宇野　和行 (ウノ　カズユキ)

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所属

システム工学部 材料工学メジャー

職名

准教授

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外部リンク

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学歴 【 表示 ／ 非表示 】

  • 1990年
    -
    1995年

    京都大学   工学研究科   電気工学専攻科  

  • 1986年
    -
    1990年

    京都大学   工学部   電気工学科  

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学位 【 表示 ／ 非表示 】

  • 博士（工学）   1997年

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経歴 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2008年04月
    -
    継続中

    和歌山大学   システム工学部   准教授

  • 2005年04月
    -
    2008年03月

    和歌山大学   システム工学部   助教授

  • 2002年04月
    -
    2005年03月

    和歌山大学   システム工学部   講師

  • 1997年04月
    -
    2002年03月

    和歌山大学   システム工学部   助手

  • 1995年09月
    -
    1997年03月

    NEDO産業技術研究員

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所属学協会 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2012年04月
    -
    継続中

    日本材料学会

  • 2008年
    -
    継続中

    日本表面真空学会

  • 1998年02月
    -
    継続中

    応用物理学会

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研究分野 【 表示 ／ 非表示 】

  • ナノテク・材料 / 結晶工学 / 酸化物半導体, ミストCVD法, 酸化ガリウム

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

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【学部】授業等（実験、演習、卒業論文指導、卒業研究、課題研究を含む） 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2021年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目
  • 2021年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目
  • 2021年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目
  • 2021年度   科学技術英語Ｂ   専門教育科目
  • 2021年度   現代システム工学概論Ａ   専門教育科目

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【学部】サテライト科目 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2019年度   【選択】さまざまな材料からながめる電気と電子の技術   教養教育科目
  • 2018年度   【選択】さまざまな材料からながめる電気と電子の技術   教養教育科目
  • 2017年度   さまざまな材料からながめる電気と電子の技術   教養教育科目
  • 2014年度   みんなの科学入門   教養教育科目
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【学部】自主演習 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2016年度   Arduinoを用いたプログラム，電子回路設計
  • 2008年度   物理学の基礎を視覚的に理解する演習
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【大学院】授業等 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2021年度   システム工学講究ⅠＢ   博士前期
  • 2021年度   システム工学講究ⅡＡ   博士前期
  • 2021年度   システム工学講究ⅡＢ   博士前期
  • 2021年度   半導体デバイス工学概論   博士前期
  • 2021年度   システム工学研究ⅠＡ   博士前期

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受賞（教育活動に関するもの） 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2021年度   グッドレクチャー賞   和歌山大学システム工学部   国内
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研究キーワード 【 表示 ／ 非表示 】

  • ミストCVD法

  • 化合物半導体

  • 結晶成長

  • 光デバイス

  • 半導体ナノ構造

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論文 【 表示 ／ 非表示 】

  • Growth of α-(AlGa)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alloy thin films on c-sapphire substrates by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated Al and Ga solutions

    Marika Ohta, Hiroto Tamura, Kazuyuki UNO (担当区分： 最終著者,　責任著者 )

    Applied Physics Express ( IOP Publishing )  15 ( 5 ) 055502 - 055502   2022年04月  [査読有り]

    　概要を見る

    α-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> is a semi-stable phase of Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> and is known as an ultra-wide-bandgap semiconductor material. α-(AlGa)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alloys are important for their applications in electronic and optoelectronic devices. We investigated the growth mechanism and process of α-(AlGa)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alloys by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated Al and Ga aqueous solutions. The contribution of acetylacetonated Al ions to the epitaxial growth was investigated. The effects of an anchoring mechanism on the mosaic spread were experimentally evaluated. Investigating $10\overline{1}4$ X-ray diffraction profiles, strain relaxation processes in film formations are discussed.

    DOI

  • 大気圧ミストCVD法による酸化物半導体や硫化物半導体の合成と成膜

    宇野和行 (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    硫酸と工業 ( 硫酸協会 )  75 ( 4 ) 41 - 50   2022年04月  [招待有り]

  • Prospects for phase engineering of semi-stable Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> semiconductor thin films using mist chemical vapor deposition

    Kentaro Kaneko, Kazuyuki Uno, Riena Jinno, Shizuo Fujita

    Journal of Applied Physics ( AIP Publishing )  131 ( 9 ) 090902 - 090902   2022年03月  [査読有り]  [招待有り]

    　概要を見る

    Routes to semi-stable phases of Ga[Formula: see text]O[Formula: see text] are the subject of extended discussions based on the review of growth methods, growth conditions, and precursors in works that report semi-stable phases other than the thermally stable [Formula: see text] phase. The focus here is on mist chemical vapor deposition because it has produced single-phase Ga[Formula: see text]O[Formula: see text] of [Formula: see text], [Formula: see text], and [Formula: see text] (or [Formula: see text]) in terms of the substrate materials, and features of this growth method for phase control are emphasized. Recent reports of phase control by other growth technology give a deeper understanding of how to determine and control the phases, increasing the opportunities to fully utilize the novel and unique properties of Ga[Formula: see text]O[Formula: see text].

