2025/05/08 更新

写真a

オダ　マサト
小田　将人
所属
システム工学部 応用理工学領域 電子物理工学メジャー
職名
准教授
emailアドレス
emailアドレス
ホームページ
外部リンク

学歴

  • 2001年
    -
    2006年

    千葉大学   大学院 自然科学研究科  

  • 1997年
    -
    2001年

    千葉大学   理学部   物理学科  

学位

  • 博士(理学)

経歴

  • 2023年04月
    -
    継続中

    藍野学院短期大学   非常勤講師

  • 2023年04月
    -
    継続中

    和歌山大学   システム工学部   准教授

  • 2019年04月
    -
    2019年09月

    名古屋工業大学   非常勤講師

  • 2018年04月
    -
    2022年03月

    和歌山大学   システム工学部   講師

  • 2017年04月
    -
    継続中

    東京医療保健大学   和歌山看護学部   非常勤講師

  • 2012年04月
    -
    2016年09月

    藍野学院短期大学   非常勤講師

  • 2011年04月
    -
    2011年09月

    和歌山県立医科大学   医学部   非常勤講師

  • 2007年04月
    -
    2018年03月

    和歌山大学   システム工学部   助教

  • 2006年04月
    -
    2007年03月

    国立研究開発法人物質・材料研究機構   計算科学センター   ポスドク

▼全件表示

研究分野

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

【学部】授業等（実験、演習、卒業論文指導、卒業研究、課題研究を含む）

  • 2024年度   囲碁から広がる教養の世界   教養教育科目

  • 2024年度   卒業研究（ME）   専門教育科目

  • 2024年度   量子力学基礎Ⅱ   専門教育科目

  • 2024年度   量子力学基礎Ⅰ   専門教育科目

  • 2024年度   統計力学Ⅱ   専門教育科目

  • 2024年度   統計力学Ⅰ   専門教育科目

  • 2024年度   材料工学実験Ｂ   専門教育科目

  • 2024年度   材料工学実験Ａ   専門教育科目

  • 2024年度   材料工学セミナー   専門教育科目

  • 2024年度   材料工学実験Ｃ   専門教育科目

  • 2024年度   科学技術英語Ｂ   専門教育科目

  • 2024年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2024年度   基礎物理学   専門教育科目

  • 2023年度   囲碁から広がる教養の世界   教養教育科目

  • 2023年度   卒業研究（ME・後期）   専門教育科目

  • 2023年度   科学技術英語Ｂ   専門教育科目

  • 2023年度   卒業研究（ME）   専門教育科目

  • 2023年度   材料工学セミナー   専門教育科目

  • 2023年度   材料工学実験Ｃ   専門教育科目

  • 2023年度   材料工学実験Ａ   専門教育科目

  • 2023年度   材料工学実験Ｂ   専門教育科目

  • 2023年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2023年度   統計力学Ⅱ   専門教育科目

  • 2023年度   統計力学Ⅰ   専門教育科目

  • 2023年度   量子力学ⅠＡ   専門教育科目

  • 2023年度   量子力学ⅠＢ   専門教育科目

  • 2023年度   ◆基礎物理学   専門教育科目

  • 2022年度   ロボット学   教養教育科目

  • 2022年度   ミクロの宇宙論   教養教育科目

  • 2022年度   囲碁から広がる教養の世界   教養教育科目

  • 2022年度   量子力学ⅠＢ   専門教育科目

  • 2022年度   量子力学ⅠＡ   専門教育科目

  • 2022年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2022年度   統計力学Ⅱ   専門教育科目

  • 2022年度   統計力学Ⅰ   専門教育科目

  • 2022年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2022年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2022年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2022年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2022年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2022年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2022年度   材料工学実験Ｃ   専門教育科目

  • 2022年度   材料工学実験Ｂ   専門教育科目

  • 2022年度   材料工学実験Ａ   専門教育科目

  • 2022年度   材料工学セミナー   専門教育科目

  • 2022年度   基礎力学Ⅱ   専門教育科目

  • 2022年度   基礎力学Ⅰ   専門教育科目

  • 2022年度   科学技術英語Ｂ   専門教育科目

  • 2022年度   システム工学入門セミナー   専門教育科目

  • 2021年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2021年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2021年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2021年度   量子力学ⅠＢ   専門教育科目

  • 2021年度   量子力学ⅠＡ   専門教育科目

  • 2021年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2021年度   材料工学実験Ｃ   専門教育科目

  • 2021年度   材料工学セミナー   専門教育科目

  • 2021年度   基礎力学Ⅰ（科目等履修）   専門教育科目

  • 2021年度   統計力学Ⅱ   専門教育科目

  • 2021年度   材料工学実験Ｂ   専門教育科目

  • 2021年度   基礎力学Ⅱ   専門教育科目

  • 2021年度   統計力学Ⅰ   専門教育科目

  • 2021年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2021年度   材料工学実験Ａ   専門教育科目

  • 2021年度   基礎力学Ⅰ   専門教育科目

  • 2021年度   科学技術英語Ｂ   専門教育科目

  • 2021年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2021年度   囲碁から広がる教養の世界   教養教育科目

  • 2020年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2020年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2020年度   システム工学入門セミナー   専門教育科目

  • 2020年度   統計力学Ⅱ   専門教育科目

  • 2020年度   統計力学Ⅰ   専門教育科目

  • 2020年度   材料工学実験Ｂ   専門教育科目

  • 2020年度   材料工学実験Ａ   専門教育科目

  • 2020年度   材料工学セミナー   専門教育科目

  • 2020年度   材料工学実験Ｃ   専門教育科目

  • 2020年度   量子力学ⅠＢ   専門教育科目

  • 2020年度   量子力学ⅠＡ   専門教育科目

  • 2020年度   科学技術英語Ｂ   専門教育科目

  • 2020年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2020年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2020年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2020年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2020年度   基礎力学Ⅱ   専門教育科目

