宇野 和行 (ウノ カズユキ)

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所属

システム工学部 材料工学メジャー

職名

准教授

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学歴 【 表示 / 非表示

  • 京都大学   Graduate School, Division of Engineering  

  • 京都大学   工学研究科   電気工学専攻科  

  • 京都大学   工学部   電気工学科  

学位 【 表示 / 非表示

  • 京都大学博士(工学)

経歴 【 表示 / 非表示

  • 2008年04月
    -
    継続中

    和歌山大学   システム工学部   准教授

  • 2005年04月
    -
    2008年03月

    和歌山大学   システム工学部   助教授

  • 2002年04月
    -
    2005年03月

    和歌山大学   システム工学部   講師

  • 1997年
    -
    2002年03月

    和歌山大学システム工学部助手   システム工学部

  • 1995年
    -
    1997年

    NEDO産業技術研究員

所属学協会 【 表示 / 非表示

  • 応用物理学会

研究分野 【 表示 / 非表示

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

  • ナノテク・材料 / 結晶工学 / 酸化物半導体, ミストCVD法, 酸化ガリウム

 

【学部】授業等(実験、演習、卒業論文指導、卒業研究、課題研究を含む) 【 表示 / 非表示

  • 2019年度   物理学実験   専門教育科目
  • 2019年度   精密物質実験B   専門教育科目
  • 2019年度   半導体工学   専門教育科目
  • 2019年度   物理学演習   専門教育科目
  • 2019年度   精密物質実験C   専門教育科目

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【学部】サテライト科目 【 表示 / 非表示

  • 2019年度   【選択】さまざまな材料からながめる電気と電子の技術   教養教育科目
  • 2018年度   【選択】さまざまな材料からながめる電気と電子の技術   教養教育科目
  • 2017年度   さまざまな材料からながめる電気と電子の技術   教養教育科目
  • 2014年度   みんなの科学入門   教養教育科目

【学部】自主演習 【 表示 / 非表示

  • 2016年度   Arduinoを用いたプログラム,電子回路設計
  • 2008年度   物理学の基礎を視覚的に理解する演習

【大学院】授業等 【 表示 / 非表示

  • 2019年度   化合物半導体物性特論   博士前期
  • 2019年度   システム工学研究ⅠA   博士前期
  • 2019年度   システム工学研究ⅠB   博士前期
  • 2019年度   システム工学研究ⅡA   博士前期
  • 2019年度   システム工学研究ⅡB   博士前期

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研究キーワード 【 表示 / 非表示

  • 半導体ナノ構造

  • 酸化物半導体

  • ミストCVD法

  • 光デバイス

  • 結晶成長

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論文 【 表示 / 非表示

  • Growth mechanism of α-Ga2O3 on a sapphire substrate by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated gallium source solutions

    Kazuyuki Uno, Marika Ohta, Ichiro Tanaka

    Applied Physics Letters ( AIP Publishing )  117 ( 5 ) 052106 - 052106   2020年08月  [査読有り]

    DOI

  • 手作り分光器の改良 ~利き目の問題と可変スリット~

    井口楓梨, 宇野和行, 富田晃彦 (担当区分: 責任著者 )

    天文教育   32 ( 4 ) 2 - 8   2020年07月

  • 硫化アンモニウム処理したPbSコロイダルナノドット薄膜を用いた電界効果トランジスタ

    竹市祐実, 三谷展弘, 宇野和行, 田中一郎

    材料   67 ( 9 ) 840 - 843   2018年09月  [査読有り]

  • Ester-free cross-linker molecules for ultraviolet-light-cured polysilsesquioxane gate dielectric layers of organic thin-film transistors

    Shuichi Okada, Yoshio Nakahara, Kazuyuki Uno, Ichiro Tanaka

    Japanese Journal of Applied Physics ( Japan Society of Applied Physics )  57 ( 4 )   2018年04月  [査読有り]

     概要を見る

    Pentacene thin-film transistors (TFTs) were fabricated with ultraviolet-light (UV)-cured polysilsesquioxane (PSQ) gate dielectric layers using cross-linker molecules with or without ester groups. To polymerize PSQ without ester groups, thiol-ene reaction was adopted. The TFTs fabricated with PSQ layers comprising ester-free cross-linkers showed a higher carrier mobility than the TFTs with PSQ layers cross-linked with ester groups, which had large electric dipole moments that limited the carrier mobility. It was demonstrated that the thiol-ene reaction is more suitable than the conventional radical reaction for UV-cured PSQ with small dielectric constant.

    DOI

  • ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の表面平坦化によるペンタセン薄膜トランジスタのキャリア移動度向上

    道浦大佑, 中原佳夫, 宇野和行, 田中一郎

    材料   66 ( 9 ) 644 - 647   2017年09月  [査読有り]

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Misc 【 表示 / 非表示

  • エンチオール反応により紫外線重合させた有機薄膜トランジスタ用ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜

    山根 健一郎,, 中上 智章, 中原 佳夫, 宇野 和行, 田中 一郎

    第67回応用物理学会春季学術講演会     12p-PA5-28   2020年03月

  • PbSコロイダルナノドットをフローティングゲートに用いた有機メモリトランジスタの配位子交換による特性改善

    井原 聖矢, 宇野 和行, 田中 一郎

    第67回応用物理学会春季学術講演会     12p-PA5-33   2020年03月

  • 2C6-BDT-dimerを用いた有機薄膜トランジスタのフローコート法による作製

    石井 洸一, 大須賀 秀次, 宇野 和行, 田中 一郎

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 2019年度第1回講演会・見学会     P6   2020年01月

