導体膜の製造方法

    特許番号： 特願7179294号

    登録日： 2022年11月18日 

    出願日： 2019年04月12日 （ 特願2019-76229 ）   公開日： 2020年10月22日 （ 特開2020-174153 ）  

    発明者： 渡部武紀、橋上　洋、松本一寿、宇野和行  出願人： 信越化学工業株式会社、和歌山大学

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研究交流

  • 酸化ガリウムおよび関連物質国際ワークショップ論文委員

    2023年09月
    -
    2024年06月
     

    国際研究交流

  • 2022年度第1回日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会

    2022年08月
     

  • 和歌山大学・和歌山化学工業協会会員交流会

    2021年12月
     

  • 和歌山大学・和歌山化学工業協会会員交流会

    2021年11月
     

  • P型酸化ガリウム作製方法の確立

    2018年11月
    -
    継続中
     

    共同研究

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科学研究費

  • α型酸化ガリウムの特異な緩和機構と光導電特性の研究

    2024年04月
    -
    2027年03月
     

    基盤研究（C）  代表

  • 高品質なα型酸化ガリウム系薄膜による量子ヘテロ構造物性の研究

    2018年04月
    -
    2021年03月
     

    基盤研究（C）  代表

  • 窒化物混晶半導体の発光機構の解明

    2006年04月
    -
    2008年03月
     

    基盤研究（C）  分担

  • 超格子混晶半導体の光学特性の研究

    2004年04月
    -
    2006年03月
     

    基盤研究（C）  分担

公的資金（他省庁、省庁の外郭団体、地方自治体等）

  • 全光通信のための半導体材料の研究

    2002年04月
    -
    2003年03月
     

    代表

公開講座等の講師、学術雑誌等の査読、メディア出演等

  • 査読6件

    2022年04月
    -
    2023年03月

    日本材料学会，Elsevier, 応用物理学会

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    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    学術誌の査読

  • 査読11件

    2021年04月
    -
    2022年03月

    日本材料学会，Elsevier, 応用物理学会

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    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    学術誌の査読

  • 査読3件

    2020年04月
    -
    2021年03月

    日本材料学会，Elsevier, 応用物理学会

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    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    学術誌の査読3件

  • 査読4件

    2019年04月
    -
    2020年03月

    日本材料学会，Springer, Elsevier

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    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    学術誌の査読4件

  • 査読1件

    2018年04月
    -
    2019年03月

    Springer

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    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    学術誌の査読1件

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教員免許状更新講習、司書教諭講習等（受託事業）

  • 2021年度   【選択】現代の産業を支える材料の科学と歴史(教員免許状更新講習)

  • 2019年度   さまざまな材料からながめる電気と電子の技術

  • 2018年度   さまざまな材料からながめる電気と電子の技術

  • 2017年度   さまざまな材料からながめる電気と電子の技術

学協会、政府、自治体等の公的委員

  • 第5回酸化ガリウム国際ワークショップ実行委員

    2023年09月01日
    -
    2024年06月01日
     

    第5回酸化ガリウム国際ワークショップ

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    酸化ガリウム，国際会議

    2023年5月に実施される酸化ガリウム国際ワークショップの論文委員として、招待講演者の推薦、論文の査読を行った。

  • 査読委員

    2023年04月01日
    -
    2024年03月31日
     

    日本材料学会

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    日本材料学会、「材料」、査読

    日本材料学会が発行している学術誌「材料」（和文誌）の査読を行う。

  • 半導体エレクトロニクス部門委員会幹事

    2021年04月01日
    -
    継続中
     

    日本材料学会

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    学会運営

    半導体エレクトロニクス部門の運営

  • 第4回酸化ガリウム国際ワークショップ実行委員

    2019年09月
    -
    2023年03月
     

    第4回酸化ガリウム国際ワークショップ

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    酸化ガリウム，国際会議

    2022年10月に予定されている酸化ガリウム国際ワークショップを実施するための実行委員として活動している。

  • プログラム委員

    2018年04月
    -
    2020年03月
     

    The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    国際会議の運営,任期:2018年11月～2020年3月

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その他の社会活動

  • 深紫外線を高感度に検出するα型酸化ガリウム光半導体デバイス

    2023年11月22日

    関西イノベーションイニシアチブ

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    ベンチャーキャピタル、酸化ガリウム

    VCを対象として酸化ガリウムについての技術説明を行った。

  • 技術相談

    2023年10月24日

    三河電機、エピテックス

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    酸化ガリウム

    技術相談

  • ソーラーブラインド光の高感度検出による水中での光通信や物体検知

    2023年10月03日

    MOBIO

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    展示会

    酸化ガリウムについての研究紹介

  • 大学見本市2023～イノベーション・ジャパン～ C-51

    2023年08月23日
    -
    2023年08月24日

    国立研究開発法人科学技術振興機構

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    展示会

    特許保有者による研究内容紹介

  • ミストCVD法によるGa2O3膜成膜の件

    2018年04月
    -
    2019年03月

    その他

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    産業界、行政諸機関等と行った共同研究、新技術創出、コンサルティング等

    酸化ガリウム薄膜の成長,実施者:宇野和行