  • 2020年度   基礎力学Ⅱ   専門教育科目

  • 2019年度   科学技術英語Ｂ   専門教育科目

  • 2019年度   マテリアル科学実験   専門教育科目

  • 2019年度   応用物理学実験   専門教育科目

  • 2019年度   応用物理学特論   専門教育科目

  • 2019年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2019年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2019年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2019年度   量子力学Ⅰ   専門教育科目

  • 2019年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2019年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2019年度   基礎力学   専門教育科目

  • 2018年度   システム工学自主演習Ⅵ   専門教育科目

  • 2018年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2018年度   科学技術英語Ｂ   専門教育科目

  • 2018年度   マテリアル科学実験   専門教育科目

  • 2018年度   応用物理学実験   専門教育科目

  • 2018年度   応用物理学特論   専門教育科目

  • 2018年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2018年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2018年度   ナノサイエンス特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2018年度   ナノサイエンス特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2018年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2018年度   量子力学Ⅰ   専門教育科目

  • 2018年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2018年度   基礎力学   専門教育科目

  • 2017年度   マテリアル科学実験   専門教育科目

  • 2017年度   システム工学入門セミナー   専門教育科目

  • 2017年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2017年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2017年度   ナノサイエンス特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2017年度   ナノサイエンス特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2017年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2017年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2017年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2017年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2017年度   基礎力学   専門教育科目

  • 2016年度   ナノサイエンス特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2016年度   ナノサイエンス特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2016年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2016年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2016年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2016年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2016年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2016年度   精密物質実験Ａ   専門教育科目

  • 2016年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2015年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2015年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2015年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2015年度   精密物質実験Ａ   専門教育科目

  • 2015年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2015年度   ナノサイエンス特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2015年度   システム工学入門セミナー   専門教育科目

  • 2015年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2015年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2015年度   精密物質セミナーⅡ   専門教育科目

  • 2015年度   ナノサイエンス特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2014年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2014年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2014年度   精密物質セミナーⅡ   専門教育科目

  • 2014年度   精密物質セミナーⅠ   専門教育科目

  • 2014年度   ナノサイエンス特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2014年度   ナノサイエンス特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2014年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2014年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2014年度   精密物質実験Ａ   専門教育科目

  • 2014年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2014年度   情報処理Ⅰ   専門教育科目

  • 2013年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2013年度   ナノサイエンス特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2013年度   精密物質セミナーⅡA   専門教育科目

  • 2013年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2013年度   精密物質セミナーⅡＡ   専門教育科目

  • 2013年度   精密物質セミナーⅠＡ   専門教育科目

  • 2013年度   精密物質セミナーⅡ   専門教育科目

  • 2013年度   精密物質セミナーⅠ   専門教育科目

  • 2013年度   ナノサイエンス特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2013年度   ナノサイエンス特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2013年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2013年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2013年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2013年度   精密物質実験Ａ   専門教育科目

  • 2013年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2013年度   情報処理Ⅰ   専門教育科目

  • 2013年度   基礎教養セミナー   教養教育科目

  • 2012年度   情報処理Ⅰ   専門教育科目

  • 2012年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2012年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2012年度   精密物質実験Ａ   専門教育科目

  • 2012年度   精密物質セミナーⅠ   専門教育科目

  • 2012年度   情報処理Ⅰ   専門教育科目

  • 2012年度   ナノサイエンス特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2012年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2012年度   精密物質セミナーⅡ   専門教育科目

  • 2012年度   ナノサイエンス特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2011年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2011年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2011年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2011年度   精密物質実験Ａ   専門教育科目

  • 2011年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2011年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2011年度   基礎教養セミナー   教養教育科目

  • 2011年度   精密物質セミナーⅡ   専門教育科目

  • 2011年度   精密物質セミナーⅠ   専門教育科目

  • 2011年度   ナノサイエンス特論Ⅱ   専門教育科目

  • 2011年度   ナノサイエンス特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2011年度   情報処理Ⅰ   専門教育科目

  • 2010年度   物理学演習   専門教育科目

  • 2010年度   精密物質セミナーⅠ   専門教育科目

  • 2010年度   ナノサイエンス特論Ⅰ   専門教育科目

  • 2010年度   精密物質セミナーⅡ   専門教育科目

  • 2010年度   精密物質実験Ｃ   専門教育科目

  • 2010年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2010年度   精密物質実験Ｂ   専門教育科目

  • 2010年度   精密物質実験Ａ   専門教育科目

  • 2010年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2010年度   情報処理Ⅰ   専門教育科目

  • 2009年度   精密物質セミナーII   専門教育科目

  • 2009年度   精密物質セミナーI   専門教育科目

  • 2009年度   ナノサイエンス特論II   専門教育科目

  • 2009年度   精密物質実験C   専門教育科目

  • 2009年度   ナノサイエンス特論I   専門教育科目

  • 2009年度   精密物質実験B   専門教育科目

  • 2009年度   精密物質実験A   専門教育科目

  • 2009年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2009年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2009年度   情報処理I   専門教育科目

  • 2009年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2008年度   精密物質セミナーII   専門教育科目

  • 2008年度   ナノサイエンス特論II   専門教育科目

  • 2008年度   精密物質セミナーI   専門教育科目

  • 2008年度   精密物質実験C   専門教育科目

  • 2008年度   ナノサイエンス特論I   専門教育科目

  • 2008年度   精密物質実験B   専門教育科目

  • 2008年度   精密物質実験A   専門教育科目

  • 2008年度   精密物質演習B   専門教育科目

  • 2008年度   物理学実験   専門教育科目

  • 2008年度   情報処理I   専門教育科目

  • 2008年度   卒業研究   専門教育科目

  • 2007年度   卒業研究   専門教育科目

▼全件表示

【学部】サテライト科目

  • 2021年度   囲碁とコミュニティ創生   連携展開科目

【大学院】授業等

  • 2024年度   システム工学グローバル講究Ⅱ   博士後期

  • 2024年度   システム工学グローバル講究Ⅱ   博士後期

  • 2024年度   システム工学グローバル講究Ⅰ   博士後期

  • 2024年度   システム工学グローバル講究Ⅰ   博士後期

  • 2024年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2024年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2024年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2024年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2024年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2024年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2024年度   システム工学研究ⅡＢ   博士前期

