2024/11/09 更新

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ウノ　カズユキ
宇野　和行
所属
システム工学部 材料工学メジャー
職名
准教授
兼務
電子物理工学メジャー（准教授）
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外部リンク

学歴

  • 1990年
    -
    1995年

    京都大学   工学研究科   電気工学専攻科  

  • 1986年
    -
    1990年

    京都大学   工学部   電気工学科  

学位

  • 博士（工学）   1997年

経歴

  • 2008年04月
    -
    継続中

    和歌山大学   システム工学部   准教授

  • 2005年04月
    -
    2008年03月

    和歌山大学   システム工学部   助教授

  • 2002年04月
    -
    2005年03月

    和歌山大学   システム工学部   講師

  • 1997年04月
    -
    2002年03月

    和歌山大学   システム工学部   助手

  • 1995年09月
    -
    1997年03月

    NEDO産業技術研究員

  • 1995年04月
    -
    1995年09月

    京都大学   工学部   教務補佐員

▼全件表示

所属学協会

  • 2012年04月
    -
    継続中

    日本材料学会

  • 2008年
    -
    継続中

    日本表面真空学会

  • 1998年02月
    -
    継続中

    応用物理学会

研究分野

  • ナノテク・材料 / 結晶工学 / 酸化物半導体, ミストCVD法, 酸化ガリウム

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

【学部】授業等（実験、演習、卒業論文指導、卒業研究、課題研究を含む）

  • 2023年度   材料科学と技術展開   教養教育科目

  • 2023年度   システム工学自主演習Ⅲ   専門教育科目

  • 2023年度   科学技術英語Ｂ   専門教育科目

  • 2023年度   卒業研究（ME）   専門教育科目

  • 2023年度   材料工学セミナー   専門教育科目

  • 2023年度   材料工学実験Ｃ   専門教育科目

  • 2023年度   材料工学実験Ａ   専門教育科目

  • 2023年度   材料工学実験Ｂ   専門教育科目

  • 2023年度   物理学実験Ｂ   専門教育科目

  • 2023年度   物理学実験Ａ   専門教育科目

  • 2023年度   災害情報学   専門教育科目

  • 2023年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2023年度   半導体工学Ⅱ   専門教育科目

  • 2023年度   半導体工学Ⅰ   専門教育科目

  • 2023年度   数値解析Ⅰ   専門教育科目

  • 2023年度   数値解析Ⅱ   専門教育科目

  • 2023年度   ◆電磁気学Ⅰ   専門教育科目

  • 2022年度   材料科学と技術展開   教養教育科目

  • 2022年度   物理学実験Ｂ   専門教育科目

  • 2022年度   物理学実験Ａ   専門教育科目

  • 2022年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2022年度   半導体工学Ⅱ   専門教育科目

  • 2022年度   半導体工学Ⅰ   専門教育科目

  • 2022年度   電磁気学Ⅰ   専門教育科目

  • 2022年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2022年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2022年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2022年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2022年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2022年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2022年度   数値解析Ⅱ   専門教育科目

  • 2022年度   数値解析Ⅰ   専門教育科目

  • 2022年度   材料工学実験Ｃ   専門教育科目

  • 2022年度   材料工学実験Ｂ   専門教育科目

  • 2022年度   材料工学実験Ａ   専門教育科目

  • 2022年度   材料工学セミナー   専門教育科目

  • 2022年度   災害情報学   専門教育科目

  • 2022年度   現代システム工学概論Ａ   専門教育科目

  • 2022年度   科学技術英語Ｂ   専門教育科目

  • 2022年度   ナノテクノロジー特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2022年度   システム工学入門セミナー   専門教育科目

  • 2021年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2021年度   数値解析Ⅱ   専門教育科目

  • 2021年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2021年度   半導体工学Ⅱ   専門教育科目

  • 2021年度   数値解析Ⅰ   専門教育科目

  • 2021年度   材料工学実験Ｃ   専門教育科目

  • 2021年度   材料工学セミナー   専門教育科目

  • 2021年度   物理学実験Ｂ   専門教育科目

  • 2021年度   半導体工学Ⅰ   専門教育科目

  • 2021年度   電磁気学Ⅰ   専門教育科目

  • 2021年度   材料工学実験Ｂ   専門教育科目

  • 2021年度   物理学実験Ａ   専門教育科目

  • 2021年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2021年度   材料工学実験Ａ   専門教育科目

  • 2021年度   災害情報学   専門教育科目

  • 2021年度   現代システム工学概論Ａ   専門教育科目

  • 2021年度   科学技術英語Ｂ   専門教育科目

  • 2021年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2021年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2021年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2021年度   ナノテクノロジー特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2021年度   材料科学と技術展開   教養教育科目

  • 2020年度   メジャー体験演習Ａ   専門教育科目

  • 2020年度   メジャー紹介講義１   専門教育科目

  • 2020年度   材料科学と技術展開   教養教育科目

  • 2020年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2020年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2020年度   現代システム工学概論Ａ   専門教育科目

  • 2020年度   電磁気学Ⅰ   専門教育科目

  • 2020年度   数値解析Ⅱ   専門教育科目

  • 2020年度   数値解析Ⅰ   専門教育科目

  • 2020年度   材料工学実験Ｂ   専門教育科目

  • 2020年度   材料工学実験Ａ   専門教育科目

  • 2020年度   材料工学セミナー   専門教育科目

  • 2020年度   材料工学実験Ｃ   専門教育科目

  • 2020年度   固体物理学Ｂ   専門教育科目

  • 2020年度   固体物理学Ａ   専門教育科目

  • 2020年度   物理学実験Ｂ   専門教育科目

  • 2020年度   物理学実験Ａ   専門教育科目

  • 2020年度   災害情報学   専門教育科目

  • 2020年度   科学技術英語Ｂ   専門教育科目

  • 2020年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2020年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2020年度   ナノテクノロジー特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2020年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2020年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2020年度   半導体工学   専門教育科目

  • 2019年度   数値解析演習   専門教育科目

  • 2019年度   災害情報学   専門教育科目

  • 2019年度   現代システム工学概論Ⅰ   専門教育科目

  • 2019年度   科学技術英語Ｂ   専門教育科目

  • 2019年度   マテリアル科学実験   専門教育科目

  • 2019年度   応用物理学実験   専門教育科目

  • 2019年度   応用物理学特論   専門教育科目

  • 2019年度   固体物理学   専門教育科目

  • 2019年度   物性電磁気学Ⅰ   専門教育科目

  • 2019年度   システム工学入門セミナー   専門教育科目

  • 2019年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2019年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2019年度   ナノテクノロジー特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2019年度   ナノテクノロジー特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2019年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2019年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2019年度   半導体工学   専門教育科目

  • 2019年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2019年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2018年度   固体物理学   専門教育科目

  • 2018年度   メジャー紹介講義２   専門教育科目

  • 2018年度   メジャー紹介講義１   専門教育科目

  • 2018年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2018年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2018年度   災害情報学   専門教育科目

  • 2018年度   現代システム工学概論Ⅰ   専門教育科目

  • 2018年度   科学技術英語Ｂ   専門教育科目

  • 2018年度   マテリアル科学実験   専門教育科目

  • 2018年度   応用物理学実験   専門教育科目

  • 2018年度   応用物理学特論   専門教育科目

  • 2018年度   物性電磁気学Ⅰ   専門教育科目

  • 2018年度   メジャー紹介講義２   専門教育科目

  • 2018年度   メジャー紹介講義１   専門教育科目

  • 2018年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2018年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2018年度   ナノテクノロジー特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2018年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2018年度   半導体工学   専門教育科目

  • 2018年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2017年度   メジャー体験演習   教養教育科目

  • 2017年度   災害情報学   専門教育科目

  • 2017年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2017年度   システム工学自主演習Ⅳ   専門教育科目

  • 2017年度   マテリアル科学実験   専門教育科目

  • 2017年度   固体物理学   専門教育科目

  • 2017年度   物性電磁気学Ⅰ   専門教育科目

  • 2017年度   メジャー紹介講義２   専門教育科目

  • 2017年度   メジャー紹介講義２   専門教育科目

  • 2017年度   メジャー紹介講義１   専門教育科目

  • 2017年度   メジャー紹介講義１   専門教育科目

  • 2017年度   システム工学入門セミナー   専門教育科目

  • 2017年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2017年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2017年度   ナノテクノロジー特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2017年度   ナノテクノロジー特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2017年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2017年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2017年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2017年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2016年度   ナノテクノロジー特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2016年度   ナノテクノロジー特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2016年度   メジャー紹介講義１   専門教育科目

  • 2016年度   メジャー紹介講義１   専門教育科目

  • 2016年度   半導体工学   専門教育科目

  • 2016年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2016年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2016年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2016年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2016年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2016年度   精密物質実験Ａ   専門教育科目

  • 2016年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2016年度   システム工学自主演習Ⅳ   専門教育科目

  • 2016年度   固体物理学   専門教育科目

  • 2016年度   物性電磁気学Ⅰ   専門教育科目

  • 2016年度   システム工学入門セミナー   専門教育科目

  • 2015年度   半導体工学   専門教育科目

  • 2015年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2015年度   精密物質実験Ａ   専門教育科目

  • 2015年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2015年度   基礎物理Ⅲ   専門教育科目

  • 2015年度   ナノテクノロジー特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2015年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2015年度   電気電子材料論   専門教育科目

  • 2015年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2015年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2015年度   精密物質セミナーⅡ   専門教育科目

  • 2015年度   ナノテクノロジー特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2014年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2014年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2014年度   基礎物理Ⅲ   専門教育科目

  • 2014年度   基礎物理Ⅱ   専門教育科目

  • 2014年度   基礎物理Ⅰ   専門教育科目

  • 2014年度   電気電子材料論   専門教育科目

  • 2014年度   精密物質セミナーⅡ   専門教育科目

  • 2014年度   精密物質セミナーⅠ   専門教育科目

  • 2014年度   ナノテクノロジー特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2014年度   ナノテクノロジー特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2014年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2014年度   半導体工学   専門教育科目

  • 2014年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2014年度   精密物質実験Ａ   専門教育科目

  • 2014年度   基礎教養セミナー   教養教育科目

  • 2013年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2013年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2013年度   基礎物理Ⅲ   専門教育科目

  • 2013年度   基礎物理Ⅱ   専門教育科目

  • 2013年度   基礎物理Ⅰ   専門教育科目

  • 2013年度   電気電子材料論   専門教育科目

  • 2013年度   精密物質セミナーⅡ   専門教育科目

  • 2013年度   精密物質セミナーⅠ   専門教育科目

  • 2013年度   ナノテクノロジー特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2013年度   ナノテクノロジー特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2013年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2013年度   半導体工学   専門教育科目

  • 2013年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2013年度   精密物質実験Ａ   専門教育科目

  • 2013年度   身の回りの先端材料技術   教養教育科目

  • 2012年度   半導体工学   専門教育科目

  • 2012年度   精密物質入門セミナー   専門教育科目

  • 2012年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2012年度   精密物質実験Ａ   専門教育科目

  • 2012年度   精密物質セミナーⅠ   専門教育科目

  • 2012年度   基礎物理Ⅲ   専門教育科目

  • 2012年度   基礎物理Ⅰ   専門教育科目

  • 2012年度   基礎教養セミナー   教養教育科目

  • 2012年度   ナノテクノロジー特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2012年度   電気電子材料論   専門教育科目

  • 2012年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2012年度   精密物質セミナーⅡ   専門教育科目

  • 2012年度   身の回りの先端材料技術   教養教育科目

  • 2012年度   基礎物理Ⅱ   専門教育科目

  • 2012年度   ナノテクノロジー特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2011年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2011年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2011年度   精密物質実験Ａ   専門教育科目

  • 2011年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2011年度   精密物質セミナーⅡ   専門教育科目

  • 2011年度   精密物質セミナーⅠ   専門教育科目

  • 2011年度   ナノテクノロジー特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2011年度   ナノテクノロジー特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2011年度   基礎物理Ⅲ   専門教育科目

  • 2011年度   電気電子材料論   専門教育科目

  • 2011年度   身の回りの先端材料技術   教養教育科目

  • 2010年度   基礎物理III   専門教育科目

  • 2010年度   電気電子材料論   専門教育科目

  • 2010年度   基礎教養セミナー   専門教育科目

  • 2010年度   精密物質実験A   専門教育科目

  • 2010年度   精密物質実験C   専門教育科目

  • 2010年度   ナノテクノロジー特論II   専門教育科目

  • 2010年度   精密物質セミナーI   専門教育科目

  • 2010年度   身の回りの先端材料技術   教養教育科目

  • 2010年度   精密物質実験B   専門教育科目

  • 2010年度   ナノテクノロジー特論I   専門教育科目

  • 2010年度   精密物質セミナーII   専門教育科目

  • 2010年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2009年度   精密物質セミナーII   専門教育科目

  • 2009年度   精密物質セミナーI   専門教育科目

  • 2009年度   ナノテクノロジー特論II   専門教育科目

  • 2009年度   精密物質実験C   専門教育科目

  • 2009年度   ナノテクノロジー特論I   専門教育科目

  • 2009年度   精密物質実験B   専門教育科目

  • 2009年度   精密物質実験A   専門教育科目

  • 2009年度   電気電子材料論   専門教育科目

  • 2009年度   精密物質演習A   専門教育科目

  • 2009年度   微積分1   専門教育科目

  • 2009年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2008年度   精密物質セミナーII   専門教育科目

  • 2008年度   ナノテクノロジー特論II   専門教育科目

  • 2008年度   精密物質セミナーI   専門教育科目

  • 2008年度   精密物質実験C   専門教育科目

  • 2008年度   ナノテクノロジー特論I   専門教育科目

  • 2008年度   精密物質実験B   専門教育科目

  • 2008年度   精密物質実験A   専門教育科目

  • 2008年度   精密物質演習A   専門教育科目

  • 2008年度   電気電子材料論   専門教育科目

  • 2008年度   微積分1   専門教育科目

  • 2008年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2007年度   精密物質セミナーII   専門教育科目