    DOI

  • Pentacene memory transistors using ligand-exchanged and energy-level-controlled PbS colloidal nanodots for charge-trapping layers

    Seiya Ihara, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    Japanese Journal of Applied Physics ( IOP Publishing )  60 ( 2 ) 028001 - 028001   2021年02月  [査読有り]

    DOI

  • Growth mechanism of α-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> on a sapphire substrate by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated gallium source solutions

    Kazuyuki Uno, Marika Ohta, Ichiro Tanaka (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    Applied Physics Letters ( AIP Publishing )  117 ( 5 ) 052106 - 052106   2020年08月  [査読有り]

    DOI

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書籍等出版物 【 表示 ／ 非表示 】

  • 半導体用語大辞典

    半導体用語大辞典編集委員会

    日刊工業新聞社  1999年03月  ISBN: 4526043419

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Works 【 表示 ／ 非表示 】

  • IRCA (Internet Relay Chat Adapter)

    宇野和行 

    1993年
    　
    　
     ソフトウェア

    　概要を見る

    英語にしか対応していないIRCクライアントソフトで日本語を扱えるようにするディスパッチャとしてフリーウェア公開した。

  • IRCW (Internet Relay Chat for Windows)

    宇野和行 

    1993年
    　
    　
     ソフトウェア

    　概要を見る

    世界初のWindows版日本語対応IRCクライアントソフト。フリーウェアとして発表した。

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受賞（研究活動に関するもの） 【 表示 ／ 非表示 】

  • システム工学部論文賞

    受賞者：  宇野和行

    2022年10月   和歌山大学システム工学部  

  • グッドレクチャー賞（電磁気学Ｉ）

    受賞者：  宇野和行

    2021年09月   和歌山大学システム工学部  

  • システム工学部論文賞

    受賞者：  宇野和行

    2020年10月   和歌山大学システム工学部  

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講演・口頭発表等 【 表示 ／ 非表示 】

  • アセチルアセトナート化した亜鉛原料⽔溶液を⽤いたa⾯サファイア基板上酸化亜鉛薄膜のミストCVD成⻑

    宇野和行, 西岡恵

    2023年第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年03月17日   (上智大学四谷キャンパス)  応用物理学会

  • a⾯サファイア基板上にミストCVD成⻑した酸化ガリウム薄膜によるMSM型光検出器の基本特性

    山岡敬嗣, 宇野和行

    2023年第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年03月17日   (上智大学四谷キャンパス)  応用物理学会

  • アセチルアセトナート化した亜鉛水溶液によるa面サファイア基板上酸化亜鉛の結晶成長

    西岡恵, 宇野和行

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門2022年度第2回研究会  2022年11月19日   (京都大学桂キャンパス)  日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会

  • Structural fluctuation in twist direction of α-(AlGa)2O3 thin films grown on c- and a-sapphire substrates by mist chemical vapor deposition (Pos 1-21)

    Kazuyuki Uno, Hiroto Tamura, Marika Ohta

    The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials  2022年10月24日  

  • アセチルアセトナート化した原料水溶液を用いたα 型(AlGa)2O3 混晶とα 型Ga2O3 薄膜のミストCVD成長

    宇野和行, 田村大翔, 太田茉莉香

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会(20p-B203-21)  2022年09月20日   (東北大学川内キャンパス)  応用物理学会