  • 2024年度   システム工学研究ⅡＡ   博士前期

  • 2024年度   システム工学研究ⅠＢ   博士前期

  • 2024年度   システム工学研究ⅠＡ   博士前期

  • 2024年度   量子力学特論   博士前期

  • 2024年度   システム工学講究ⅡＢ   博士前期

  • 2024年度   システム工学講究ⅡＡ   博士前期

  • 2024年度   システム工学講究ⅠＢ   博士前期

  • 2024年度   システム工学講究ⅠＡ   博士前期

  • 2023年度   システム工学講究ⅠＡ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   システム工学講究ⅠＢ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   システム工学講究ⅡＡ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   システム工学講究ⅡＢ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   量子力学特論   博士前期

  • 2023年度   システム工学研究ⅠＡ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   システム工学研究ⅠＢ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   システム工学研究ⅡＡ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   システム工学研究ⅡＢ（ナノテクノロジー）   博士前期

  • 2023年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2023年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2023年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2023年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2023年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2023年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2023年度   システム工学グローバル講究Ⅰ   博士後期

  • 2023年度   システム工学グローバル講究Ⅰ   博士後期

  • 2023年度   システム工学グローバル講究Ⅱ   博士後期

  • 2023年度   システム工学グローバル講究Ⅱ   博士後期

  • 2022年度   システム工学グローバル講究Ⅱ   博士後期

  • 2022年度   システム工学グローバル講究Ⅰ   博士後期

  • 2022年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2022年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2022年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2022年度   システム工学研究ⅡＢ   博士前期

  • 2022年度   システム工学研究ⅡＡ   博士前期

  • 2022年度   システム工学研究ⅠＢ   博士前期

  • 2022年度   システム工学研究ⅠＡ   博士前期

  • 2022年度   量子力学特論   博士前期

  • 2022年度   システム工学講究ⅡＢ   博士前期

  • 2022年度   システム工学講究ⅡＡ   博士前期

  • 2022年度   システム工学講究ⅠＢ   博士前期

  • 2022年度   システム工学講究ⅠＡ   博士前期

  • 2021年度   システム工学グローバル講究Ⅱ   博士後期

  • 2021年度   システム工学グローバル講究Ⅰ   博士後期

  • 2021年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2021年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2021年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2021年度   システム工学研究ⅡＢ   博士前期

  • 2021年度   システム工学研究ⅡＡ   博士前期

  • 2021年度   システム工学研究ⅠＢ   博士前期

  • 2021年度   システム工学研究ⅠＡ   博士前期

  • 2021年度   量子力学特論   博士前期

  • 2021年度   システム工学講究ⅡＢ   博士前期

  • 2021年度   システム工学講究ⅡＡ   博士前期

  • 2021年度   システム工学講究ⅠＢ   博士前期

  • 2021年度   システム工学講究ⅠＡ   博士前期

  • 2020年度   システム工学グローバル講究Ⅱ   博士後期

  • 2020年度   システム工学グローバル講究Ⅰ   博士後期

  • 2020年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2020年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2020年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2020年度   システム工学研究ⅡＢ   博士前期

  • 2020年度   システム工学研究ⅡＡ   博士前期

  • 2020年度   システム工学研究ⅠＢ   博士前期

  • 2020年度   システム工学研究ⅠＡ   博士前期

  • 2020年度   量子力学特論   博士前期

  • 2020年度   システム工学講究ⅡＢ   博士前期

  • 2020年度   システム工学講究ⅡＡ   博士前期

  • 2020年度   システム工学講究ⅠＢ   博士前期

  • 2020年度   システム工学講究ⅠＡ   博士前期

  • 2019年度   量子力学特論   博士前期

  • 2019年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2019年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2019年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2019年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2019年度   システム工学講究ⅡＢ   博士前期

  • 2019年度   システム工学講究ⅡＡ   博士前期

  • 2019年度   システム工学講究ⅠＢ   博士前期

  • 2019年度   システム工学講究ⅠＡ   博士前期

  • 2019年度   システム工学研究ⅡＢ   博士前期

  • 2019年度   システム工学研究ⅡＡ   博士前期

  • 2019年度   システム工学研究ⅠＢ   博士前期

  • 2019年度   システム工学研究ⅠＡ   博士前期

  • 2018年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2018年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2018年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2018年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2018年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2018年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2018年度   システム工学研究ⅡＢ   博士前期

  • 2018年度   システム工学研究ⅡＡ   博士前期

  • 2018年度   システム工学研究ⅠＢ   博士前期

  • 2018年度   システム工学研究ⅠＡ   博士前期

  • 2018年度   システム工学講究ⅡＢ   博士前期

  • 2018年度   システム工学講究ⅡＡ   博士前期

  • 2018年度   システム工学講究ⅠＢ   博士前期

  • 2018年度   システム工学講究ⅠＡ   博士前期

  • 2018年度   量子力学特論   博士前期

  • 2017年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2017年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2017年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2017年度   システム工学特別講究Ⅰ   博士後期

  • 2017年度   システム工学研究ⅡＢ   博士前期

  • 2017年度   システム工学研究ⅡＡ   博士前期

  • 2017年度   システム工学研究ⅠＢ   博士前期

  • 2017年度   システム工学研究ⅠＡ   博士前期

  • 2017年度   ナノテクキャリアアップ特論   博士前期

  • 2017年度   システム工学講究ⅡＢ   博士前期

  • 2017年度   システム工学講究ⅡＡ   博士前期

  • 2017年度   システム工学講究ⅠＢ   博士前期

  • 2017年度   システム工学講究ⅠＡ   博士前期

  • 2016年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2016年度   システム工学特別研究   博士後期

  • 2016年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2016年度   システム工学特別講究Ⅱ   博士後期