  • 2007年度   ナノテクノロジー特論II   専門教育科目

  • 2007年度   精密物質セミナーI   専門教育科目

  • 2007年度   精密物質実験C   専門教育科目

  • 2007年度   ナノテクノロジー特論I   専門教育科目

  • 2007年度   精密物質実験B   専門教育科目

  • 2007年度   精密物質実験A   専門教育科目

  • 2007年度   精密物質演習A   専門教育科目

  • 2007年度   電気電子材料論   専門教育科目

  • 2007年度   精密物質入門セミナー   専門教育科目

  • 2007年度   微積分1   専門教育科目

  • 2007年度   卒業研究   専門教育科目

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【学部】サテライト科目

  • 2019年度   【選択】さまざまな材料からながめる電気と電子の技術   教養教育科目

  • 2018年度   【選択】さまざまな材料からながめる電気と電子の技術   教養教育科目

  • 2017年度   さまざまな材料からながめる電気と電子の技術   教養教育科目

  • 2014年度   みんなの科学入門   教養教育科目

【学部】自主演習

  • 2023年度   Linux環境でC言語を学ぶ

  • 2016年度   Arduinoを用いたプログラム，電子回路設計

  • 2008年度   物理学の基礎を視覚的に理解する演習

【大学院】授業等

  • 2023年度   システム工学研究ⅡＢ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   システム工学研究ⅡＡ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   システム工学研究ⅠＢ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   システム工学研究ⅠＡ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   ディジタルデバイス工学概論   博士前期

  • 2023年度   システム工学講究ⅡＢ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   システム工学講究ⅡＡ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   システム工学講究ⅠＢ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   システム工学講究ⅠＡ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2023年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2023年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2023年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2023年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2023年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2023年度   システム工学グローバル講究Ⅰ   博士後期

  • 2023年度   システム工学グローバル講究Ⅰ   博士後期

  • 2023年度   システム工学グローバル講究Ⅱ   博士後期

  • 2023年度   システム工学グローバル講究Ⅱ   博士後期

  • 2022年度   システム工学グローバル講究Ⅱ   博士後期

  • 2022年度   システム工学グローバル講究Ⅰ   博士後期

  • 2022年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2022年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2022年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2022年度   システム工学研究ⅡＢ   博士前期

  • 2022年度   システム工学研究ⅡＡ   博士前期

  • 2022年度   システム工学研究ⅠＢ   博士前期

  • 2022年度   システム工学研究ⅠＡ   博士前期

  • 2022年度   半導体デバイス工学概論   博士前期

  • 2022年度   システム工学講究ⅡＢ   博士前期

  • 2022年度   システム工学講究ⅡＡ   博士前期

  • 2022年度   システム工学講究ⅠＢ   博士前期

  • 2022年度   システム工学講究ⅠＡ   博士前期

  • 2021年度   システム工学グローバル講究Ⅱ   博士後期

  • 2021年度   システム工学グローバル講究Ⅰ   博士後期

  • 2021年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2021年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2021年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2021年度   システム工学研究ⅡＢ   博士前期

  • 2021年度   システム工学研究ⅡＡ   博士前期

  • 2021年度   システム工学研究ⅠＢ   博士前期

  • 2021年度   システム工学研究ⅠＡ   博士前期

  • 2021年度   半導体デバイス工学概論   博士前期

  • 2021年度   システム工学講究ⅡＢ   博士前期

  • 2021年度   システム工学講究ⅡＡ   博士前期

  • 2021年度   システム工学講究ⅠＢ   博士前期

  • 2021年度   システム工学講究ⅠＡ   博士前期

  • 2020年度   システム工学グローバル講究Ⅱ   博士後期

  • 2020年度   システム工学グローバル講究Ⅰ   博士後期

  • 2020年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2020年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2020年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2020年度   システム工学研究ⅡＢ   博士前期

  • 2020年度   システム工学研究ⅡＡ   博士前期

  • 2020年度   システム工学研究ⅠＢ   博士前期

  • 2020年度   システム工学研究ⅠＡ   博士前期

  • 2020年度   半導体デバイス工学概論   博士前期

  • 2020年度   システム工学講究ⅡＢ   博士前期

  • 2020年度   システム工学講究ⅡＡ   博士前期

  • 2020年度   システム工学講究ⅠＢ   博士前期

  • 2020年度   システム工学講究ⅠＡ   博士前期

  • 2019年度   化合物半導体物性特論   博士前期

  • 2019年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2019年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2019年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2019年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2019年度   システム工学講究ⅡＢ   博士前期

  • 2019年度   システム工学講究ⅡＡ   博士前期

  • 2019年度   システム工学講究ⅠＢ   博士前期

  • 2019年度   システム工学講究ⅠＡ   博士前期

  • 2019年度   システム工学研究ⅡＢ   博士前期

  • 2019年度   システム工学研究ⅡＡ   博士前期

  • 2019年度   システム工学研究ⅠＢ   博士前期

  • 2019年度   システム工学研究ⅠＡ   博士前期

  • 2018年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2018年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2018年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2018年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2018年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2018年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2018年度   システム工学研究ⅡＢ   博士前期

  • 2018年度   システム工学研究ⅡＡ   博士前期

  • 2018年度   システム工学研究ⅠＢ   博士前期

  • 2018年度   システム工学研究ⅠＡ   博士前期

  • 2018年度   システム工学講究ⅡＢ   博士前期

  • 2018年度   システム工学講究ⅡＡ   博士前期

  • 2018年度   システム工学講究ⅠＢ   博士前期

  • 2018年度   システム工学講究ⅠＡ   博士前期

  • 2018年度   化合物半導体物性特論   博士前期

  • 2018年度   ナノテクキャリアアップ特論   博士前期

  • 2017年度   化合物半導体物性特論   博士前期

  • 2017年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2017年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2017年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2017年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2017年度   システム工学研究ⅡＢ   博士前期

  • 2017年度   システム工学研究ⅡＡ   博士前期

  • 2017年度   システム工学研究ⅠＢ   博士前期

  • 2017年度   システム工学研究ⅠＡ   博士前期

  • 2017年度   システム工学講究ⅡＢ   博士前期

  • 2017年度   システム工学講究ⅡＡ   博士前期

  • 2017年度   システム工学講究ⅠＢ   博士前期

  • 2017年度   システム工学講究ⅠＡ   博士前期

  • 2016年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2016年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2016年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2016年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2016年度   システム工学研究ⅡＢ   博士前期

  • 2016年度   システム工学研究ⅡＡ   博士前期

  • 2016年度   システム工学研究ⅠＢ   博士前期

  • 2016年度   システム工学研究ⅠＡ   博士前期

  • 2016年度   システム工学講究ⅡＢ   博士前期

  • 2016年度   システム工学講究ⅡＡ   博士前期

  • 2016年度   システム工学講究ⅠＢ   博士前期

  • 2016年度   システム工学講究ⅠＡ   博士前期

  • 2016年度   ナノ材料工学   博士前期

  • 2015年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2015年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2015年度   システム工学特別研究   その他

  • 2015年度   システム工学講究ⅡＡ   その他

  • 2015年度   システム工学講究ⅠＡ   その他

  • 2015年度   システム工学研究ⅡＡ   その他

  • 2015年度   システム工学研究ⅠＡ   その他

  • 2015年度   ナノ材料工学   その他

  • 2015年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2015年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2015年度   システム工学特別研究   その他

  • 2015年度   システム工学講究ⅡＢ   その他

  • 2015年度   システム工学講究ⅠＢ   その他

  • 2015年度   システム工学研究ⅡＢ   その他

  • 2015年度   システム工学研究ⅠＢ   その他

  • 2014年度   システム工学グローバル講究Ⅰ   その他

  • 2014年度   システム工学グローバル講究Ⅰ   その他

  • 2014年度   システム工学特別研究   その他

  • 2014年度   システム工学特別研究   その他

  • 2014年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2014年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2014年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2014年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2014年度   システム工学研究ⅡＢ   その他

  • 2014年度   システム工学研究ⅡＡ   その他

  • 2014年度   システム工学研究ⅠＢ   その他

  • 2014年度   システム工学研究ⅠＡ   その他

  • 2014年度   ナノ材料工学   その他

  • 2014年度   システム工学講究ⅡＢ   その他

  • 2014年度   システム工学講究ⅡＡ   その他

  • 2014年度   システム工学講究ⅠＢ   その他

  • 2014年度   システム工学講究ⅠＡ   その他

  • 2013年度   システム工学特別研究   その他

  • 2013年度   システム工学特別研究   その他

  • 2013年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2013年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2013年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2013年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2013年度   システム工学研究ⅡＢ   その他

  • 2013年度   システム工学研究ⅡＡ   その他

  • 2013年度   システム工学研究ⅠＢ   その他

  • 2013年度   システム工学研究ⅠＡ   その他

  • 2013年度   ナノ材料工学   その他

  • 2013年度   システム工学講究ⅡＢ   その他

  • 2013年度   システム工学講究ⅡＡ   その他

  • 2013年度   システム工学講究ⅠＢ   その他

  • 2013年度   システム工学講究ⅠＡ   その他

  • 2012年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2012年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2012年度   システム工学特別研究   その他

  • 2012年度   システム工学講究ⅡＡ   その他

  • 2012年度   システム工学講究ⅠＡ   その他

  • 2012年度   システム工学研究ⅡＡ   その他

  • 2012年度   システム工学研究ⅠＡ   その他

  • 2012年度   ナノ材料工学   その他

  • 2012年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2012年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2012年度   システム工学特別研究   その他

  • 2012年度   システム工学講究ⅡＢ   その他

  • 2012年度   システム工学講究ⅠＢ   その他

  • 2012年度   システム工学研究ⅡＢ   その他

  • 2012年度   システム工学研究ⅠＢ   その他

  • 2011年度   システム工学研究ⅡＢ   その他

  • 2011年度   システム工学研究ⅡＡ   その他

  • 2011年度   システム工学研究ⅠＢ   その他

  • 2011年度   システム工学研究ⅠＡ   その他

  • 2011年度   システム工学特別研究   その他

  • 2011年度   システム工学特別研究   その他

  • 2011年度   システム工学講究（ⅠＢ・ⅡＢ）   その他

  • 2011年度   システム工学講究（ⅠＡ・ⅡＡ）   その他

  • 2011年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2011年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2011年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2011年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2011年度   ナノ材料工学   その他

  • 2010年度   システム工学講究IA   博士前期

  • 2010年度   システム工学講究IIA   博士前期

  • 2010年度   システム工学講究IB   博士前期

  • 2010年度   システム工学講究IIB   博士前期

  • 2010年度   システム工学研究IA   博士前期

  • 2010年度   システム工学研究IB   博士前期

  • 2010年度   システム工学研究IIA   博士前期

  • 2010年度   システム工学研究IIB   博士前期

  • 2010年度   ナノ材料工学   博士前期

  • 2009年度   デバイスプロセス工学   博士前期

  • 2009年度   システム工学研究IIA・IIB   博士前期

  • 2009年度   システム工学研究IA・IB   博士前期

  • 2009年度   システム工学講究IIA・IIB   博士前期

  • 2009年度   システム工学講究IA・IB   博士前期

  • 2008年度   システム工学研究IIA・IIB   博士前期

  • 2008年度   システム工学研究IA・IB   博士前期

  • 2008年度   システム工学講究IIA・IIB   博士前期

  • 2008年度   システム工学講究IA・IB   博士前期

  • 2007年度   デバイスプロセス工学   博士前期

  • 2007年度   システム工学研究II   博士前期

  • 2007年度   システム工学研究I   博士前期

  • 2007年度   システム工学講究II   博士前期

  • 2007年度   システム工学講究I   博士前期

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受賞（教育活動に関するもの）

  • 2021年度   グッドレクチャー賞   和歌山大学システム工学部   国内

研究キーワード

  • ミストCVD法

  • 化合物半導体

  • 結晶成長

  • 光デバイス

  • 半導体ナノ構造

  • 酸化ガリウム

  • 酸化物半導体

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論文

  • 深紫外光検出器を目指した酸化ガリウム薄膜の水晶基板上ミストCVD成長

    宇野和行, 田中一成, 尾友響 (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    材料 ( 日本材料学会 )  73 ( 10 ) 778 - 784   2024年10月  [査読有り]

    DOI

  • Improvement of Photoconductivity in a-Oriented α-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Thin Films Grown on Sapphire Substrates by Mist Chemical Vapor Deposition

    Kazuyuki Uno, Keishi Yamaoka (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    physica status solidi (b) ( Wiley )  261 ( 7 ) 2300463   2024年04月  [査読有り]

    DOI

  • Control of Al composition of mist chemical vapor deposition grown α-(AlGa)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alloy thin films by acetylacetonation of Al ion

    Kazuyuki Uno, Marika Ohta (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    Japanese Journal of Applied Physics ( IOP Publishing )  62   SF1026   2023年05月  [査読有り]

    　概要を見る

    Abstract

    We investigated the dominant factors affecting the Al composition of α-(AlGa)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alloy thin films in mist chemical vapor deposition, focusing on the acetylacetonation of the source solutions. The Al acetylacetonate (acac) complex formation time was evaluated using Fourier-transform infrared spectroscopy to examine the effectiveness of heating during stirring of the source solutions. Then, α-(AlGa)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alloy thin films were grown in source solutions in which the state of the acac complex was changed by adding ammonia water and/or hydrochloric acid, and the Al composition increased with increasing the pH value due to acceleration of acetylacetonation. The growth-temperature dependence of the Al composition was also experimentally investigated. The Al composition decreased with increasing growth temperature. The reasons are due to the strength of Al–O bond or dissociation of Al–acac ligand.

    DOI

  • Polysilsesquioxane Gate Dielectric Layers Cured by Ultra‐Violet Light Irradiation Using Thiol‐Ene Reaction for Organic Thin‐Film Transistors

    Yoshio Nakahara, Ken-ichiro Yamane, Tomoaki Nakagami, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    physica status solidi (a) ( Wiley )    2023年04月  [査読有り]

    DOI

  • Growth of α-(AlGa)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alloy thin films on c-sapphire substrates by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated Al and Ga solutions

    Marika Ohta, Hiroto Tamura, Kazuyuki Uno (担当区分： 最終著者,　責任著者 )

    Applied Physics Express ( IOP Publishing )  15 ( 5 ) 055502   2022年04月  [査読有り]

    　概要を見る

    α-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> is a semi-stable phase of Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> and is known as an ultra-wide-bandgap semiconductor material. α-(AlGa)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alloys are important for their applications in electronic and optoelectronic devices. We investigated the growth mechanism and process of α-(AlGa)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alloys by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated Al and Ga aqueous solutions. The contribution of acetylacetonated Al ions to the epitaxial growth was investigated. The effects of an anchoring mechanism on the mosaic spread were experimentally evaluated. Investigating $10\overline{1}4$ X-ray diffraction profiles, strain relaxation processes in film formations are discussed.