  • ナフタレンジイミド系材料を用いたn型有機薄膜トランジスタ

    田村 明日香, 友國 里香, 大須賀 秀次, 宇野 和行, 田中 一郎

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 2019年度第1回講演会・見学会     P7   2020年01月

  • エンチオール反応により紫外線重合させたポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜を用いたペンタセン薄膜トランジスタ

    山根 健一郎, 中上 智章, 岡田 秀一, 中原 佳夫, 宇野 和行, 田中 一郎

    薄膜材料デバイス研究会第16回研究集会     08P21   2019年11月

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Works 【 表示 / 非表示

  • ナノサイズの電極形成技術とデバイスへの応用

    1998年
     
     

  • GeGaAsを用いた光デバイスのための基礎的研究

    1998年
     
     

  • 耐環境デバイスの電極技術に関する研究

    1997年
    -
    1999年

  • 計算科学に基づく新材料の開発に関する基礎的・応用的研究

    1997年
     
     

特許 【 表示 / 非表示

  • 成膜方法及び成膜装置

    出願日: 2020年09月04日 ( 特願2020-148776 )  

    発明者: 宇野和行、渡部武紀、橋上洋、坂爪崇寛 

  • 酸化ガリウム半導体膜の製造方法

    出願日: 2019年04月12日 ( 特願2019-76229 )  

    発明者: 宇野和行、松本一寿、渡部武紀、橋上洋 

  • 酸化ガリウムの製造方法及び結晶成長装置

    特許番号: 特許第6793942号

    出願日: 2016年11月01日 ( 特願2016-213949 )   公開日: 2018年05月10日 ( 特開2018-70422 )  

    発明者: 宇野和行、中村幸  出願人: 国立大学法人和歌山大学

研究交流 【 表示 / 非表示

  • 科研費説明会

    2014年10月
     
     
     
  • 科研費説明会

    2013年09月
     
     
     
  • 第59回応用物理学関係連合講演会

    2012年03月
     
     
     
  • 第72回応用物理学会学術講演会

    2011年08月
    -
    2011年09月
     
  • The 30th Electronic Materials Symposium (EMS30)

    2011年06月
    -
    2011年07月
     

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科学研究費 【 表示 / 非表示

  • 高品質なα型酸化ガリウム系薄膜による量子ヘテロ構造物性の研究

    2018年04月
    -
    2021年03月
     

    基盤研究(C)  代表

  • 窒化物混晶半導体の発光機構の解明

    2006年04月
    -
    2008年03月
     

    基盤研究(C)  分担

  • 超格子混晶半導体の光学特性の研究

    2004年04月
    -
    2006年03月
     

    基盤研究(C)  分担

公的資金(他省庁、省庁の外郭団体、地方自治体等) 【 表示 / 非表示

  • 全光通信のための半導体材料の研究

    2002年04月
    -
    2003年03月
     

    代表

 

公開講座等の講師、学術雑誌等の査読、メディア出演等 【 表示 / 非表示

  • 日高高校特別講義

    2017年04月
     
     

    その他

     詳細を見る

    小・中・高校生を対象とした学部体験入学・出張講座等

    日高高校の学生を対象に「電気エネルギーの_x000B_発生と消費の昔と今」と題して電気エネルギーの発生と利用についての講義を行った。,日付:11月1日

  • Editor, Special issue on Compound Semiconductors

    2016年05月
    -
    2017年03月

    Physica Status Solidi a, b, Vol. 214, Issue 3, Wiley

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    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    Editor, Special issue on Compound Semiconductors,任期:2017年3月

  • NS(ナチュラルサイエンス)I特別講義

    2016年01月
     
     

    その他

     詳細を見る

    小・中・高校生を対象とした学部体験入学・出張講座等

    日高高校の高校1年生の生徒約80名を対象に大学における理工系の学びについて実演を伴う講義を行った。,日付:26

  • 特別号編集委員

    2013年09月
    -
    2014年01月

    Japanese Journal of Applied Physics, 応用物理学会

     詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    特別号編集委員

学協会、政府、自治体等の公的委員 【 表示 / 非表示

  • プログラム委員

    2018年04月
    -
    2020年03月
     

    The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    国際会議の運営,任期:2018年11月~2020年3月

  • 副委員長

    2017年04月
    -
    2020年03月
     

    Compound Semiconductor Week 2019

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    日米欧で行われる「化合物半導体国際会議」の実施。投稿件数500件、参加人数800名程度の国際会議。2019年5月19日-5月23日に金沢にて実施予定。

  • プログラム委員

    2016年10月
    -
    2019年03月
     

    2018年窒化物半導体国際ワークショップ (International Workshop on Nitride Semiconductors, 略称: IWN2018)

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    窒化物半導体に関する研究発表および議論を行う,任期:2019年3月31日

  • プログラム委員

    2016年09月
    -
    2019年03月
     

    第19回有機金属気相エピタキシャル成長国際会議(19th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 略称:ICMOVPE-XIX)

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    半導体薄膜形成技術の一つである有機金属気相エピタキシャル成長法および関連分野に関する研究発表および議論を行う。,任期:2019年3月31日まで

  • 実行委員

    2015年11月
    -
    2018年10月
     

    The 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS29)

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    学協会、政府、自治体等の公的委員

    半導体の欠陥に関する国際会議で、2017年に島根県のくにびきメッセにて開催される。,任期:3年

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その他の社会活動 【 表示 / 非表示

  • ミストCVD法によるGa2O3膜成膜の件

    2018年04月
    -
    2019年03月

    その他

     詳細を見る

    産業界、行政諸機関等と行った共同研究、新技術創出、コンサルティング等

    酸化ガリウム薄膜の成長,実施者:宇野和行