  • 2016年度   システム工学研究ⅡＢ   博士前期

  • 2016年度   システム工学研究ⅡＡ   博士前期

  • 2016年度   システム工学研究ⅠＢ   博士前期

  • 2016年度   システム工学研究ⅠＡ   博士前期

  • 2016年度   システム工学講究ⅡＢ   博士前期

  • 2016年度   システム工学講究ⅡＡ   博士前期

  • 2016年度   システム工学講究ⅠＢ   博士前期

  • 2016年度   システム工学講究ⅠＡ   博士前期

  • 2016年度   ナノテクキャリアアップ特論   博士前期

  • 2015年度   ナノテクキャリアアップ特論   その他

  • 2015年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2015年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2015年度   システム工学特別研究   その他

  • 2015年度   システム工学講究ⅡＡ   その他

  • 2015年度   システム工学講究ⅠＡ   その他

  • 2015年度   システム工学研究ⅡＡ   その他

  • 2015年度   システム工学研究ⅠＡ   その他

  • 2015年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2015年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2015年度   システム工学特別研究   その他

  • 2015年度   システム工学講究ⅡＢ   その他

  • 2015年度   システム工学講究ⅠＢ   その他

  • 2015年度   システム工学研究ⅡＢ   その他

  • 2015年度   システム工学研究ⅠＢ   その他

  • 2014年度   システム工学グローバル講究Ⅱ   その他

  • 2014年度   システム工学グローバル講究Ⅱ   その他

  • 2014年度   システム工学特別研究   その他

  • 2014年度   システム工学特別研究   その他

  • 2014年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2014年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2014年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2014年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2014年度   システム工学研究ⅡＢ   その他

  • 2014年度   システム工学研究ⅡＡ   その他

  • 2014年度   システム工学研究ⅠＢ   その他

  • 2014年度   システム工学研究ⅠＡ   その他

  • 2014年度   ナノテクキャリアアップ特論   その他

  • 2014年度   システム工学講究ⅡＢ   その他

  • 2014年度   システム工学講究ⅡＡ   その他

  • 2014年度   システム工学講究ⅠＢ   その他

  • 2014年度   システム工学講究ⅠＡ   その他

  • 2013年度   システム工学特別研究   その他

  • 2013年度   システム工学特別研究   その他

  • 2013年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2013年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2013年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2013年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2013年度   システム工学研究ⅡＢ   その他

  • 2013年度   システム工学研究ⅡＡ   その他

  • 2013年度   システム工学研究ⅠＢ   その他

  • 2013年度   システム工学研究ⅠＡ   その他

  • 2013年度   ナノテクキャリアアップ特論   その他

  • 2013年度   システム工学講究ⅡＢ   その他

  • 2013年度   システム工学講究ⅡＡ   その他

  • 2013年度   システム工学講究ⅠＢ   その他

  • 2013年度   システム工学講究ⅠＡ   その他

  • 2012年度   ナノテクキャリアアップ特論   その他

  • 2012年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2012年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2012年度   システム工学特別研究   その他

  • 2012年度   システム工学講究ⅡＡ   その他

  • 2012年度   システム工学講究ⅠＡ   その他

  • 2012年度   システム工学研究ⅡＡ   その他

  • 2012年度   システム工学研究ⅠＡ   その他

  • 2012年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2012年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2012年度   システム工学特別研究   その他

  • 2012年度   システム工学講究ⅡＢ   その他

  • 2012年度   システム工学講究ⅠＢ   その他

  • 2012年度   システム工学研究ⅡＢ   その他

  • 2012年度   システム工学研究ⅠＢ   その他

  • 2011年度   システム工学研究ⅡＢ   その他

  • 2011年度   システム工学研究ⅡＡ   その他

  • 2011年度   システム工学研究ⅠＢ   その他

  • 2011年度   システム工学研究ⅠＡ   その他

  • 2011年度   システム工学特別研究   その他

  • 2011年度   システム工学特別研究   その他

  • 2011年度   システム工学講究（ⅠＢ・ⅡＢ）   その他

  • 2011年度   システム工学講究（ⅠＡ・ⅡＡ）   その他

  • 2011年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2011年度   システム工学特別講究Ⅱ   その他

  • 2011年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2011年度   システム工学特別講究Ⅰ   その他

  • 2011年度   ナノテクキャリアアップ特論   その他

  • 2010年度   システム工学講究（ⅠＡ・ⅡＡ）   その他

  • 2010年度   システム工学講究（ⅠＢ・ⅡＢ）   その他

  • 2010年度   ナノテクキャリアアップ特論   その他

  • 2009年度   システム工学研究ⅡＢ   その他

  • 2009年度   システム工学研究ⅡＡ   その他

  • 2009年度   システム工学講究（ⅠＡ・ⅡＡ）   その他

  • 2009年度   システム工学講究（ⅠＢ・ⅡＢ）   その他

  • 2009年度   システム工学研究IIA・IIB   博士前期

  • 2009年度   システム工学研究IA・IB   博士前期

  • 2009年度   システム工学講究IIA・IIB   博士前期

  • 2009年度   システム工学講究IA・IB   博士前期

  • 2008年度   システム工学研究IIA・IIB   博士前期

  • 2008年度   システム工学研究IA・IB   博士前期

  • 2008年度   システム工学講究IIA・IIB   博士前期

  • 2008年度   システム工学講究IA・IB   博士前期

  • 2007年度   システム工学研究II   博士前期

  • 2007年度   システム工学研究I   博士前期

  • 2007年度   システム工学講究II   博士前期

  • 2007年度   システム工学講究I   博士前期

▼全件表示

受賞（教育活動に関するもの）

  • 2011年度   グッドレクチャー賞   FD委員会   国内

研究キーワード

  • 第一原理計算

論文

  • Adiabatic Potential for Conformational Change of V<sub>Ga</sub>–V<sub>N</sub> Complex Defects in GaN

    Jota Nakamura, Masato Oda, Yoshihiro Kangawa (担当区分： 責任著者 )

    physica status solidi (b) ( Wiley )    2024年03月  [査読有り]