    DOI

  • 大気圧ミストCVD法による酸化物半導体や硫化物半導体の合成と成膜

    宇野和行 (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    硫酸と工業 ( 硫酸協会 )  75 ( 4 ) 41 - 50   2022年04月  [招待有り]

  • Prospects for phase engineering of semi-stable Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> semiconductor thin films using mist chemical vapor deposition

    Kentaro Kaneko, Kazuyuki Uno, Riena Jinno, Shizuo Fujita

    Journal of Applied Physics ( AIP Publishing )  131 ( 9 ) 090902 - 090902   2022年03月  [査読有り]  [招待有り]

    　概要を見る

    Routes to semi-stable phases of Ga[Formula: see text]O[Formula: see text] are the subject of extended discussions based on the review of growth methods, growth conditions, and precursors in works that report semi-stable phases other than the thermally stable [Formula: see text] phase. The focus here is on mist chemical vapor deposition because it has produced single-phase Ga[Formula: see text]O[Formula: see text] of [Formula: see text], [Formula: see text], and [Formula: see text] (or [Formula: see text]) in terms of the substrate materials, and features of this growth method for phase control are emphasized. Recent reports of phase control by other growth technology give a deeper understanding of how to determine and control the phases, increasing the opportunities to fully utilize the novel and unique properties of Ga[Formula: see text]O[Formula: see text].

    DOI

  • Pentacene memory transistors using ligand-exchanged and energy-level-controlled PbS colloidal nanodots for charge-trapping layers

    Seiya Ihara, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    Japanese Journal of Applied Physics ( IOP Publishing )  60 ( 2 ) 028001 - 028001   2021年02月  [査読有り]

    DOI

  • Investigation of photo-initiators for ultra-violet light cured polysilsesquioxane gate dielectric layers of organic thin film transistors

    Kosuke Hatano, Yoshio Nakahara, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    Zairyo/Journal of the Society of Materials Science, Japan ( Society of Materials Science Japan )  69 ( 10 ) 712 - 716   2020年10月  [査読有り]

    　概要を見る

    We fabricated pentacene thin-film transistors (TFTs) with ultra-violet (UV) light cured polysilsesquioxane (PSQ) gate dielectric layers using different photo-initiators to reduce UV-curing time. When PSQ layers were cured using Irgacure™ 184 as a photo-initiator, it took 60 minutes to cure them completely. However, the curing time was reduced to be 10 minutes when Irgacure™ 907 was used with a sensitizer because the UV light was absorbed more efficiently. It was also demonstrated that the hole mobility of the pentacene TFTs was not affected by changing the photo-initiator from Irgacure™ 184 to Irgacure™ 907 with a sensitizer.

    DOI

  • Growth mechanism of α-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> on a sapphire substrate by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated gallium source solutions

    Kazuyuki Uno, Marika Ohta, Ichiro Tanaka (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    Applied Physics Letters ( AIP Publishing )  117 ( 5 ) 052106 - 052106   2020年08月  [査読有り]

    DOI

  • 手作り分光器の改良 ～利き目の問題と可変スリット～

    井口楓梨, 宇野和行, 富田晃彦

    天文教育   32 ( 4 ) 2 - 8   2020年07月

  • 硫化アンモニウム処理したPbSコロイダルナノドット薄膜を用いた電界効果トランジスタ

    竹市裕実, 三谷展弘, 宇野和行, 田中一郎

    材料 ( Society of Materials Science Japan )  67 ( 9 ) 840 - 843   2018年09月  [査読有り]

    　概要を見る

    We fabricated field-effect transistors (FETs) using ammonium sulfide-treated PbS colloidal nano-dot (CND) films. After the ligand molecules were removed from the CNDs by the ammonium sulfide treatment, many cracks were observed in the atomic force microscope image of the PbS ND monolayer that was formed by horizontal lifting method. Those cracks were filled and almost disappeared after we repeated the formation of the PbS CND monolayer and removal of the ligand molecules for three times. The FETs fabricated with the cracked PbS ND films exhibited serious bias stress effect and very low hole mobility of 5.6×10-5 cm2V-1s-1, which were attributed to the carrier traps existing on the NDs surface. On the other hand, the carrier mobility of the FETs with the crack-free PbS ND films was improved to be 1.1×10-3 cm2V-1s-1 because the cracks were filled and the trap density was significantly reduced.

    DOI

  • Ester-free cross-linker molecules for ultraviolet-light-cured polysilsesquioxane gate dielectric layers of organic thin-film transistors

    Shuichi Okada, Yoshio Nakahara, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    Japanese Journal of Applied Physics ( Japan Society of Applied Physics )  57 ( 4 )   2018年04月  [査読有り]

    　概要を見る

    Pentacene thin-film transistors (TFTs) were fabricated with ultraviolet-light (UV)-cured polysilsesquioxane (PSQ) gate dielectric layers using cross-linker molecules with or without ester groups. To polymerize PSQ without ester groups, thiol-ene reaction was adopted. The TFTs fabricated with PSQ layers comprising ester-free cross-linkers showed a higher carrier mobility than the TFTs with PSQ layers cross-linked with ester groups, which had large electric dipole moments that limited the carrier mobility. It was demonstrated that the thiol-ene reaction is more suitable than the conventional radical reaction for UV-cured PSQ with small dielectric constant.

    DOI

  • Improving the carrier mobility of pentacene thin film transistors by surface flattened polysilsesquioxane gate dielectric layers

    Daisuke Michiura, Yoshio Nakahara, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    Zairyo/Journal of the Society of Materials Science, Japan ( Society of Materials Science Japan )  66 ( 9 ) 644 - 647   2017年09月  [査読有り]

    　概要を見る

    The surface flatness of photo-curable polysilsesquioxane (PSQ) films for gate dielectric layers of pentacene thin film transistors (TFTs) was considerably improved by ultra-violet light (UV)/O3 treatment
    the root-mean-squared (RMS) roughness was improved from 0.35 to 0.23 nm after 40-minute treatment. However, the PSQ surfaces became hydrophilic because hydroxyl groups, which degraded transistor performances, replaced the organic functional groups such as methyl groups by the UV/O3 treatment. Therefore, 1,1,1,3,3,3-hexamethyldisilazane (HMDS) treatment was successively performed after the UV/O3 treatment to replace the hydroxyl groups with hydrophobic silyl groups. It was found that four-hour HMDS treatment under dry nitrogen was enough to reduce off current of pentacene TFTs. As a result, the carrier mobility of the pentacene TFT fabricated with UV/O3 and HMDS-treated PSQ layers became 0.59 cm2V-1s-1, which was more than seven times higher than that of the pentacene TFTs with untreated PSQ layers.

    DOI

  • ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の表面平坦化によるペンタセン薄膜トランジスタのキャリア移動度向上

    道浦大佑, 中原佳夫, 宇野和行, 田中一郎

    材料   66 ( 9 ) 644 - 647   2017年09月  [査読有り]

  • Organic thin-film transistors based on solution-processable benzodithiophene dimers modified with hexyl groups

    Hirota Takeshi, Toake Hitoshi, Osuga Hideji, Uno Kazuyuki, Tanaka Ichiro

    Jpn. J. Appl. Phys. ( Institute of Physics )  56 ( 4 ) 048002 - 048002   2017年04月  [査読有り]

    　概要を見る

    Benzodithiophene dimers modified with hexyl groups (2C<inf>6</inf>-BDT-dimer) were investigated as solution-processable organic semiconductors for organic thin-film transistors (OTFTs). Since 2C<inf>6</inf>-BDT-dimer crystals have an anisotropic shape, flow coating was adopted to grow polycrystalline films. The flow-coated films were inferior to the vacuum-evaporated ones in terms of their crystallinity estimated from X-ray diffraction data. However, the hole mobility of the OTFTs with the flow-coated films, which was 1.7 cm<sup>2</sup>V<sup>−1</sup>s<sup>−1</sup>at maximum, was higher than that of the OTFTs with vacuum-evaporated films because the one-dimensional thin crystals of the flow-coated films were aligned in the flow-coating direction.

    DOI

  • 半導体材料・デバイスの最新の進展 ４．電着法による酸化亜鉛の薄膜および厚膜の成長

    宇野和行 (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    材料 ( 日本材料学会 )  66 ( 4 ) 312 - 317   2017年04月  [査読有り]  [招待有り]

  • Pentacene memory transistors with a monolayer of ligand-removed semiconductor colloidal nanodots used as a charge-trapping layer

    Fumihoru Nakano, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    physica status solidi (a) ( Wiley )  214 ( 3 ) 1600545 - 1600545   2017年03月  [査読有り]

    DOI

  • Photoluminescence thermal quenching properties of zinc sulfide grown by mist chemical vapor deposition

    Kazuyuki Uno, Yasuyuki Asano, Ichiro Tanaka (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    physica status solidi (b) ( Wiley )  254 ( 2 ) 1600544 - 1600544   2017年02月  [査読有り]

    DOI

  • Growth mechanisms of zinc oxide and zinc sulfide films by mist chemical vapor deposition

    Uno Kazuyuki, Yamasaki Yuichiro, Tanaka Ichiro (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    Appl. Phys. Express ( Institute of Physics )  10 ( 1 ) 015502 - 015502   2017年01月  [査読有り]

    　概要を見る

    The growth mechanisms of zinc oxide and zinc sulfide films by mist chemical vapor deposition (mist-CVD) were experimentally investigated from the viewpoint of mist behaviors and chemical reactions. The proper growth model, either vaporization or the Leidenfrost model, was studied by supplying two kinds of mists with different kinds of sources, such as H<inf>2</inf><sup>16</sup>O and H<inf>2</inf><sup>18</sup>O for ZnO growth and ZnCl<inf>2</inf>and thiourea for ZnS growth. Moreover, the origin of the oxygen atoms of ZnO was investigated using a quantitative analysis. The role of chloro complex of zinc in the growth of ZnS from aqueous solutions was also examined by systematic studies.

    DOI

  • Improving the carrier mobility of pentacene thin film transistors by surface treatment of polysilsesquioxane gate dielectric layers

    Daisuke Michiura, Yoshio Nakahara, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    Zairyo/Journal of the Society of Materials Science, Japan ( Society of Materials Science Japan )  65 ( 9 ) 652 - 655   2016年09月  [査読有り]

    　概要を見る

    We improved the carrier mobility of the pentacene thin film transistors (TFT), which were fabricated with polysilsesquioxane (PSQ) gate dielectric layers, from 0.082 to 0.31 cm2V-1s-1 by treating the PSQ surface with ultra-violet irradiation (UV)/O3 and 1,1,1,3,3,3-hexamethyldisilazane (HMDS). It was found that the PSQ layers were flattened by the UV/O3 treatment, and the PSQ surface became hydrophilic at the same time because the organic functional groups on the PSQ surface were changed to hydroxyl groups. The grains of the pentacene films deposited on the UV/O3-treated PSQ surfaces were found to be as large as a few microns. However, the carrier mobility of the pentacene TFTs was not so much improved as expected from the largely grown pentacene grains probably because the hydroxyl groups scattered the charged carriers. In addition, the off-current of the pentacene TFTs increased by 4 orders of magnitude. It is thus considered that the hydroxyl groups also worked as hopping sites for the increased off-current which flew without the gate voltage. On the other hand, the carrier mobility of the pentacene TFTs fabricated with the PSQ dielectric layers of which surfaces were treated with UV/O3 and HMDS became ∼4 times larger than that without any surface treatment of the PSQ layers, and also the off-current decreased by 3 orders of magnitude because the hydroxyl groups were changed with silyl groups by the HMDS treatment.

    DOI

  • ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の表面処理によるペンタセン薄膜トランジスタのキャリア移動度向上

    道浦大佑, 中原佳夫, 宇野和行, 田中一郎

    材料 ( 日本材料学会 )  65 ( 9 ) 652 - 655   2016年09月  [査読有り]

  • Growth of zinc sulfide by mist chemical vapor deposition depending on mist size and thermal conditions in susceptor

    Kazuyuki Uno, Yuichiro Yamasaki, Ping Gu, Ichiro Tanaka (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    physica status solidi (c) ( Wiley )  13 ( 7-9 ) 448 - 451   2016年07月  [査読有り]

    DOI

  • High-Mobility 6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl) Pentacene Transistors Using Solution-Processed Polysilsesquioxane Gate Dielectric Layers

    Yu Matsuda, Yoshio Nakahara, Daisuke Michiura, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    Journal of Nanoscience and Nanotechnology ( American Scientific Publishers )  16 ( 4 ) 3273 - 3276   2016年04月  [査読有り]

    　概要を見る

    Polysilsesquioxane (PSQ) is a low-temperature curable polymer that is compatible with low-cost plastic substrates. We cured PSQ gate dielectric layers by irradiation with ultraviolet light at ~60 °C, and used them for 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene (TIPS-pentacene)
    thin film transistors (TFTs). The fabricated TFTs have shown the maximum and average hole mobility of 1.3 and 0.78±0.3 cm<sup>2</sup>V<sup>−1</sup>s<sup>−1</sup>, which are comparable to those of the previously reported transistors using singlecrystalline TIPS-pentacene
    micro-ribbons for their active layers and thermally oxidized SiO2 for their gate dielectric layers. It is therefore demonstrated that PSQ is a promising polymer gate dielectric material for low-cost organic TFTs.

    DOI

  • Investigation of Ultraviolet Light Curable Polysilsesquioxane Gate Dielectric Layers for Pentacene Thin Film Transistors

    Hideto Shibao, Yoshio Nakahara, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    Journal of Nanoscience and Nanotechnology ( American Scientific Publishers )  16 ( 4 ) 3327 - 3331   2016年04月  [査読有り]

    　概要を見る

    Polysilsesquioxane (PSQ) comprising 3-methacryloxypropyl groups was investigated as an ultraviolet (UV)-light curable gate dielectric material for pentacene thin film transistors (TFTs). The surface of UV-light cured PSQ films was smoother than that of thermally cured ones, and the
    pentacene layers deposited on the UV-light cured PSQ films consisted of larger grains. However, carrier mobility of the TFTs using the UV-light cured PSQ films was lower than that of the TFTs using the thermally cured ones. It was shown that the cross-linker molecules, which were only added
    to the UV-light cured PSQ films, worked as a major mobility-limiting factor for the TFTs.