    　概要を見る

    講演番号20p-B203-21

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特許 【 表示 ／ 非表示 】

  • 積層構造体の製造方法

    特許番号： 特許第7045014号

    登録日： 2022年03月23日 

    出願日： 2019年08月28日 （ 特願2019-156145 ）   公開日： 2021年03月01日 （ 特開2021-31358 ）  

    発明者： 渡部武紀、橋上　洋、坂爪崇寛、宇野和行  出願人： 国立大学法人和歌山大学、信越化学工業株式会社

  • 原料溶液の製造及び成膜方法

    出願日： 2021年05月04日 （ 特願2021-078230 ）  

    発明者： 渡部武紀、橋上　洋、坂爪崇寛、宇野和行、太田茉莉香 

  • 成膜方法及び成膜装置

    出願日： 2020年09月04日 （ 特願2020-148776 ）   公開日： 2022年03月16日 （ 特開2022-43480 ）  

    発明者： 宇野和行、渡部武紀、橋上洋、坂爪崇寛 

  • 金属膜形成方法

    出願日： 2019年09月02日 （ 特願2019-159947 ）   公開日： 2021年03月11日 （ 特開2021-38428 ）  

    発明者： 渡部武紀、橋上　洋、坂爪崇寛、宇野和行  出願人： 国立大学法人和歌山大学、信越化学工業株式会社

  • 酸化ガリウム半導体膜の製造方法

    出願日： 2019年04月12日 （ 特願2019-76229 ）   公開日： 2020年10月22日 （ 特開2020-174153 ）  

    発明者： 宇野和行、松本一寿、渡部武紀、橋上洋 

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研究交流 【 表示 ／ 非表示 】

  • 和歌山大学・和歌山化学工業協会会員交流会

    2021年12月
    　
    　
     

  • 和歌山大学・和歌山化学工業協会会員交流会

    2021年11月
    　
    　
     

  • 科研費説明会

    2014年10月
    　
    　
     

  • 科研費説明会

    2013年09月
    　
    　
     

  • 第59回応用物理学関係連合講演会

    2012年03月
    　
    　
     

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科学研究費 【 表示 ／ 非表示 】

  • 高品質なα型酸化ガリウム系薄膜による量子ヘテロ構造物性の研究

    2018年04月
    -
    2021年03月
     

    基盤研究（C）  代表

  • 窒化物混晶半導体の発光機構の解明

    2006年04月
    -
    2008年03月
     

    基盤研究（C）  分担

  • 超格子混晶半導体の光学特性の研究

    2004年04月
    -
    2006年03月
     

    基盤研究（C）  分担

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公的資金（他省庁、省庁の外郭団体、地方自治体等） 【 表示 ／ 非表示 】

  • 全光通信のための半導体材料の研究

    2002年04月
    -
    2003年03月
     

    代表

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公開講座等の講師、学術雑誌等の査読、メディア出演等 【 表示 ／ 非表示 】

  • 日高高校特別講義

    2017年04月
    　
    　

    その他

    　詳細を見る

    小・中・高校生を対象とした学部体験入学・出張講座等

    日高高校の学生を対象に「電気エネルギーの_x000B_発生と消費の昔と今」と題して電気エネルギーの発生と利用についての講義を行った。,日付:11月1日

  • Editor, Special issue on Compound Semiconductors

    2016年05月
    -
    2017年03月

    Physica Status Solidi a, b, Vol. 214, Issue 3, Wiley

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    Editor, Special issue on Compound Semiconductors,任期:2017年3月

  • NS(ナチュラルサイエンス)I特別講義

    2016年01月
    　
    　

    その他

    　詳細を見る

    小・中・高校生を対象とした学部体験入学・出張講座等

    日高高校の高校1年生の生徒約80名を対象に大学における理工系の学びについて実演を伴う講義を行った。,日付:26

  • 特別号編集委員

    2013年09月
    -
    2014年01月

    Japanese Journal of Applied Physics, 応用物理学会

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    特別号編集委員

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教員免許状更新講習、司書教諭講習等（受託事業） 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2021年度   【選択】現代の産業を支える材料の科学と歴史(教員免許状更新講習)
  • 2019年度   さまざまな材料からながめる電気と電子の技術
  • 2018年度   さまざまな材料からながめる電気と電子の技術
  • 2017年度   さまざまな材料からながめる電気と電子の技術
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学協会、政府、自治体等の公的委員 【 表示 ／ 非表示 】

  • 第4回酸化ガリウム国際ワークショップ実行委員

    2019年09月
    -
    継続中
     

    第4回酸化ガリウム国際ワークショップ

    　詳細を見る

    酸化ガリウム，国際会議

    2022年10月に予定されている酸化ガリウム国際ワークショップを実施するための実行委員として活動している。

  • プログラム委員

    2018年04月
    -
    2020年03月
     

    The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

    　詳細を見る

    学協会、政府、自治体等の公的委員

    国際会議の運営,任期:2018年11月～2020年3月

  • 副委員長

    2017年04月
    -
    2020年03月
     

    Compound Semiconductor Week 2019

    　詳細を見る

    学協会、政府、自治体等の公的委員

    日米欧で行われる「化合物半導体国際会議」の実施。投稿件数500件、参加人数800名程度の国際会議。2019年5月19日-5月23日に金沢にて実施予定。

  • プログラム委員

    2016年10月
    -
    2019年03月
     

    2018年窒化物半導体国際ワークショップ (International Workshop on Nitride Semiconductors, 略称: IWN2018)

    　詳細を見る

    学協会、政府、自治体等の公的委員

    窒化物半導体に関する研究発表および議論を行う,任期:2019年3月31日

  • プログラム委員

    2016年09月
    -
    2019年03月
     

    第19回有機金属気相エピタキシャル成長国際会議（19th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 略称：ICMOVPE-XIX）

    　詳細を見る

    学協会、政府、自治体等の公的委員

    半導体薄膜形成技術の一つである有機金属気相エピタキシャル成長法および関連分野に関する研究発表および議論を行う。,任期:2019年3月31日まで

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その他の社会活動 【 表示 ／ 非表示 】

  • ミストCVD法によるGa2O3膜成膜の件

    2018年04月
    -
    2019年03月

    その他

    　詳細を見る

    産業界、行政諸機関等と行った共同研究、新技術創出、コンサルティング等

    酸化ガリウム薄膜の成長,実施者:宇野和行

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