    　概要を見る

    Focusing on a V<sub>Ga</sub>–V<sub>N</sub> complex vacancy defect in GaN, the adiabatic potential for conformational changes of the V<sub>Ga</sub>–V<sub>N</sub> is investigated using the density functional theory. There are two types of configurations due to the symmetry of the crystal, it is confirmed that there is almost no difference in their stability or electronic state. Using these configurations as the initial and final states, the defect reaction is analyzed when V<sub>Ga</sub>–V<sub>N</sub> moves using the climbing‐image nudged elastic band method. The reaction barrier for the migration of V<sub>Ga</sub> (V<sub>N</sub>) is found to be 2.2 (3.3) eV. It is concluded that these reactions occur frequently as GaN is annealed since the atomic diffusion potential barrier is similar to that in other semiconductors. These results suggest that V<sub>Ga</sub>–V<sub>N</sub> in GaN moves through the crystal as a pair of vacancies by alternately repeating the V<sub>Ga</sub> and the V<sub>N</sub> migration. These results provide important knowledge for elucidating the microscopic mechanism of the experimentally observed V<sub>Ga</sub>–V<sub>N</sub> aggregation reaction.

    DOI

  • (ZnO)1-x(InN)x混晶半導体の初期成長過程と電子状態

    小田将人, 古木凌太, 篠塚雄三 (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    日本結晶成長学会誌   50 ( 1 ) 50-1-06_1 - 50-1-06_11   2023年04月  [査読有り]  [招待有り]

  • Electronic Structures of Iodine‐Doped Lithium Phthalocyanine Crystals

    Masato Oda, Noritake Koike (担当区分： 筆頭著者,　最終著者,　責任著者 )

    physica status solidi (b) ( Wiley )  260 ( 5 )   2023年03月  [査読有り]

    DOI

  • Theoretical study on adsorption state of chemisorbed oxygen molecule on partially oxidized Si(001) surface

    Nao Kadowaki, Masato Oda, Jun Nara

    Japanese Journal of Applied Physics ( IOP Publishing )  60 ( 12 ) 125501 - 125501   2021年11月  [査読有り]

    DOI

  • Investigation of GaAs and AlAs atomic-layer epitaxial growth mechanism based on experimental results and first-principles total energy calculation

    Nobuyuki Ohtsuka, Masato Oda, Takashi Eshita, Ichiro Tanaka, Chihiro Itoh

    Jpn. J. Appl. Phys.   59   SGGK16   2020年02月  [査読有り]

  • Study on the initial growth mechanism of (ZnO)1−x(InN)x using first-principles calculation

    Ryota Furuki, Masato Oda, Yuzo Shinozuka

    Jpn. J. Appl. Phys   59   SGGK11   2020年02月  [査読有り]

  • Investigation of the electron-phonon interactions around Ga vacancies in GaN and their role in the first stage of defect reactions

    小田将人 (担当区分： 筆頭著者,　最終著者,　責任著者 )

    Jpn. J. Appl. Phys.   58   SCCC16   2019年  [査読有り]

  • Electronic structure of (ZnO)1-x(InN)x alloys calculated by interacting quasi-band theory

    R. Furuki, M. Oda, Y. Shinozuka

    Japanese Journal of Applied Physics   58   021002   2019年  [査読有り]

  • Electronic structures of a cerasome surface model

    小田将人 (担当区分： 筆頭著者,　最終著者,　責任著者 )

    Jpn. J. Appl. Phys.   58   SIID04   2019年  [査読有り]

  • フェロセン内包カーボンナノチューブの電子状態計算

    境 新, 小田 将人, 伊東 千尋, 篠塚 雄三

    日本物理学会講演概要集 ( 一般社団法人 日本物理学会 )  73.1   1818 - 1818   2018年

    DOI

  • Electronic structure calculation of Si1-xSnx compound alloy using interacting quasi-band theory

    Masato Oda, Yukina Kuroda, Ayaka Kishi, Yuzo Shinozuka (担当区分： 筆頭著者 )

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS ( WILEY-V C H VERLAG GMBH )  254 ( 2 ) 1600519   2017年02月  [査読有り]

    　概要を見る

    We investigate energy band structures of the Si1-xSnx compound alloy in the zincblende structure using interacting quasi-band (IQB) theory. We first extend the IQB theory for four-element compounds and subsequently calculate the electronic structures of the virtual Si1-xSnxSi1-ySny alloy where x=y. Diagonalizing a 20x20 non-Hermitian Hamiltonian matrix using sp(3)s* empirical tight-binding model with parameters obtained for the Si, Sn, and SiSn (zincblende) crystals, we obtain the electronic energy spectrum of the Si1-xSnx alloy for arbitrary x. Comparing the band structures, we reveal that the indirect-direct gap crossover in Si1-xSnx alloys occurs around x=0.67 with E-g=0.87eV. Calculated Sn concentration dependence of energy gaps in Si1-xSnx alloy.

    DOI

  • First-principles calculation of electron-phonon coupling at a Ga vacancy in GaN

    Takeshi Tsujio, Masato Oda, Yuzo Shinozuka (担当区分： 責任著者 )

    Japanese Journal of Applied Physics ( Japan Society of Applied Physics )  56 ( 9 ) 091001   2017年  [査読有り]

    　概要を見る

    We investigate the dependence of the electronic band structure on the localized phonon mode at a Ga vacancy in GaN. The electronic states and phonon modes are both calculated using a first-principles method based on the density functional theory. Comparing the calculated electronic band structures and phonon-frequency densities of states of GaN without and with a Ga vacancy, we find that 1) there are localized electronic midgap states closely above the top of the valence band, 2) localized phonon modes appear above the acoustic and optical phonon bands, 3) one of these localized phonon modes contains asymmetric distortions in which one of the four N atoms around a Ga vacancy strongly oscillates, and 4) the localized electronic midgap states strongly couple with the localized asymmetric mode. These results indicate that a Ga vacancy can act as a nonradiative recombination center and may trigger defect reactions in GaN-based devices.