    DOI

  • Pentacene Memory Transistors Using Monolayer of Ligand-removed Semiconductor Colloidal Nano-dots as a Floating Gate

    Fumihoru Nakano, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) ( IEEE )    2016年  [査読有り]

  • Temperature Dependence of Photoluminescence Properties of Zinc Sulfide Grown from Aqueous Solutions by Mist Chemical Vapor Deposition

    Kazuyuki Uno, Yasuyuki Asano, Yuichiro Yamasaki, Ichiro Tanaka

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) ( IEEE )    2016年  [査読有り]

  • ミストCVD法を用いたZnS薄膜成長の反応機構

    山崎佑一郎, 宇野和行, 顧萍, 田中一郎 (担当区分： 責任著者 )

    材料   64 ( 9 ) 707 - 710   2015年09月  [査読有り]

  • Growth of zinc oxide on pyrolytic graphite sheet by electrochemical and mist chemical vapor depositions

    Shunsuke Kake, Kazuyuki Uno, Ikuhiro Furotani, Harutaka Makabe, Yuichiro Yamasaki, Ichiro Tanaka (担当区分： 責任著者 )

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics ( Wiley-VCH Verlag )  11 ( 7-8 ) 1233 - 1236   2014年  [査読有り]

    　概要を見る

    Growth of zinc oxide (ZnO) on pyrolytic graphite sheet (PGS) by electrochemical deposition (ECD) and mist chemical vapor deposition (CVD) was investigated in the viewpoint of crystal orientations. We examined the fullwidth at half-maximum (FWHM) of X-ray rocking curve profiles of graphite 0002 and ZnO 0002 diffractions for the investigations. In the case of ECD, thermal annealing at 400, 800, and 1000 °C for PGS before the growth reduced the FWHM value of the grown ZnO. On the other hand, in the case of mist CVD, the growth process and an etching process which may flatten the surface roughness simultaneously occurred. As a result, the FWHM values of the grown ZnO and the PGS were almost the same. These results indicate that each ZnO grain was grown on each graphite grain along with a same c-orientation direction. © 2014 WILEY-VCH Verlag GmbH &amp
    Co. KGaA, Weinheim.

    DOI

  • Organic field-effect transistors fabricated by solution process using TMTSF-TCNQ complex crystals grown at various temperatures

    Takuya Nawata, Hideo Yamakado, K. Uno, Ichiro Tanaka

    physica status solidi (c) ( Wiley )  10 ( 11 ) 1636 - 1639   2013年11月  [査読有り]

    DOI

  • 光照射電着法によるn型窒化ガリウム上の酸化亜鉛の厚膜成長

    宇野和行, 池上潤平, 妻神光輝, 田中一郎 (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    材料 ( The Society of Materials Science, Japan )  66 ( 11 ) 668 - 671   2013年11月  [査読有り]

    　概要を見る

    Zinc oxide (ZnO) thick film growth on n-type gallium nitride (n-GaN) using an electrodeposition was investigated. We supplied electrons to the surface by light excitation using a Xe lamp for a long continuous electrochemical deposition. By using this technique, stable electrochemical reactions for 20h and 120h were realized. The sample grown for 20h had a thickness of 26<i>μ</i>m, an averaged optical transmission of 85% in the visible-light region, and no obvious grain boundary from its cross-sectional SEM image. On the other hand, the sample grown for 120h had a thickness of 140<i>μ</i>m, an averaged optical transmission of 25%, and many grain boundaries. Optimization of growth conditions for the thickness of above 30∼40<i>μ</i>m is necessary.

    DOI

  • Growth of pentacene crystallinity control layers for high mobility organic field-effect transistors based on benzodithiophene-dimer films

    Tomoya Sakai, Y. Matsumoto, K. Shibamoto, H. Osuga, K. Uno, Ichiro Tanaka

    Journal of Crystal Growth ( Elsevier BV )  378   347 - 350   2013年09月  [査読有り]

    DOI

  • ZnO Thick Film Growth on n-GaN by Photoassisted Electrodeposition

    Uno Kazuyuki, Tauchi Yasuhiro, Tanaka Ichiro (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    Jpn J Appl Phys ( The Japan Society of Applied Physics )  52 ( 8S ) 08JE16 - 08JE16   2013年08月  [査読有り]

    　概要を見る

    Zinc oxide (ZnO) thick film growth on n-GaN using an electrodeposition technique was investigated. Although the reaction temperature is about 70 °C in cathodic electrodeposition, ZnO can grow epitaxially on GaN owing to their small lattice mismatch. However, the quality of grown ZnO is too high for electrons to be supplied from the substrate. As a consequence, the electrodeposition can continue for only 50 min. On the other hand, in the case of the growth of ZnO on highly oriented pyrolytic graphite (HOPG), the electrochemical reaction can continue for over 15 h owing to the supply of electrons via grain boundaries or defects. For a long continuous electrochemical reaction, we supply electrons to the surface by light excitation using a Xe lamp. A stable electrochemical reaction is realized and a 5-μm-thick ZnO film with high uniformity is obtained.

    DOI

  • Organic Memory Transistors Using Monolayer of Semiconductor Colloidal Nano-Dots as a Floating Gate

    Kajimoto Kaori, Matsui Daisuke, Uno Kazuyuki, Tanaka Ichiro

    Jpn J Appl Phys ( The Japan Society of Applied Physics )  52 ( 5S1 ) 05DC04 - 05DC04   2013年05月  [査読有り]

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    We fabricated pentacene-based memory field-effect transistors (FETs) in which a monolayer of semiconductor colloidal nano-dots (NDs) is embedded as a floating gate. After a sufficiently large writing voltage was applied on the control gate, the fabricated FETs showed a large positive threshold voltage (V_{\text{th } }) shift that was attributed to electrons trapped in embedded NDs. The V_{\text{th } } shift was measured as a function of the writing voltage, and it was shown that the minimum writing voltage for memory FETs with small NDs is significantly larger than that for FETs with large ones. This result supports the proposed model of the memory effect in which electrons that tunneled from nearby pentacene molecules are trapped in embedded NDs because the electron energy level in small NDs is higher than that in large ones.

    DOI

  • Investigation of polysilsesquioxane as a gate dielectric material for organic field-effect transistors

    M. Kawamura, Yoshio Nakahara, Mitsuhiro Ohse, Maki Kumei, K. Uno, Hidefumi Sakamoto, Keiichi Kimura, Ichiro Tanaka

    Applied Physics Letters ( AIP Publishing )  101 ( 5 ) 053311 - 053311   2012年07月  [査読有り]

    DOI

  • Large Memory Effect and High Carrier Mobility of Organic Field-Effect Transistors Using Semiconductor Colloidal Nano-Dots Dispersed in Polymer Buffer Layers

    Kajimoto Kaori, Kurokawa Atsushi, Uno Kazuyuki, Tanaka Ichiro

    Jpn J Appl Phys ( Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics )  50 ( 2 ) 021601 - 021601   2011年02月  [査読有り]

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    We fabricated organic memory field-effect transistors (FETs) using PbS colloidal nano-dots (NDs) dispersed in thin poly(methyl methacrylate) (PMMA) layers inserted between gate insulators (SiO2) and pentacene active layers as floating gates. The colloidal NDs were dispersed in chloroform solution with PMMA, and spin-coated on SiO2 surfaces. The fabricated memory FETs showed significantly large threshold voltage shifts of 64.5 V at maximum after a writing voltage of 100 V was applied to their control gates, and a maximum carrier mobility of 0.36 cm2 V-1 s-1, which was comparable to that of reference pentacene FETs without colloidal NDs, was obtained because of the improved crystallinity of the pentacene films.

    DOI

  • Resonant tunneling of electrons through single self-assembled InAs quantum dot studied by conductive atomic force microscopy

    Ichiro Tanaka, Y. Tada, S. Nakatani, K. Uno, I. Kamiya, H. Sakaki

    Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures ( Elsevier BV )  42 ( 10 ) 2606 - 2609   2010年09月  [査読有り]

    DOI

  • Memory effect of pentacene field-effect transistors with embedded monolayer of semiconductor colloidal nano-dots

    Kaori Kajimoto, K. Uno, Ichiro Tanaka

    Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures ( Elsevier BV )  42 ( 10 ) 2816 - 2819   2010年09月  [査読有り]

    DOI

  • Resonant tunneling of electrons through single self-assembled In As quantum dot studied by conductive atomic force microscopy

    Ichiro Tanaka, Y. Tada, S. Nakatani, K. Uno, I. Kamiya, H. Sakaki

    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES ( ELSEVIER SCIENCE BV )  42 ( 10 ) 2606 - 2609   2010年09月

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    Resonant tunneling of electrons through a quantum level in single self-assembled InAs quantum dot (QD) embedded in thin AlAs barriers has been studied. The embedded InAs QDs are sandwiched by 1.7-nm-thick AlAs barriers, and surface InAs QDs, which are deposited on 8.3 nm-thick GaAs cap layer, are used as nano-scale electrodes. Since the surface InAs QD should be vertically aligned with a buried one, a current flowing via the buried QD can be measured with a conductive tip of an atomic force microscope (AFM) brought in contact with the surface QD-electrode. Negative differential resistance attributed to electron resonant tunneling through a quantized energy level in the buried QD is observed in the current-voltage characteristics at room temperature. The effect of Fermi level pinning around nano-scale QD-electrode on resonance voltage and the dependence of resonance voltage on the size of QD-electrodes are investigated, and it has been demonstrated that the distribution of the resonance voltages reflects the size variation of the embedded QDs. (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.

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  • Contact and channel resistances of organic field-effect transistors based on benzodithiophene-dimer films deposited on pentacene crystallinity control layers

    A. Kurokawa, Y. Matsumoto, K. Shibamoto, Kaori Kajimoto, H. Osuga, Hideo Yamakado, K. Uno, Ichiro Tanaka

    Applied Physics Letters ( AIP Publishing )  95 ( 26 ) 263307 - 263307   2009年12月  [査読有り]

    DOI

  • Carrier transport in benzodithiophene-dimer field-effect transistors with pentacene crystallinity control layers

    Y. Matsumoto, S. Takamiya, A. Kurokawa, H. Osuga, K. Uno, Ichiro Tanaka

    Applied Physics Letters ( AIP Publishing )  94 ( 20 ) 203305 - 203305   2009年05月  [査読有り]

    DOI

  • Expansion ratio dependence of lattice vibration of GaN using ab initio molecular dynamics calculations

    Kazuyuki Uno, Takuki Inoue, Toshiyuki Takizawa, Ichiro Tanaka (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    Journal of Crystal Growth ( Elsevier BV )  311 ( 10 ) 3100 - 3102   2009年05月  [査読有り]

    DOI

  • Crystallinity improvement of benzodithiophene-dimer films for organic field-effect transistors

    K. Yamaguchi, S. Takamiya, M. Minami, Y. Doge, Y. Nishide, H. Osuga, K. Uno, Ichiro Tanaka

    Applied Physics Letters ( AIP Publishing )  93 ( 4 ) 043302 - 043302   2008年07月  [査読有り]

    DOI

  • Resonant tunneling of electrons through single self-assembled InAs quantum dot at room temperature studied with conductive AFM tip

    Ichiro Tanaka, Y. Tada, S. Nakatani, K. Uno, M. Azuma, K. Umemura, I. Kamiya, H. Sakaki

    physica status solidi (c) ( Wiley )  5 ( 9 ) 2938 - 2940   2008年07月

    DOI

  • Investigation of electric double layer and crystal shapes of electrochemically grown zinc oxide

    Kazuyuki Uno, Tadayuki Kanda, Masashi Aisu, Takayuki Asaoka, Tsutomu Ina, Ichiro Tanaka, Munenori Yamashita (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    physica status solidi (c) ( Wiley )  5 ( 9 ) 3141 - 3143   2008年07月  [査読有り]

    DOI

  • Organic Field-Effect Transistors Based on Benzodithiophene-Dimer Films

    Yamaguchi Kazuki, Nakashima Kensuke, Takamiya Shota, Minami Masafumi, Doge Yuyu, Nishide Yosuke, Osuga Hideji, Uno Kazuyuki, Nakamoto Chikanobu, Tanaka Ichiro

    Jpn J Appl Phys ( Japan Society of Applied Physics )  46 ( No. 29 ) L727 - L729   2007年07月  [査読有り]

    　概要を見る

    We fabricated organic field-effect transistors (OFETs) based on benzodithiophene (BDT)-dimer films by vacuum evaporation. The surface of the BDT-dimer films deposited on a SiO2 gate insulator was so rough that excellent FET characteristics were not obtained. However, the surface morphology of the films deposited on poly(methyl methacrylate) buffer layers was significantly improved, and dense grains of submicron size were formed. Grain size increased from the submicron scale to the micron scale by reducing growth rate from 0.035 to 0.02 nm/s. The fabricated OFETs have shown p-type FET characteristics with a carrier mobility of 0.016 cm2 V-1 s-1. More importantly, it has been demonstrated that the performance of the BDT-dimer OFET is much more stable in air than that of the pentacene OFET.

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  • Thermal annealing effects and local atomic configurations in GaInNAs thin films

    Kazuyuki Uno, Masako Yamada, Ichiro Tanaka, Osamu Ohtsuki, Toshiyuki Takizawa (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    Journal of Crystal Growth ( Elsevier BV )  278 ( 1-4 ) 214 - 218   2005年05月  [査読有り]

    DOI

  • Resonant tunneling of electrons through a single self-assembled InAs quantum dot probed via a novel overlayed quantum dot electrode

    I. Kamiya, Ichiro Tanaka, Y. Tada, M. Azuma, K. Uno, H. Sakaki

    Journal of Crystal Growth ( Elsevier BV )  278 ( 1-4 ) 98 - 102   2005年05月  [査読有り]

    DOI

  • Improved Height Measurement of Single CdSe Colloidal Quantum Dots by Contact-Mode Atomic Force Microscopy Using Carbon Nano-Tube Tips; for the Investigation of Current-Voltage Characteristics

    Tanaka Ichiro, Kajimoto Kaori, Uno Kazuyuki, Ohtsuki Osamu, Murase Tomohide, Asami Harumi, Hara Masahiko, Kamiya Itaru

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters ( 公益社団法人 応用物理学会 )  44 ( No. 7 ) L249 - L252   2005年01月  [査読有り]

    　概要を見る

    We have investigated the distribution of measured heights of single CdSe colloidal quantum dots (QDs) by contact-mode atomic force microscopy. The dot heights measured with metal-coated Si tips, with which large adhesive force is measured between the tip and sample, are much smaller than that expected from optical absorption. This discrepancy could be due to the dot position fluctuation that occurs when the tip is in contact with the dot because the height distribution of the QDs covered with very thin SiO2 layer is in agreement with the optical measurement. On the other hand, when conductive carbon nano-tube (CNT) tips are used, the adhesive force is reduced significantly, and the measured dot heights become close to the expected value. Thus, the measurement of QD height is greatly improved in accuracy with CNT tips. As a result, the current flowing through the QD can be measured, and conductance changes attributed to electron resonant tunneling through the QD are observed.