    DOI

  • First-principles study of initial oxidation process of Ge(100) surfaces

    Takahiro Mizukoshi, Masato Oda (担当区分： 最終著者,　責任著者 )

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS ( IOP PUBLISHING LTD )  55 ( 8 ) 08PE03   2016年08月  [査読有り]

    　概要を見る

    Stable structures of oxygen atoms inserted into Ge(100) surfaces are investigated by first-principles calculations based on the density functional theory. Comparing the total energies of several models, the most stable structure is realized when oxygen atoms are inserted into the backbond of a lower dimer atom and the next bond along the (100) direction. We calculate the electronic density of states to reveal the origin of the stability. The structure is stable because a dangling bond of the lower dimer atom disappeared to form a four-coordinated structure. We also reveal that the dangling bond disappears from equal-amplitude plots of wave functions. These results are due to the strong electronegativity of the oxygen atom. (C) 2016 The Japan Society of Applied Physics

    DOI

  • Interacting quasi-band theory for electronic states in compound semiconductor alloys: Wurtzite structure

    Ayaka Kishi, Masato Oda, Yuzo Shinozuka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS ( IOP PUBLISHING LTD )  55 ( 5 ) 051202   2016年05月  [査読有り]

    　概要を見る

    This paper reports on the electronic states of compound semiconductor alloys of wurtzite structure calculated by the recently proposed interacting quasi-band (IQB) theory combined with empirical sp(3) tight-binding models. Solving derived quasi-Hamiltonian 24 X 24 matrix that is characterized by the crystal parameters of the constituents facilitates the calculation of the conduction and valence bands of wurtzite alloys for arbitrary concentrations under a unified scheme. The theory is applied to III-V and II-VI wurtzite alloys: cation-substituted Al1-xGaxN and Ga1-xInxN and anion-substituted CdS1-xSex and ZnO1-xSx. The obtained results agree well with the experimental data, and are discussed in terms of mutual mixing between the quasi-localized states (QLS) and quasi-average bands (QAB): the latter bands are approximately given by the virtual crystal approximation (VCA). The changes in the valence and conduction bands, and the origin of the band gap bowing are discussed on the basis of mixing character. (C) 2016 The Japan Society of Applied Physics

    DOI

  • 19aAR-7 Ge(100)表面における初期酸化過程の安定構造

    水越 隆大, 小田 将人

    日本物理学会講演概要集 ( 一般社団法人日本物理学会 )  71   2486 - 2486   2016年

    DOI

  • GaN中の欠陥における格子変位が引き起こす電子状態変化

    辻尾 健志, 小田 将人, 篠塚 雄三

    日本物理学会講演概要集 ( 一般社団法人 日本物理学会 )  71   2558 - 2558   2016年

    　概要を見る

    <p>GaN中の欠陥反応は、デバイスの性能劣化に重大な影響を与えるがその発生機構は明らかになっていない。先行研究では、バンドギャップ中の孤立電子準位の荷電状態変化によって局在振動モードが増強され、欠陥反応が誘起される機構を簡単なモデルによって示した。本研究では第一原理計算を用い具体的な空孔欠陥を含むGaNモデルの電子状態及び振動状態解析を行った。上記欠陥反応機構が実際に起こりうることを示した。</p>

    DOI

  • Electronic States of III-V and II-VI Alloys Calculated by IQB Theory

    Ayaka Kishi, Masato Oda, Yuzo Shinozuka

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) ( IEEE )    2016年  [査読有り]

    　概要を見る

    The electronic states of compound semiconductor (III-V and II-VI) alloys are calculated by the recently proposed interacting quasi-band (IQB) theory. Combining with the sp(3)(s*) empirical tight-binding model, quasi-Hamiltonian matrix facilitates the calculation of the conduction and valence bands of general alloys, A(1-x)B(x)D (AD(1-y)F(y)) for arbitrary concentration x (y) under a unified scheme. The concentration dependence of the electronic bands, including midgap states, is discussed in particular attention to constituent materials, lattice structure (zincblend or wurtzite), and substitution type (anion or cation).

  • Electronic Structures Calculation of Si1-xSnx Compound Alloy Using Inter-acting Quasi-band Model

    Masato Oda, Yukina Kuroda, Ayaka Kishi, Yuzo Shinozuka (担当区分： 筆頭著者,　責任著者 )

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) ( IEEE )    2016年  [査読有り]

  • Interacting quasi-band model for electronic states in compound semiconductor alloys: Zincblende structure

    Yuzo Shinozuka, Masato Oda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS ( IOP PUBLISHING LTD )  54 ( 9 ) 091202   2015年09月  [査読有り]

    　概要を見る

    The interacting quasi-band model proposed for electronic states in simple alloys is extended for compound semiconductor alloys with general lattice structures containing several atoms per unit cell. Using a tight-binding model, a variational electronic wave function for quasi-Bloch states yields a non-Hermitian Hamiltonian matrix characterized by matrix elements of constituent crystals and concentration of constituents. Solving secular equations for each k-state yields the alloy's energy spectrum for any type of randomness and arbitrary concentration. The theory is used to address III-V (II-VI) alloys with a zincblende lattice with crystal band structures well represented by the sp(3)s* model. Using the resulting 15 x 15 matrix, the concentration dependence of valence and conduction bands is calculated in a unified scheme for typical alloys: Al1-xGaxAs, GaAs1-xPx, and GaSb1-xPx. Results agree well with experiments and are discussed with respect to the concentration dependence, direct-indirect gap transition, and band-gap-bowing origin. (C) 2015 The Japan Society of Applied Physics

    DOI

  • Evaluation of Stretching Properties of [7]Thiaheterohelicene Framework Called "Molecular Spring" Using AFM Force Measurements and Electrostatic State Calculations

    Yoshio Nakahara, Minako Higashi, Ryoto Funayama, Yasuo Horii, Hideji Osuga, Hidefumi Sakamoto, Masato Oda, Shinpei Kado, Keiichi Kimura

    BULLETIN OF THE CHEMICAL SOCIETY OF JAPAN ( CHEMICAL SOC JAPAN )  88 ( 4 ) 544 - 550   2015年04月  [査読有り]