    DOI

  • Thermal Annealing Effect in GaInNAs Thin Films Estimated by Fluorescence X-Ray Absorption Fine Structure Spectroscopy

    Uno Kazuyuki, Yamada Masako, Takizawa Toshiyuki, Tanaka Ichiro (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes ( 公益社団法人 応用物理学会 )  43 ( 4B ) 1944 - 1946   2004年04月  [査読有り]

    　概要を見る

    The radiative efficiency of dilute nitride GaInNAs alloys is improved by thermal annealing. However, the band gap of these alloys is found to significantly blueshift. The structural changes of these alloys occur during thermal annealing. In this study, we studied the local atomic configuration around In atoms using fluorescence X-ray absorption fine structure spectroscopy. By comparing the radial distribution functions of as-grown and annealed GaInNAs thin films, it was found that the number of In atoms surrounding N atoms increases after thermal annealing.

    DOI

  • Conductive-tip atomic force microscopy of CdSe colloidal nanodots

    Tanaka, I, E Kawasaki, O Ohtsuki, K Uno, M Hara, H Asami, Kamiya, I

    Surface Science ( ELSEVIER SCIENCE BV )  532   801 - 805   2003年06月  [査読有り]

    　概要を見る

    Electronic properties of individual Use colloidal nanodots have been investigated by conductive-tip atomic force microscopy (AFM). Submonolayer-thick films of the colloidal nanodots were fabricated on a self-assembled monolayer of alkanethiol molecules formed on Au(111) surfaces for single dot measurements. First, we simultaneously imaged the topography and conductivity of isolated single dots by AFM operating in contact mode with a conductive tip under appropriate bias voltages. In the current image, it is found that the dot regions have higher electric resistances due to tunneling resistance through the Use dots. We found a 10-nm scale,electric inhomogeneity around the dots, which may correspond to the previously reported etch-pits of Au(111) surfaces formed during the deposition of the alkanethiol molecules. Then, current-voltage characteristics were measured with the conductive tip positioned on the single dots; large changes in the conductivity which suggest resonant tunneling through the quantized energy level in the dot were observed even at room temperature. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

    DOI

  • Conductive-tip atomic force microscopy of CdSe colloidal nanodots

    I. Tanaka, E. Kawasaki, O. Ohtsuki, K. Uno, M. Hara, H. Asami, I. Kamiya

    Surface Science ( Elsevier BV )  532-535   801 - 805   2003年06月  [査読有り]

    DOI

  • Nearest-Neighbor Configuration in (GaIn)(NAs) Probed by X-Ray Absorption Spectroscopy

    Vincenzo Lordi, Vincent Gambin, Stephan Friedrich, Tobias Funk, Toshiyuki Takizawa, Kazuyuki Uno, James S. Harris

    Physical Review Letters ( American Physical Society (APS) )  90 ( 14 ) 145505-1 - 145505-4   2003年04月  [査読有り]

    DOI

  • Structural changes on annealing of MBE grown (Ga, In)(N, As) as measured by X-ray absorption fine structure

    Vincent Gambin, Vincenzo Lordi, Wonill Ha, Mark Wistey, Toshiyuki Takizawa, Kazuyuki Uno, Stephan Friedrich, James Harris

    Journal of Crystal Growth ( Elsevier BV )  251 ( 1-4 ) 408 - 411   2003年04月  [査読有り]

    DOI

  • Current-voltage characteristics of single CdSe colloidal nanodots measured by conductive-tip atomic force microscopy

    Ichiro Tanaka, Eri Kawasaki, O. Ohtsuki, K. Uno, M. Hara, H. Asami, T. Murase, I. Kamiya

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   737   227 - 231   2003年

    　概要を見る

    We have investigated current-voltage characteristics of individual CdSe colloidal nanodots by conductive-tip atomic force microscopy (AFM). The colloidal nanodots were spun-coat and scattered on a self-assembled monolayer of thiophene molecules formed on Au (111) surfaces for single dot measurements. A thin SiO2 layer was deposited on the sample surface in order to prevent the dots being moved by the tip during measurement. We imaged the topography of isolated single dots by AFM operated in contact mode, and measured current-voltage characteristics with the conductive tip positioned on single dots
    large conductivity changes which suggest resonant tunneling through a quantized energy level in the dot was observed even at room temperature.

  • Photoluminescence and Photoluminescence Excitation Spectra of AlAs/GaAs Disordered Superlattices with Various Disordered Lengths

    Uno Kazuyuki, Noda Susumu, Sasaki Akio (担当区分： 筆頭著者 )

    Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes ( 社団法人応用物理学会 )  35 ( Part 1, No. 5A ) 2566 - 2572   1996年05月  [査読有り]

    　概要を見る

    A disordered superlattice (d-SL) is a superlattice with artificial disordering. Temperature dependence of photoluminescence (PL) and PL excitation (PLE) spectra are measured for AlAs/GaAs short-period d-SLs with various disordered lengths and are compared with those of ordered superlattices (o-SLs). X-ray satellite peaks are split and PL peak energies are red-shifted with increase of the unit length of disorder. From the PLE results, radiative recombination processes in the AlAs/GaAs d-SLs are inferred to be type-II. The d-SL with a longer unit length of disorder shows more complicated variations in the PL spectrum with changing temperature. The variations are intensified with increase of the disorder lengths. These variations indicate that the localized strength which corresponds to the disorder length is different among the states induced by disordering. The dominant radiative recombination states at higher temperature would correspond to stronger localized states in the d-SLs.

    DOI

  • Photoluminescence properties of disordered superlattices with fixed GaAs or AlAs layer thickness

    Kazuyuki Uno, Susumu Noda, Akio Sasaki (担当区分： 筆頭著者 )

    Materials Science and Engineering: B ( Elsevier BV )  35 ( 1-3 ) 406 - 409   1995年12月  [査読有り]

    DOI

  • Photoluminescence thermal‐quenching and carrier localization of AlGaAs disordered superlattices

    Kazuyuki Uno, Susumu Noda, Akio Sasaki (担当区分： 筆頭著者 )

    Journal of Applied Physics ( AIP Publishing )  77 ( 9 ) 4693 - 4700   1995年05月  [査読有り]

    DOI

  • Temperature dependence of photoluminescence properties of AlAs/AlxGa1-xAs and AlyGa1-yAs/GaAs disordered superlattices

    Kazuyuki Uno, Kotaro Hirano, Susumu Noda, Akio Sasaki (担当区分： 筆頭著者 )

    Inst. Phys. Conf. Ser.   129   241 - 246   1993年01月  [査読有り]

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書籍等出版物

  • 半導体用語大辞典

    半導体用語大辞典編集委員会

    日刊工業新聞社  1999年03月  ISBN: 4526043419

Works

  • IRCA (Internet Relay Chat Adapter)

    宇野和行 

    1993年
     ソフトウェア

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    英語にしか対応していないIRCクライアントソフトで日本語を扱えるようにするディスパッチャとしてフリーウェア公開した。

  • IRCW (Internet Relay Chat for Windows)

    宇野和行 

    1993年
     ソフトウェア

    　概要を見る

    世界初のWindows版日本語対応IRCクライアントソフト。フリーウェアとして発表した。

受賞（研究活動に関するもの）

  • システム工学部論文賞

    受賞者：  宇野和行

    2022年10月   和歌山大学システム工学部  

  • グッドレクチャー賞（電磁気学Ｉ）

    受賞者：  宇野和行

    2021年09月   和歌山大学システム工学部  

  • システム工学部論文賞

    受賞者：  宇野和行

    2020年10月   和歌山大学システム工学部  

講演・口頭発表等

  • ミストCVD法における錯体化学と表面化学反応に基づく酸化物半導体の薄膜結晶成長

    宇野和行  [招待有り]

    第11回工学研究シーズ合同発表会  2024年12月13日   (和歌山城ホール大会議室)  和歌山大学システム工学部

  • 13族アセチルアセトナート錯体の第一原理計算による構造解析とミストCVD成長

    宇野和行

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会2024年度第2回研究会  2024年11月16日   (京都府京都市西京区京都大学桂)  日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会

  • 水晶基板上に成長したアモルファス酸化ガリウム薄膜とその光導電特性

    尾友 響, 田中 一成, 宇野 和行

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会, 24p-P16-6  2024年03月24日   (東京都市大学世田谷キャンパス)  応用物理学会

  • ミストCVD法によるc, a, m, n, r面サファイア基板上へのα型酸化ガリウム薄膜高温成長

    田村 大翔, 宇野 和行

    2023年第70回応用物理学会春季学術講演会, 23p-31A-7  2024年03月23日   (東京都市大学世田谷キャンパス)  応用物理学会

  • アモルファス酸化ガリウムの成長と光導電特性

    尾友 響, 宇野 和行

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門2023年度第3回研究会  2024年01月20日   (鳥取大学)  日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会

  • 深紫外線を高感度に検出するα型酸化ガリウム光半導体デバイス

    宇野和行

    第3回Challenge万博『いのち輝く未来社会』  2023年11月22日   (三井住友銀行東館ライジングスクェア)  関西イノベーションイニシアチブ

  • さまざまな面方位上にミストCVD成長したα型酸化ガリウムの初期成長過程

    田村大翔, 宇野和行

    第42回電子材料シンポジウム, Th1-6  2023年10月11日   (THE KASHIHARA, 奈良県橿原市) 

  • ミストCVD法でc面およびa面基板上に成長したα型酸化ガリウムの光導電特性

    山岡敬嗣, 宇野和行

    第42回電子材料シンポジウム, We2-3  2023年10月10日   (THE KASHIHARA, 奈良県橿原市) 

  • ミスト CVD 法による石英基板上アモルファス酸化ガリウムの成長

    宇野和行

    第42回電子材料シンポジウム, We1-6  2023年10月10日   (THE KASHIHARA, 奈良県橿原市) 

  • ソーラーブラインド光の高感度検出による水中での光通信や物体検知

    宇野和行

    MOBIO産学連携オフィス テーマ別合同シーズ発表会－デジタル技術編－  2023年10月03日   (クリエイション・コア東大阪)  大阪府、（公財）大阪産業局

  • ミストCVD法におけるα型酸化ガリウムの初期成長過程の検討

    田村大翔, 宇野和行

    第84回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-P09-17  2023年09月21日   (熊本県熊本市熊本城ホール)  応用物理学会

  • 石英基板上にミストCVD法を用いて成長したアモルファス酸化ガリウム薄膜

    宇野和行

    第84回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-A302-11  2023年09月19日   (熊本県熊本市熊本城ホール)  応用物理学会

  • ミストCVD法を用いた高品質な酸化物半導体の作製技術

    宇野和行

    大学見本市2023～イノベーション・ジャパン～ C-51  2023年08月23日   (東京ビッグサイト 南展示棟 南１ホール（東京都江東区有明3-11-1）)  国立研究開発法人科学技術振興機構

  • a面サファイア基板上にミストCVD成長した酸化ガリウム薄膜の光導電特性

    山岡敬嗣, 宇野和行

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門2023年度第1回研究会、講演番号５  2023年07月29日   (大阪市浪速区敷津東2-1-41 大阪公立大学 I-siteなんば)  日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会

  • 各種面方位サファイア基板上におけるα型酸化ガリウムのミストCVD初期成長過程の検討

    田村大翔, 宇野和行

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門2023年度第1回研究会、講演番号４  2023年07月29日   (大阪市浪速区敷津東2-1-41 大阪公立大学 I-siteなんば)  日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会

  • Photoconducting properties of α-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> thin films grown on an a-plane sapphire substrate by mist chemical vapor deposition

    Kazuyuki Uno, Keishi Yamaoka

    Compound Semiconductor Week 2023, FrE2-4  2023年06月02日   (Ramada Plaza Hotel, Jeju) 

  • Growth of Amorphous Ga2O3 on Quartz Substrates by Mist Chemical Vapor Deposition

    Kazuyuki Uno

    International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2024), MoP_33  2023年05月27日   (Palais and Kesselhaus am Kulturbrauerei, Berlin) 

  • アセチルアセトナート化した亜鉛原料⽔溶液を⽤いたa⾯サファイア基板上酸化亜鉛薄膜のミストCVD成⻑

    宇野和行, 西岡恵

    2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、17a-PB01-8  2023年03月17日   (上智大学四谷キャンパス)  応用物理学会

  • a⾯サファイア基板上にミストCVD成⻑した酸化ガリウム薄膜によるMSM型光検出器の基本特性

    山岡敬嗣, 宇野和行

    2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、17a-PB01-24  2023年03月17日   (上智大学四谷キャンパス)  応用物理学会

  • アセチルアセトナート化した亜鉛水溶液によるa面サファイア基板上酸化亜鉛の結晶成長

    西岡恵, 宇野和行

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門2022年度第2回研究会  2022年11月19日   (京都大学桂キャンパス)  日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会

  • Structural fluctuation in twist direction of α-(AlGa)2O3 thin films grown on c- and a-sapphire substrates by mist chemical vapor deposition (Pos 1-21)

    Kazuyuki Uno, Hiroto Tamura, Marika Ohta

    The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials  2022年10月24日  

  • アセチルアセトナート化した原料水溶液を用いたα 型(AlGa)2O3 混晶とα 型Ga2O3 薄膜のミストCVD成長

    宇野和行, 田村大翔, 太田茉莉香

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会(20p-B203-21)  2022年09月20日   (東北大学川内キャンパス)  応用物理学会

    　概要を見る

    講演番号20p-B203-21

  • Characterization of semi-stable α-Ga2O3 thin films grown at various temperatures by mist chemical vapor deposition

    Kazuyuki Uno, Marika Ohta

    Compound Semiconductor Week 2022  2022年06月03日   (University of Michigan, Ann Arbor, MI) 

  • p型α-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>の実現に向けたコランダム構造酸化物の第一原理計算による検討

    逸見篤人, 宇野和行

    2022年第69回応用物理学会春季学術講演会(26p-E202-7)  2022年03月26日   (青山学院大学相模原キャンパス＋オンライン)  応用物理学会

  • ミストCVD法における原料水溶液の錯化とα型酸化ガリウムの高温成長

    太田茉莉香, 宇野和行

    2021年応用物理学会秋季講演会  2021年09月12日   (オンライン（名城大学）)  応用物理学会

  • ミストCVD法によるヘマタイト薄膜の成長

    礒嶋日和, 宇野和行

    2021年電気化学秋季大会  2021年09月08日   (オンライン（北海道大学）)  電気化学会

  • Composition Control of Alpha-AlGaO Alloy Thin Films In Mist CVD

    Marika Ohta, Kazuyuki Uno

    Compound Semiconductor Week 2021  2021年05月12日  

  • 配位子交換によりエネルギー準位を制御したPbSコロイダルナノドットを電荷蓄積層に用いたペンタセンメモリトランジスタ

    井原 聖矢, 宇野 和行, 田中 一郎

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年03月18日  

  • ミストCVD成長におけるα型AlGaO混晶組成制御とAl原子の再脱離

    太田 茉莉香, 田中 一郎, 宇野 和行

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年03月17日  

  • ミストCVD法によるα型AlGaO混晶成長とAl原子の再脱離

    太田 茉莉香, 田中 一郎, 宇野 和行

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 令和2年度第3回研究会  2021年01月23日  

  • Alイオン錯化時間とミストCVD法によるAlGaO混晶成長

    太田 茉莉香, 宇野 和行, 田中 一郎

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 令和2年度第2回研究会  2020年11月14日  

  • Mist CVD法を用いたα-(AlGa)2O3混晶成長におけるアセチルアセトナート錯化の影響

    太田 茉莉香, 宇野 和行, 田中 一郎

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年09月09日  

  • アセチルアセトナート化した原料水溶液によるα型酸化ガリウム薄膜のミストCVD成長

    宇野 和行, 太田 茉莉香, 田中 一郎

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月13日  

  • 多様な安定相の熱的安定性 : (AlxGa1-x)2O3 を例に

    神野 莉衣奈, 宇野 和行, 金子 健太郎, 藤田 静雄

    第67回応用物理学会学術講演会, 12a-A301-5  2020年03月12日  

  • PbSコロイダルナノドットをフローティングゲートに用いた有機メモリトランジスタの配位子交換による特性改善

    井原 聖矢, 宇野 和行, 田中 一郎

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月  

  • エンチオール反応により紫外線重合させた有機薄膜トランジスタ用ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜

    山根 健一郎,, 中上 智章, 中原 佳夫, 宇野 和行, 田中 一郎

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月  

  • 2C6-BDT-dimerを用いた有機薄膜トランジスタのフローコート法による作製

    石井 洸一, 大須賀 秀次, 宇野 和行, 田中 一郎

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 2019年度第1回講演会・見学会  2020年01月  

  • ナフタレンジイミド系材料を用いたn型有機薄膜トランジスタ

    田村 明日香, 友國 里香, 大須賀 秀次, 宇野 和行, 田中 一郎

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 2019年度第1回講演会・見学会  2020年01月  

  • Growth Control of α-Ga2O3 Thin Films using Chloride-Based Gallium Source Solutions in Mist Chemical Vapor Deposition

    Kazuyuki Uno, Kazutoshi Matsumoto, Ichiro Tanaka

    The 9th Asia-Pasific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)  2019年11月14日  

  • ナフタレンジイミド系材料を用いたn型有機薄膜トランジスタの閾値電圧低減

    田村明日香, 友國里香, 大須賀秀次, 宇野和行, 田中一郎

    薄膜材料デバイス研究会第16回研究集会  2019年11月  

  • エンチオール反応により紫外線重合させたポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜を用いたペンタセン薄膜トランジスタ

    山根 健一郎, 中上 智章, 岡田 秀一, 中原 佳夫, 宇野 和行, 田中 一郎

    薄膜材料デバイス研究会第16回研究集会  2019年11月  

  • 塩化物系ガリウム希薄水溶液によるα 型酸化ガリウム薄膜のミストCVD 成長(II)

    宇野和行, 松本一寿, 田中一郎

    第80 回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月21日  

  • 有機トランジスタ用ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜における紫外線重合開始剤の検討

    秦野 航輔,, 中原 佳夫,, 宇野 和行, 田中 一郎

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 2019年度第1回研究会  2019年07月  

  • Field-effect transistors based on ligand-removed PbS nano-dot films treated with ammonium sulfide solution

    Yumi Takeichi,, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    The 10th Internatinal Conference on Molecular Electronics and BioElectronics  2019年06月  

  • Investigation of photo-initiators for ultra-violet light cured polysilsesquioxane gate dielectric layers of organic thin-film transistors

    Kosuke Hatano, Yoshio Nakahara, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    The 10th Internatinal Conference on Molecular Electronics and BioElectronics  2019年06月  

  • First Principles Study on Electronic Structures of α-Ga2O3 and α-Ir2O2

    Kazuyuki Uno, Taichi Nakamura, Ichiro Tanaka

    Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019)  2019年05月21日  

  • コランダム構造を有する酸化物半導体の第一原理計算による評価

    宇野和行, 中村太紀, 田中一郎

    第66 回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月11日  

  • 2C4-BDT-dimerを用いた有機薄膜トランジスタにおける基板加熱フローコート法の改善

    森 慎吾, 大須賀 秀次, 宇野 和行, 田中 一郎

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月  

  • 有機薄膜トランジスタ用ポリシルセスキオサンゲート絶縁膜の光重合開始剤検討

    秦野 航輔, 中原 佳夫, 宇野 和行, 田中 一郎

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月  

  • 遮光板を用いた基板加熱フローコート法により成膜した2C4-BDT-dimerを用いた有機薄膜トランジスタ

    森 慎吾, 大須賀 秀次, 宇野 和行, 田中 一郎

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成30年度第1回講演会・見学会  2019年02月  

  • 基板加熱フローコート法により成膜した2C4-BDT-dimer薄膜を用いた 有機薄膜トランジスタ

    森 慎吾, 大須賀 秀次, 宇野 和行, 田中 一郎

    薄膜材料デバイス研究会第15回研究集会  2018年11月  

  • 硫化アンモニウム処理したPbSコロイダルナノドット薄膜を用いた電界効果トランジスタにおける作製プロセスの検討

    竹市 祐実, 宇野 和行, 田中 一郎

    薄膜材料デバイス研究会第15回研究集会  2018年11月  

  • Photoconduvtive properties of α-Ga2O3 MSM devices

    K. Uno, C. Umemura, S. Nakamura, I. Tanaka

    37th Electronic Materials Symposium (EMS37)  2018年10月10日  

  • 塩化物系ガリウム希薄水溶液によるα 型酸化ガリウム薄膜のミストCVD 成長

    松本一寿, 中村幸, 田中一郎, 宇野和行

    第79 回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月19日  

  • α-Ga2O3 薄膜を用いた紫外線検出器とその２光子吸収特性

    宇野和行, 梅村千里, 中村幸, 田中一郎

    第79 回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月19日  

  • 硫化アンモニウム処理したPbSコロイダルナノドット薄膜を用いた電界効果トランジスタにおける光照射効果

    竹市 祐実, 宇野 和行, 田中 一郎

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月  

  • Photoconductivity of α-Ga2O3 Thin Films for Solar Blind Photodetectors

    Kazuyuki Uno, Chisato Umemura, Kazuyoshi Matsumoto, Sachi Nakamura, Ichiro Tanaka

    International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)  2018年06月04日  

  • PbSコロイダルナノドット薄膜を用いた電界効果トランジスタの硫化アンモニウム処理条件の検討

    竹市 祐実, 宇野 和行, 田中 一郎

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年03月  

  • カーボンフリー酸化ガリウム薄膜のミストCVD 成長

    宇野和行

    新技術説明会  2018年01月16日   科学技術振興機構

  • エステル基を含まない低分子架橋剤を用いて紫外線重合した有機薄膜トランジスタ用PSQゲート絶縁膜

    岡田 秀一, 中原 佳夫, 宇野 和行, 田中 一郎

    平成29年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会  2018年01月  

  • Growth of α-Ga2O3 by mist CVD using carbon-free sources

    Sachi Nakamura, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    36th Electronic Materials Symposium (EMS-36)  2017年11月08日  

  • 硫化アンモニウム処理したPbS コロイダルナノドット薄膜を用いた電界効果トランジスタ

    竹市祐実, 三谷展弘, 宇野和行, 田中一郎

    薄膜材料デバイス研究会第14 回研究集会  2017年10月20日  

  • 「硫化アンモニウム処理したPbS コロイダルナノドット薄膜を用いた電界効果トランジスタ

    竹市祐実, 三谷展弘, 宇野和行, 田中一郎

    第78 回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月08日  

  • 硫化アンモニウム処理したPbS コロイダルナノドット薄膜を用いた電界効果トランジスタ

    竹市祐実, 三谷展弘, 宇野和行, 田中一郎

    第78 回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月08日  

  • ミストCVD 法によるSnOx 薄膜の成長と酸化数制御

    中村幸, 宇野和行, 田中一郎

    第78 回応用物理 学会秋季学術講演会  2017年09月08日  

  • ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の紫外線重合用低分子架教材の検討

    岡田秀一, 中原佳夫, 宇野和行, 田中一郎

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月  

  • ブチル基で修飾したベンゾジチオフェンダイマーを用いた有機薄膜トランジスタのフローコート法による作製

    森 慎吾, 福村光平, 大須賀秀次, 宇野和行, 田中一郎

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月  

  • Photoluminescence Emissions from Exciton and Defects in CdS Grown by Mist Chemical Vapor Deposition

    Kazuyuki Uno, Yuuka Takimoto, Ichiro Tanaka

    29th International Conference on Defects in Semiconductor (ICDS2017)  2017年08月03日  

  • ミストCVD 法による酸化スズ薄膜の成長

    中村幸, 宇野和行, 田中一郎

    日本材料学会半導体エレク トロニクス部門委員会  2017年07月15日  

  • ミストCVD 法によるCdS 薄膜の成長

    宇野和行, 瀧本悠華, 田中一郎

    第64回応用物理学会春季 学術講演会  2017年03月17日  

  • ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の表面平坦化によるペンタセン薄膜トランジスタのキャリア移 動度向上

    道浦大祐, 中原佳夫, 宇野和行, 田中一郎

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年03月15日  

  • 溶液プロセス可能なベンゾジチオフェンダイマー誘導体を用いた有機薄膜トランジスタ

    廣田 武士, 大須賀 秀次, 宇野 和行, 田中 一郎

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年03月  

  • コロイダルナノドット単粒子膜を用いた有機メモリトランジスタの特性に対するドットサイズの影響

    中野 史掘, 宇野 和行, 田中 一郎

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年03月  

  • ヘキシル基で修飾したベンゾジチオフェンダイマーを用いた有機薄膜トランジスタ

    廣田武士, 十朱 仁, 大須賀秀次, 宇野和行, 田中一郎

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成28年度第1回講演会・見学会  2017年01月  

  • Organic thin film transistors based on solution processed films of benzodithiophenedimers modified with hexyl groups

    Takeshi Hirota, Hitoshi Toake, Hideji Osuga, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    The 12th International Conference on Nao-Molecular Electronocs (ICNME2016)  2016年12月15日  

  • 紫外線重合したポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜を用いたペンタセン薄膜トランジスタにおける低分子架橋剤のキャリア移動度に対する影響

    岡田秀一, 中原佳夫, 宇野和行, 田中一郎

    平成28年度日本材料学会半導体エレクトロニクス部門・ナノ材料部門委員会 合同研究会  2016年11月  

  • 配位子除去をした半導体コロイダルナノドット単粒子膜をフローティングゲートに用いたペンタセンメモリトランジスタ

    中野史掘, 宇野和行, 田中一郎

    薄膜材料デバイス研究会第13回研究集会  2016年10月  

  • ミストCVD 法によるGaP 基板上ZnS の結晶成長

    浅野康幸, 宇野和行, 田中一郎

    第77回応用物理 学会秋季学術講演会  2016年09月14日  

  • 紫外線重合したポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜を用いたペンタセン薄膜トランジスタのキャリア移動度に対する低分子架橋剤の影響

    岡田秀一, 中原佳夫, 宇野和行, 田中一郎

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月  

  • Temperature Dependence of Photoluminescence Properties of ZnS Grown by mist CVD

    Kazuyuki Uno, Yasuyuki Asano, Yuichiro Yamasaki, Ichiro Tanaka

    The 35th Electronic Materials Symposium (EMS35)  2016年07月06日  

  • Temperature Dependence of Photoluminescence Properties of Zinc Sulfide Grown from Aqueous Solutions by Mist Chemical Vapor Deposition

    Kazuyuki Uno, Yasuyuki Asano, Yuichiro Yamasaki, Ichiro Tanaka

    The 43th Internatinal Symposium on Compound Semiconductor (ISCS2016)  2016年06月27日  

  • Pentacene Memory Transistors Using Monolayer of Ligand-removed Semiconductor Colloidal Nano-dots as a Floating Gate

    Fumihoru Nakano, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    The 43th Internatinal Symposium on Compound Semiconductor (ISCS2016)  2016年06月27日  

  • Thermal quenching propertyes of photoluminescence in ZnS grown by mist chemicall vapour deposition

    Kazuyuki Uno, Yasuyuki Asano, Yuichiro Yamasaki, Ichiro Tanaka

    The 15th International Symposium on Science and Technology of Lighting (LS15)  2016年05月25日  

  • ミストCVD法を用いて作製したZnS薄膜の光学特性評価

    浅野康幸, 宇野和行, 山崎佑一郎, 田中一郎

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月21日  

  • ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の表面処理によるペンタセン薄膜トランジスタのキャリア移動度向上

    道浦大祐, 中原佳夫, 宇野和行, 田中一郎

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月19日  

  • コロイダルナノドット単粒子膜をフローティングゲート層に用いた有機メモリトランジスタ

    中野史掘, 阪川秀紀, 宇野和行, 田中一郎

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月  

  • ベンゾゾチオフェン誘導体を用いた有機薄膜トランジスタ

    山下真由子, 福村光平, 後藤芙美子, 大須賀秀次, 宇野和行, 田中一郎

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月  

  • ベンゾジチオフェン系薄膜の成膜性改善と有機薄膜トランジスタの作製

    山下真由子, 福村光平, 前田恵, 後藤芙美子, 大須賀秀次, 宇野和行, 田中一郎

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成27年度第1回講演会・見学会  2016年01月30日  

  • ミストCVD法で作製した硫化亜鉛薄膜のフォトルミネッセンス特性

    浅野康幸, 宇野和行, 山崎佑一郎, 田中一郎

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成27年度第1回講演会・見学会  2016年01月30日  

  • ポリシルセスキオキサンをゲート絶縁膜に用いたフレキシブルなペンタセントランジスタの評価

    八木一樹, 中原佳夫, 宇野和行, 田中一郎

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成27年度第2回研究会  2015年11月21日  

  • Lattice and Electronic Structure Evaluations of Cu Doped beta Gallium Oxide by ab-initio Calculation

    Kazuyuki Uno, Sachi Nakamura, Ichiro Tanaka

    The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-1)  2015年11月04日  

  • Chemical and Physical Growth Mechanisms of Zinc Sulfide and Zinc Oxide Thin Films Grown by Mist Chemical Vapor Deposition