    　概要を見る

    The stretching properties of a [7]thiaheterohelicene framework, what we call molecular spring, have not been investigated so far, despite a variety of [7]thiaheterohelicene derivatives having very interesting characteristics due to both the rigidity arising from fused benzene rings and the flexibility like a spring originating from helical structure. In this study, a novel [7]thiaheterohelicene derivative, which has a disulfide moiety for bonding to a gold-coated substrate and a carboxy group for reacting with an amino-modified probe tip at each of its end groups, was synthesized in order to elucidate the elasticity of the [7]thiaheterohelicene framework by atomic force microscopy (AFM). The AFM force measurements were carried out using two carboxy-terminated disulfide derivatives with or without a [7]thiaheterohelicene moiety, and the deviation between two kinds of force-extension curves was related to the stretching originating from the [7]thiaheterohelicene framework here. Furthermore, its elasticity was compared to that of biphenyl, which is generally known as a rigid framework, using electrostatic state calculations.

    DOI

  • Electronic states of a lipid membrane reinforced with siloxane bond

    Satofumi Yabushita, Masato Oda, Yuzo Shinozuka (担当区分： 責任著者 )

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology ( Surface Science Society of Japan )  12   112 - 114   2014年03月  [査読有り]

    　概要を見る

    We investigate the electronic states of a simple model of a lipid bilayer membrane with a siloxane-bond-reinforced surface using first-principles calculations based on density functional theory. Our model is a simple representation of a cerasome, a material that has proved promising as a drug delivery medium. Analyzing the electronic density of states reveals that there is a mid-gap state originating from the Si-C antibonding state. The existence of an antibonding state at mid-gap indicates that we can selectively excite an electron to this state and thus break up the siloxane network.© 2014 Landes Bioscience.

    DOI

  • Origin of electronic transport of lithium phthalocyanine iodine crystal

    Noritake Koike, Masato Oda, Yuzo Shinozuka (担当区分： 責任著者 )

    AIP Conference Proceedings ( American Institute of Physics Inc. )  1566   183 - 184   2013年  [査読有り]

    　概要を見る

    The electronic structures of Lithium Phthalocyanine Iodine are investigated using density functional theory. Comparing the band structures of several model crystals, the metallic conductivity of highly doped LiPcIx can be explained by the band of doped iodine. These results reveal that there is a new mechanism for electronic transport of doped organic semiconductors that the dopant band plays the main role. © 2013 AIP Publishing LLC.

    DOI

  • Energy-Level Alignment, Ionization, and Stability of Bio-Amino Acids at Amino Acid/Si Junctions

    Masato Oda, Takashi Nakayama

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS ( JAPAN SOCIETY APPLIED PHYSICS )  47 ( 5 ) 3712 - 3718   2008年05月  [査読有り]

    　概要を見る

    The electronic structures of 20 bio-amino acids and amino acid/Si junctions are studied using ab initio calculations. It is shown that the amino acids can be classified into two groups depending on where the highest occupied molecular orbital (HOMO) state is localized. This classification is possible owing to the molecular structural geometry and the constituent atoms in the residue part of amino acids. Moreover, we found that, owing to the hybridization of electronic states between amino acids and Si substrate, the optical transition from the HOMO state of the amino acid to the conduction band states of Si becomes possible at the amino acid/Si interface. This result indicates the possibility of the optical ionization of amino acid by producing amino acid/semiconductor junctions. The present results provide basic data not only for the microscopic understanding of protein electronic structures but also for the electronic design of new protein functions. [DOI: 10.1143/JJAP.47.3712]

    DOI

  • Charge injection from Si substrate into amino acids

    Masato Oda, Takashi Nakayama

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS ( INST PURE APPLIED PHYSICS )  45 ( 11 ) 8939 - 8942   2006年11月  [査読有り]

    　概要を見る

    The electronic structures of amino acids on Si(I 11) surfaces are investigated using ab initio Hartree-Fock calculations. It is shown that six amino acids can be positively ionized when hole carriers are supplied to the Si substrate by transferring the hole charge from the Si substrate into an amino acid. This result indicates that the ionization of an amino acid, which activates protein functions, can be controlled electrically by producing amino-acid/Si junctions.

    DOI

  • Electronic-state control of amino acids on semiconductor surfaces

    Masato Oda, Takashi Nakayama

    Applied Surface Science ( ELSEVIER SCIENCE BV )  244 ( 1-4 ) 627 - 630   2005年05月  [査読有り]

    　概要を見る

    Electronic structures of amino acids on the Si(1 1 1) surfaces are investigated by using ab initio Hartree-Fock calculations. It is shown that among various polar amino acids, a histidine is the only one that can be positively ionized when hole carriers are supplied in the Si substrate, by transferring the hole charge from Si substrate to an amino acid. This result indicates that the ionization of a histidine, which will activate the protein functions, can be controlled electrically by producing amino acid/Si junctions. © 2004 Published by Elsevier B.V.

    DOI

  • 3P327 半導体からの電荷キャリア注入によるタンパク質の機能制御(バイオエンジニアリング))

    小田 将人, 中山 隆史

    生物物理 ( 一般社団法人 日本生物物理学会 )  45   S285   2005年

    DOI

  • 2P318 半導体表面におけるタンパク質の触媒活性制御(バイオエンジニアリング)

    小田 将人, 中山 隆史

    生物物理 ( 一般社団法人 日本生物物理学会 )  44   S189   2004年

    DOI

▼全件表示

書籍等出版物

  • 力学のサボり方

    小田, 将人

    学術図書出版社  2022年03月  ISBN: 9784780609981

Misc

  • Novel approach for Growth Mechanism of Atomic Layer Epitaxy of GaAs and AlAs

    Nobuyuki Ohtsuka, Masato Oda, Takashi Eshita, Ichiro Tanaka, Chihiro Itoh

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials     F-5-03   2019年09月  [査読有り]