    Kazuyuki Uno, Yuichiro Yamasaki, Ping Gu, Ichiro Tanaka

    The 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2015)  2015年09月14日  

  • ポリシルセスキオキサンをゲート絶縁膜に用いたフレキシブルなペンタセントランジスタ

    八木一樹, 中原佳夫, 宇野和行, 田中一郎

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月13日  

  • ミストCVD法による酸化亜鉛と硫化亜鉛の成長機構

    宇野和行, 山崎佑一郎, 田中一郎

    第3 回和歌山大・徳島大合同光・ナノテクノロジー研究会  2015年08月07日  

  • ポリシルセスキオキサンを用いた有機薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜

    田中一郎, 芝尾秀人, 松田 悠, 中原佳夫, 宇野和行

    第３回和歌山大・徳島大合同 光・ナノテクノロジー研究会  2015年08月  

  • Growth mechanisms of ZnS and ZnO thin films by mist CVD

    Kazuyuki Uno, Yuichiro Yamasaki, Ping Gu, Ichiro Tanaka

    The 34th Electronic Materials Symposium (EMS34)  2015年07月16日  

  • 紫外線重合したポリシルセスキオキサンをゲート絶縁膜に用いた有機薄膜トランジスタ

    道浦大祐, 中原佳夫, 宇野和行, 田中一郎

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成27年度第1回研究会  2015年07月11日  

  • Writing characteristics of organic memory transistors with embedded monolayer of semiconductor colloidal nano-dots

    Fumihoru Nakano, Hideki Sakagawa, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-17)  2015年07月  

  • 紫外線重合したポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜を用いたペンタセン薄膜トランジスタ

    芝尾秀人, 中原佳夫, 宇野和行, 田中一郎

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月  

  • ベンゾジチオフェンダイマー系材料を用いた有機薄膜トランジスタの作製

    山下真由子, 福村光平, 前田恵, 後藤芙美子, 大須賀秀次, 宇野和行, 田中一郎

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成26年度第1回講演会・見学会  2015年01月  

  • High-mobility 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene transistors using solutionprocessed polysilsesquioxane gate dielectric layers

    Yu Matsuda, Yoshio Nakahara, Daisuke Michiura, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    11th International Conference on Nano-Molecular Electronics (ICNME2014)  2014年12月18日  

  • Investigation of ultraviolet light curable polysilsesquioxane gate dielectric layers for pentacene thin film transistors

    Hideto Shibao, Yoshio Nakahara, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    11th International Conference on Nano-Molecular Electronics (ICNME2014)  2014年12月18日  

  • ポリシルセスキオキサンをゲート絶縁膜に用いた高キャリア移動度TIPS-pentaceneトランジスタ

    松田悠, 中原佳夫, 道浦大祐, 宇野和行, 田中一郎

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成26年度第2回研究会  2014年11月  

  • ポリシルセスキオキサンをゲート絶縁膜に用いたTIPS-pentaceneトランジスタの作製

    松田悠, 中原佳夫, 道浦大祐, 宇野和行, 田中一郎

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月  

  • Growth of Zinc Oxide on Pyrolytic Graphite Sheet by Mist Chemical Vapor Deposition

    Shunsuke Kake, Kazuyuki Uno, Ikuhiro Furotani, Yuichiro Yamazaki, Ichiro Tanaka

    The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2013)  2013年09月10日  

  • Growth of ZnO Films on n-GaN Using Photoassisted Electrodeposition

    Kazuyuki Uno, Mitsuteru Sainokami, Junpei Ikegami, Ichiro Tanaka

    The 40th Interenational Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)  2013年05月21日  

  • Organic Field-effect Transistors Fabricated by Solution Process Using TMTSF-TCNQ Complex Crystals Grown at Various Temperatures

    Takuya Nawata, Hideo Yamakado, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    The 40th Interenational Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)  2013年05月20日  

  • ZnO thick film growth on GaN substrate using photo-assisted electrochemical deposition

    Kazuyuki Uno, Yasuhiro Tauchi, Ichiro Tanaka

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)  2012年10月18日  

  • Growth of pentacene crystallinity control layers for high mobility organic field-effect transistors based on benzodithiphene-dimer films

    T. Sakai, K. Shibamoto, Y. Matsumoto, H.Osuga, K. Uno, Ichiro Tanaka

    The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)  2012年09月24日  

  • Organic memory transistors using embedded monolayer of semiconductor colloidal nanodots as a floating gate

    Kaori Kajimito, D. Matsui, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    The 2012 International Conference on Flexible and Printed Electronics (ICFPE2012)  2012年09月07日  

  • Selective growth of zinc oxide on submicron lines & spaces patterns of photoresist by electrochemical deposition

    Kazuyuki Uno, Yosuke Nakatsuji, Ichiro Tanaka

    The 5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)  2011年05月22日  

  • Epitaxial electrochemical-deposition of ZnO on graphite and p-GaN substrates

    Kazuyuki Uno, Yoshinori Ishii, Ichiro Tanaka

    The 52nd Annual Forum Electronic Materials Conference (EMC2010)  2010年06月24日  

  • Electrochemical Deposition of Zinc Oxide on Graphite Substrate and Graphite Sheet

    K. Uno, Y. Ishii, H. Manabe, K. Takamatsu, I. Tanaka

    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010)  2010年06月03日  

  • Pentacene Memory Transistors Using Monolayer of Semiconductgor Colloidal Nano-Dots

    K. Kajimoto, T. Minami, K. Uno, I. Tanaka

    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010)  2010年06月01日  

  • Memory effect of pentacene field-effect transistors with embedded monolayer of semiconductor colloidal nano-dots

    Kaori Kajimoto, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS14)  2009年07月23日  

  • Resonant tunneling of electrons through single self-assembled InAs quantum dot studied by conductive atomic force microscopy

    Ichiro Tanaka, Y. Tada, S. Nakatani, K. Uno, I.Kamiya, H. Sakaki

    The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS14)  2009年07月23日  

  • Memory Effect of Organic Field-Effect Transistors with Embedded Monolayer of Semiconductor Colloidal Quantum Dots

    Kaori Kajimoto, Masahumi Minami, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    The IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC2008)  2008年10月21日  

  • Electrochemical-Selective Growth of Nano-Sized ZnO Crystals

    Kazuyuki Uno, Tsutomu Ina, Takayuki Asaoka, Tadayuki Kanda, Yoshinori Ishii, Ichiro Tanaka

    The IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC2008)  2008年10月21日  

  • Current-Voltage Characteristics of GaAs Nano-Schottky Diodes Using InAs Self-Assembled Quantum Dots as Nano-Electrodes; Dependence on Doping Concentration

    Ichiro Tanaka, S. Nakatani, K. Uno, I. Kamiya, H. Sakaki

    The IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC2008)  2008年10月20日  

  • Expansion Ratio Dependence of E2 Mode Vibration of GaN Lattices using ab initio Molecular Dynamics Calculations

    Kazuyuki UNO, Takuki INOUE, Ichiro TANAKA, Toshiyuki TAKIZAWA

    2008 Japan-Korea Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments (ASPE2008)  2008年10月10日  

  • Expansion ratio dependence of lattice vibration of GaN using ab initio molecular dynamics calculations

    Kazuyuki Uno, Takuki Inoue, Toshiyuki Takizawa, Ichiro Tanaka

    The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)  2008年07月06日  

  • Investigation of Electric Double Layer and Crystal Shapes of Electrochemically Growtn Zinc Oxide

    Kazuyuki Uno, Naoyuki Kanda, Masashi Aisu, Takayuki Asaoka, Tsutomu Ina, Ichiro Tanaka, Munenori Yamashita

    The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)  2007年10月18日  

  • Resonant Tunneling of Electrons through Single Self-Assembled InAs Quantum Dot at Room Temperature Studied with Conductive AFM Tip

    I. Tanaka, Y. Tada, S. Nakatani, K. Uno, M. Azuma, K. Umemura, I. Kamiya, H. Sakaki

    The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)  2007年10月15日  

  • Prediction of Transition Composition Ratio of ZnO Related Alloys

    Kazuyuki Uno, Megumi Nagao, Tadayuki Kanda, Ichiro Tanaka

    2007 Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments  2007年10月05日  

  • Organic Field-Effect Transistors based on Benzodithiophene-Dimer Films

    K. Yamaguchi, K. Nakashima, S. Takamiya, M. Minami, Y. Doge, Y. Nishoide, H. Osuga, K. Uno, I. Tanaka, C. Nakamoto

    4th International Conference on Molecular and Bio-electronics(M&BE4)  2007年05月14日  

  • Conductive probe AFM investigation on monolayer films of colloidal CdSe quantum dots

    Itaru Kamiya, Ichiro Tanaka, Risa Wada, Masayo Arimoto, Kazuyuki Uno, Tomohiro Hayashi, Masahiko Hara

    2006 American Physical Society March Meeting  2006年03月13日  

  • Thermal Annealing Effect and Local Atomic Configurations in GaInNAsSb Alloys

    Kazuyuki Uno, Masahiro Takewa, Kazuya Sakai, Ichiro Tanaka, Homan B.Yuen, Seth, R.Bank, Mark A Wistey, James S.Harris

    2005 Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments (ASPE2005)  2005年10月14日  

  • Thermal Annealing Effect and Local Atomic Configurations in GaInNAs Alloys

    Kazuyuki Uno, Masako Yamada, Ichiro Tanaka, Tomoya Uruga

    2004 Japan-Korea Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments  2004年11月19日  

  • Resonant tunneling of electrons through a single self-assembled InAs quantum dot probed via a novel overlaid quantum dot electrode

    Itaru Kamiya, Ichiro Tanaka, Yoshinobu Tada, Masakzu Azuma, Kazuyuki Uno, Hiroyuki Sakaki

    International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2004)  2004年08月25日  

  • Thernal Annealing Effects and Local Atomic Configurations in GaInNAs Thin Films

    Kazuyuki UNO, Masako YAMADA, Toshiyuki TAKIZAWA, Ichiro TANAKA

    International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2004)  2004年08月24日  

  • Current-voltage Characteristics of Single CdSe Colloidal Nano-dots Measured with a Conductive Carbon Nano-tube Tip

    Ichiro TANAKA, K.Kajimoto, K.Uno, O.Ohtsuki, T.Murase, H.Asami, M.Hara, I.Kamiya

    8th International Conference on Nanometer-Scale Science and Technology  2004年06月28日  

  • Thermal Annealing Effects and Local Atomic Configurations in GaInNAs Thin Films by Fluorescence X-Ray Absorption Fine Structure Spectroscopy

    Kazuyuki Uno, Masako Yamada, Toshiyuki Takizawa, Ichiro Tanaka

    46TH ELECTRONIC MATERIALS CONFERENCE,  2004年06月24日  

  • Current-voltage Characteristics of Single CdSe Colloidal Nanodots Measured by Conductive-tip Atomic Force Microscopy

    Ichiro Tanaka, Eri Kawasaki, Osamu Ohtsuki, Kazuyuki Uno, Masahiko Hara, Harumi Asami, Tomohide Murase, Itaru Kamiya

    Material Research Society 2003  2003年12月01日  

  • Thermal Annealing Effect in GaInNAs Thin Films Estimated by X-ray Absorption Fine Structure Spectroscopy

    Kazuyuki Uno, Masako Yamada, Toshiyuki Takizawa, Ichiro Tanaka

    2003 International Conference on Solid State Device and Materials  2003年09月17日  

  • Photoluminescence properties of AlAs/GaAs disordered superlattice with fixed GaAs layer thickness

    Kazuyuki Uno, Susumu Noda, Akio Sasaki

    The First International Conference on Low Dimensinal Structure & Devices  1995年08月09日  

  • Carrier Localization and Photoluminescent Thermal Quenching of AlGaAs Disordered Superlattices

    Kazuyuki Uno, Susumu Noda, Akio Sasaki

    Electronic Materials Conference (EMC1994)  1994年06月23日  

  • “Temperature Dependence of Photoluminescence Properties of AlAs/AlGaAs and AlGaAs/- GaAs Disordered Superlattices

    Kazuyuki Uno, Kotaro Hirano, Susumu Noda, Akio Sasaki

    International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds  1992年09月30日  

  • Luminescence Properties of AlxGa1−xAs/AlyAl1−yAs(x > y) Disordered Superlattices

    A.Sasaki, K.Uno, K.Hirano, S.Noda

    Electronic Materials Conference (EMC1992)  1992年06月24日  

  • Luminescence Properties of Disordered Superlattices

    Akio Sasaki, Kazuyuki Uno, Susumu Noda

    International Symposium on Science and Technology of Mesoscopic Structures  1991年11月06日  

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特許

  • 成膜方法及び成膜装置

    特許番号： 特許第7436333号

    登録日： 2024年02月13日 

    出願日： 2020年09月04日 （ 特願2020-148776 ）   公開日： 2022年03月16日 （ 特開2022-43480 ）  

    発明者： 宇野和行、渡部武紀、橋上洋、坂爪崇寛 

  • 酸化ガリウム半導体膜及び原料溶液

    特許番号： 特許第7432904

    登録日： 2024年02月08日 

    出願日： 2019年04月12日 （ 特願2022-179004 ）   公開日： 2022年11月08日 （ 特開2023-15226 ）  

    発明者： 宇野和行、渡部武紀、橋上洋、松本一寿  出願人： 国立大学法人和歌山大学、信越化学工業株式会社

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    特願2019-76229の分割出願

  • 結晶性酸化物膜

    特許番号： 特許第7306640号

    登録日： 2023年07月03日 

    出願日： 2019年08月28日 （ 特願2022-033298 ）  

    発明者： 渡部武紀、橋上　洋、坂爪崇寛、宇野和行  出願人： 国立大学法人和歌山大学、信越化学工業株式会社

  • 金属膜形成方法

    特許番号： 特許第7261410号

    登録日： 2023年04月12日 

    出願日： 2019年09月02日 （ 特願2019-159947 ）   公開日： 2021年03月11日 （ 特開2021-38428 ）  

    発明者： 渡部武紀、橋上　洋、坂爪崇寛、宇野和行  出願人： 国立大学法人和歌山大学、信越化学工業株式会社

  • 酸化ガリウム半導体膜の製造方法

    特許番号： 特願7179294号

    登録日： 2022年11月18日 

    出願日： 2019年04月12日 （ 特願2019-76229 ）   公開日： 2020年10月22日 （ 特開2020-174153 ）  

    発明者： 渡部武紀、橋上　洋、松本一寿、宇野和行  出願人： 信越化学工業株式会社、和歌山大学

  • 酸化ガリウム半導体膜の製造方法

    特許番号： 特許第7179294号

    登録日： 2022年11月18日 

    出願日： 2019年04月12日 （ 特願2019-76229 ）   公開日： 2020年10月22日 （ 特開2020-174153 ）  

    発明者： 宇野和行、松本一寿、渡部武紀、橋上洋  出願人： 国立大学法人和歌山大学、信越化学工業株式会社

  • 積層構造体の製造方法

    特許番号： 特許第7045014号

    登録日： 2022年03月23日 

    出願日： 2019年08月28日 （ 特願2019-156145 ）   公開日： 2021年03月01日 （ 特開2021-31358 ）  

    発明者： 渡部武紀、橋上　洋、坂爪崇寛、宇野和行  出願人： 国立大学法人和歌山大学、信越化学工業株式会社

  • 酸化ガリウムの製造方法及び結晶成長装置

    特許番号： 特許第6793942号

    登録日： 2020年11月13日 

    出願日： 2016年11月01日 （ 特願2016-213949 ）   公開日： 2018年05月10日 （ 特開2018-70422 ）  

    発明者： 宇野和行、中村幸  出願人： 国立大学法人和歌山大学

  • 光検出器

    出願日： 2024年02月16日 （ 特願2024-022399 ）  

    発明者： 宇野和行  出願人： 国立大学法人和歌山大学

  • 結晶性酸化物膜、積層構造体及び半導体装置

    出願日： 2022年03月04日 （ 特願2022-33298 ）   公開日： 2022年06月14日 （ 特開2022-88406 ）  

    発明者： 宇野和行、渡部武紀、橋上洋、坂爪崇寛  出願人： 国立大学法人和歌山大学、信越化学工業株式会社

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    特願2019-156145の分割出願

  • 原料溶液の製造及び成膜方法

    出願日： 2021年05月04日 （ 特願2021-078230 ）   公表日： 2022年11月10日 （ WO2022/234750 ）

    発明者： 渡部武紀、橋上　洋、坂爪崇寛、宇野和行、太田茉莉香  出願人： 国立大学法人和歌山大学、信越化学工業株式会社

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研究交流

  • 酸化ガリウムおよび関連物質国際ワークショップ論文委員

    2023年09月
    -
    2024年06月
     

    国際研究交流

  • 2022年度第1回日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会

    2022年08月
     

  • 和歌山大学・和歌山化学工業協会会員交流会

    2021年12月
     

  • 和歌山大学・和歌山化学工業協会会員交流会

    2021年11月
     

  • P型酸化ガリウム作製方法の確立

    2018年11月
    -
    継続中
     

    共同研究

  • 科研費説明会

    2014年10月
     

  • 科研費説明会

    2013年09月
     

  • 第59回応用物理学関係連合講演会

    2012年03月
     

  • 第72回応用物理学会学術講演会

    2011年08月
    -
    2011年09月
     

  • The 30th Electronic Materials Symposium (EMS30)

    2011年06月
    -
    2011年07月
     

  • The 5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)

    2011年05月
     

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科学研究費

  • α型酸化ガリウムの特異な緩和機構と光導電特性の研究

    2024年04月
    -
    2027年03月
     

    基盤研究（C）  代表

  • 高品質なα型酸化ガリウム系薄膜による量子ヘテロ構造物性の研究

    2018年04月
    -
    2021年03月
     

    基盤研究（C）  代表

  • 窒化物混晶半導体の発光機構の解明

    2006年04月
    -
    2008年03月
     

    基盤研究（C）  分担

  • 超格子混晶半導体の光学特性の研究

    2004年04月
    -
    2006年03月
     

    基盤研究（C）  分担

公的資金（他省庁、省庁の外郭団体、地方自治体等）

  • 全光通信のための半導体材料の研究

    2002年04月
    -
    2003年03月
     

    代表

公開講座等の講師、学術雑誌等の査読、メディア出演等

  • 査読6件

    2022年04月
    -
    2023年03月

    日本材料学会，Elsevier, 応用物理学会

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    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    学術誌の査読

  • 査読11件

    2021年04月
    -
    2022年03月

    日本材料学会，Elsevier, 応用物理学会

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    学術誌の査読

  • 査読3件

    2020年04月
    -
    2021年03月

    日本材料学会，Elsevier, 応用物理学会

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    学術誌の査読3件

  • 査読4件

    2019年04月
    -
    2020年03月

    日本材料学会，Springer, Elsevier

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    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    学術誌の査読4件

  • 査読1件

    2018年04月
    -
    2019年03月

    Springer

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    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    学術誌の査読1件

  • 査読4件

    2017年04月
    -
    2018年03月

    応用物理学会，日本材料学会，MDPI

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    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    学術雑誌の査読4件

  • 日高高校特別講義

    2017年04月

    その他

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    小・中・高校生を対象とした学部体験入学・出張講座等

    日高高校の学生を対象に「電気エネルギーの_x000B_発生と消費の昔と今」と題して電気エネルギーの発生と利用についての講義を行った。,日付:11月1日

  • Editor, Special issue on Compound Semiconductors

    2016年05月
    -
    2017年03月

    Physica Status Solidi a, b, Vol. 214, Issue 3, Wiley

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    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    Editor, Special issue on Compound Semiconductors,任期:2017年3月

  • 査読5件

    2016年04月
    -
    2017年03月

    応用物理学会，日本材料学会，照明学会

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    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    学術雑誌の査読5件

  • NS(ナチュラルサイエンス)I特別講義

    2016年01月

    その他

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    小・中・高校生を対象とした学部体験入学・出張講座等

    日高高校の高校1年生の生徒約80名を対象に大学における理工系の学びについて実演を伴う講義を行った。,日付:26

  • 特別号編集委員

    2013年09月
    -
    2014年01月

    Japanese Journal of Applied Physics, 応用物理学会

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    特別号編集委員

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教員免許状更新講習、司書教諭講習等（受託事業）

  • 2021年度   【選択】現代の産業を支える材料の科学と歴史(教員免許状更新講習)

  • 2019年度   さまざまな材料からながめる電気と電子の技術

  • 2018年度   さまざまな材料からながめる電気と電子の技術

  • 2017年度   さまざまな材料からながめる電気と電子の技術

学協会、政府、自治体等の公的委員

  • 第5回酸化ガリウム国際ワークショップ実行委員

    2023年09月01日
    -
    2024年06月01日
     

    第5回酸化ガリウム国際ワークショップ

    　詳細を見る

    酸化ガリウム，国際会議

    2023年5月に実施される酸化ガリウム国際ワークショップの論文委員として、招待講演者の推薦、論文の査読を行った。

  • 査読委員

    2023年04月01日
    -
    2024年03月31日
     

    日本材料学会

    　詳細を見る

    日本材料学会、「材料」、査読

    日本材料学会が発行している学術誌「材料」（和文誌）の査読を行う。

  • 半導体エレクトロニクス部門委員会幹事

    2021年04月01日
    -
    継続中
     

    日本材料学会

    　詳細を見る

    学会運営

    半導体エレクトロニクス部門の運営

  • 第4回酸化ガリウム国際ワークショップ実行委員

    2019年09月
    -
    2023年03月
     

    第4回酸化ガリウム国際ワークショップ

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    酸化ガリウム，国際会議

    2022年10月に予定されている酸化ガリウム国際ワークショップを実施するための実行委員として活動している。

  • プログラム委員

    2018年04月
    -
    2020年03月
     

    The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

    　詳細を見る

    学協会、政府、自治体等の公的委員

    国際会議の運営,任期:2018年11月～2020年3月

  • 副委員長

    2017年04月
    -
    2020年03月
     

    Compound Semiconductor Week 2019

    　詳細を見る

    学協会、政府、自治体等の公的委員

    日米欧で行われる「化合物半導体国際会議」の実施。投稿件数500件、参加人数800名程度の国際会議。2019年5月19日-5月23日に金沢にて実施予定。

  • プログラム委員

    2016年10月
    -
    2019年03月
     

    2018年窒化物半導体国際ワークショップ (International Workshop on Nitride Semiconductors, 略称: IWN2018)

    　詳細を見る

    学協会、政府、自治体等の公的委員

    窒化物半導体に関する研究発表および議論を行う,任期:2019年3月31日

  • プログラム委員

    2016年09月
    -
    2019年03月
     

    第19回有機金属気相エピタキシャル成長国際会議（19th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 略称：ICMOVPE-XIX）

    　詳細を見る

    学協会、政府、自治体等の公的委員

    半導体薄膜形成技術の一つである有機金属気相エピタキシャル成長法および関連分野に関する研究発表および議論を行う。,任期:2019年3月31日まで

  • 実行委員

    2015年11月
    -
    2018年10月
     

    The 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS29)

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    半導体の欠陥に関する国際会議で、2017年に島根県のくにびきメッセにて開催される。,任期:3年

  • 情報セキュリティ委員

    2015年04月
    -
    継続中
     

    電子材料シンポジウム

    　詳細を見る

    学会運営

    ホームページおよび論文投稿システムの管理

  • Vice chair of steering committee of CSW

    2015年01月
    -
    2017年03月
     

    Compound Semiconductor Week 2016

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    2016年化合物半導体国際会議

  • シンポジウム編集委員

    2014年10月
    -
    2015年03月
     

    応用物理学会合同セッションK企画シンポジウム「酸化物半導体における価電子メタモルフォロジ」

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    シンポジウム企画

  • Committee member

    2014年07月
    -
    2017年03月
     

    15th International Symposium on the Science and Technology of Lighting

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    第15回照明科学と技術に関する国際シンポジウム

  • Secretary of Program Committee

    2014年06月
    -
    2016年03月
     

    The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    第6回III族窒化物半導体結晶成長シンポジウム

  • Steering Committee Chair

    2014年05月
    -
    2016年03月
     

    The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    第1回酸化ガリウム関連材料国際ワークショップ

  • 企画代表

    2013年10月
    -
    2014年03月
     

    応用物理学会

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    応用物理学会合同セッションK企画シンポジウム「ワイドバンドギャップ酸化物半導体による新しい機能の創成」

  • プログラム委員会委員

    2013年04月
    -
    2015年03月
     

    社団法人応用物理学会

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    応用物理学に関する学術団体,任期:2010.10～2012.3

  • Symposium E (Functional Oxide Thin Films and Heterostructures for Innovative Devices) Co-Organizer

    2013年04月
    -
    2013年10月
     

    応用物理学会

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    JSAP-MRS Joint Symposia

  • 半導体エレクトロニクス部門委員会委員

    2012年09月
    -
    2021年03月31日
     

    日本材料学会

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    日本材料学会の中に組織されている半導体エレクトロニクス部門委員会の研究会に関する広報等を行っている。

  • Vice Chair of Program Committee (論文副委員長)

    2012年09月
    -
    2014年08月
     

    The 16th International Conference on II-VI Compounds (IC II-VI 2013)

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    II-VI族化合物半導体に関する国際会議

  • Organizer of JSAP-MRS Joint Session (MRS2013F-E)

    2012年09月
    -
    2013年10月
     

    社団法人 応用物理学会

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    応用物理学に関する学術団体

  • 総務委員

    2012年04月
    -
    2014年05月
     

    International Symposium on Compound Semiconductors 2013

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    化合物半導体に関する国際会議

  • プログラム委員会委員(合同セッションK代表世話人)

    2010年10月
    -
    2012年03月
     

    社団法人応用物理学会

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    応用物理学に関する学術団体,任期:2010.10～2012.3

  • Secretary of Program Committee

    2010年05月
    -
    2013年06月
     

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012, 窒化物国際ワークショップ2012)

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    窒化物半導体に関する国際会議,任期:2010.5～2013.6

  • member of program committee (論文委員)

    2010年04月
    -
    2011年10月
     

    Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2011 (APWS-2011, 第5回アジアパシフィックワイドギャップ半導体国際ワークショップ)

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    日本・中国・韓国・台湾の、窒化ガリウムなど可視潤オ紫外域にバンドギャップをもつ半導体材料の研究者が会する会合。共催は日本応用物理学会および日本結晶成長学会、協賛は日本学術振興会である。日本学術振興会第161委員会のメンバーが中心になって行われる。,任期:2010.4～2011.10

  • vice-chair of steering committee (実行副委員長)

    2008年03月
    -
    2011年09月
     

    The 35th International Symposium on Compound Semiconductor 2010 (第35回 化合物半導体国際会議2010)

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    学協会、政府、自治体等の公的委員,任期:2008.3～2011.9

  • Member of Executive Committee

    2007年09月
    -
    2009年09月
     

    The IEEE Nanotechnology Maeterials and Device Conference 2008 (IEEE NMDC2008)

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    ナノ材料に関する国際会議,任期:2007.9～2009.9

  • Secretry of Program Committee (プログラム委員会総務担当)

    2007年04月
    -
    2008年09月
     

    The 2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides (第2回　窒化物半導体結晶成長国際会議)

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    学協会、政府、自治体等の公的委員,任期:2007.4～2008.9

  • Secretry of Program Committee (プログラム委員会総務担当)

    2006年04月
    -
    2009年06月
     

    The 34th International Symposium on Compound Semiconductor 2007 (第34回 化合物半導体国際会議2007)

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    学協会、政府、自治体等の公的委員,任期:2006.4～2009.6

  • 実行委員

    2005年01月
    -
    2006年10月
     

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (窒化物半導体国際ワークショップ)

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    学協会、政府、自治体等の公的委員,任期:2005.1～2006.10

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その他の社会活動

  • 深紫外線を高感度に検出するα型酸化ガリウム光半導体デバイス

    2023年11月22日

    関西イノベーションイニシアチブ

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    ベンチャーキャピタル、酸化ガリウム

    VCを対象として酸化ガリウムについての技術説明を行った。

  • 技術相談

    2023年10月24日

    三河電機、エピテックス

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    酸化ガリウム

    技術相談

  • ソーラーブラインド光の高感度検出による水中での光通信や物体検知

    2023年10月03日

    MOBIO

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    展示会

    酸化ガリウムについての研究紹介

  • 大学見本市2023～イノベーション・ジャパン～ C-51

    2023年08月23日
    -
    2023年08月24日

    国立研究開発法人科学技術振興機構

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    展示会

    特許保有者による研究内容紹介

  • ミストCVD法によるGa2O3膜成膜の件

    2018年04月
    -
    2019年03月

    その他

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    産業界、行政諸機関等と行った共同研究、新技術創出、コンサルティング等

    酸化ガリウム薄膜の成長,実施者:宇野和行