  • フェロセン内包CNTの電子状態計算

    境新, 小田将人, 伊東千尋, 篠塚雄三

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   73 ( 1 )   2018年

  • 27pAP-1 Ge(100)表面における初期酸化の過程の第一原理計算(27pAP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    水越 隆大, 小田 将人, 篠塚 雄三

    日本物理学会講演概要集 ( 一般社団法人日本物理学会 )  69 ( 1 ) 870 - 870   2014年03月

  • 26pPSB-43 第一原理計算を用いたSi(111)7×7表面におけるDAT分子の吸着状態解析(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    南迫 大樹, 小田 将人, 篠塚 雄三

    日本物理学会講演概要集 ( 一般社団法人日本物理学会 )  67 ( 1 ) 966 - 966   2012年03月

  • 24pCC-3 Si(001)に吸着したDATのSTM像探針バイアス依存性(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    小田 将人, 西村 高志, 笹原 亮, 村田 英幸, 新井 豊子, 富取 正彦

    日本物理学会講演概要集 ( 一般社団法人 日本物理学会 )  67 ( 0 ) 936 - 936   2012年

    DOI

  • 26pTG-6 Si(001)表面におけるDAT分子の吸着構造と電子状態(26pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))

    小田 将人, 西村 高志, 笹原 亮, 村田 英幸, 新井 豊子, 富取 正彦

    日本物理学会講演概要集 ( 一般社団法人 日本物理学会 )  66 ( 0 ) 917 - 917   2011年

    DOI

  • 23pHA-9 Si(001)表面におけるDAT分子の電子状態(23pHA 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))

    小田 将人, 西村 高志, 笹原 亮, 村田 英幸, 新井 豊子, 富取 正彦

    日本物理学会講演概要集 ( 一般社団法人 日本物理学会 )  66 ( 0 ) 933 - 933   2011年

    DOI

  • 23aGT-4 Lithium Phthalocyanine Iodide(LiPcI_x)結晶の電子状態(23aGT π -d系,領域7(分子性固体・有機導体))

    小池 功剛, 小田 将人, 篠塚 雄三

    日本物理学会講演概要集 ( 一般社団法人日本物理学会 )  65 ( 1 ) 915 - 915   2010年03月

  • 半導体表面におけるタンパク質の機能制御

    小田 将人, 梅林 陽, 中山 隆史

    電気学会研究会資料. OQD, 光・量子デバイス研究会   2009 ( 42 ) 23 - 26   2009年05月

  • 22pPSA-11 有機自己組織化膜絶縁層とゲート電極界面電子状態(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    小田 将人, 奈良 純, 大野 隆央

    日本物理学会講演概要集 ( 一般社団法人日本物理学会 )  63 ( 2 ) 829 - 829   2008年08月

  • 22pPSA-17 ナノ電流スイッチに関する理論的研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)

    小田 将人, 耿 文通, 奈良 純, 近藤 恒, 大野 隆央

    日本物理学会講演概要集 ( 一般社団法人日本物理学会 )  62 ( 2 ) 935 - 935   2007年08月

  • Optical ionization of amino acids using aminoacid/semiconductor junctions

    Masato Oda, Takashi Nakayama, Takahisa Ohno

    PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B ( AMER INST PHYSICS )  893   1461 - +   2007年

    　概要を見る

    Electronic structure and optical properties of amino acids on Si substrate are investigated using density functional calculations. It is shown that when phenylalanine, one of twenty bio amino acids, is adsorbed on Si substrate, the optical excitation probability from the HOMO of phenylalanine to the conduction bands of Si is generated. This result indicates that one can control the positive ionization of phenylalanine by optical excitations.

    DOI

  • Control of amino-acid electronic structures on semiconductor surfaces

    M Oda, T Nakayama

    Physics of Semiconductors, Pts A and B ( AMER INST PHYSICS )  772   1089 - 1090   2005年

    　概要を見る

    Electronic structures of amino acids on the Si(111) surfaces are investigated by using ab-initio Hartree-Fock calculations. It is shown that among various ionic amino acids a histidine is the only one that can be positively ionized when hole carriers are supplied in the Si substrate, by transferring the hole charge from the Si substrate into an amino acid. This result indicates that the ionization of a histidine, which will activate the protein functions, can be controlled electrically by producing amino-acid/Si junctions.

    DOI

  • 30aYE-4 半導体表面におけるアミノ酸の電子状態変化(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)

    小田 将人, 中山 隆史

    日本物理学会講演概要集 ( 一般社団法人日本物理学会 )  59 ( 1 ) 931 - 931   2004年03月

  • 29aYD-11 金属光沢有機物集合体の電子構造

    小田 将人, 中山 隆史, 武田 京三郎

    日本物理学会講演概要集 ( 一般社団法人日本物理学会 )  58 ( 1 ) 796 - 796   2003年03月

▼全件表示

受賞（研究活動に関するもの）

  • 応用物理学会2018年春季学術講演会PosterAward

    受賞者：  古木凌太, 小田将人, 篠塚雄三

    2018年     (ZnO)x(InN)1-x混晶半導体の電子状態の理論  

講演・口頭発表等

  • Surface Electronic States of a Cerasome model

    Masato Oda  [招待有り]

    Advanced Materials Web Congress on Computational Materials and Modelling 2021  2021年01月26日  

  • Microscopic Mechanism of Defect Reactions in GaN

    Masato Oda, Tsuyoshi Miyazaki  [招待有り]

    International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021  2021年01月20日  

  • 窒化ガリウム中におけるVGa-VN周りの欠陥反応解析

    中村 城太, 小田 将人, 寒川 義裕

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年03月25日  

  • PHASE/0を用いたセシウム吸着風化黒雲母の溶融塩反応機構解明

    飯野千秋, 小田将人

    NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2023  2023年12月06日  

  • Adiabatic potential for conformational change of VGa-VN complex defects in GaN

    Jota Nakamura, Masato Oda, Yoshihiro Kangawa

    14th International Conference on Nitride Semiconductors  2023年11月14日  

  • Thermal Interaction between Exitons in III-Nitride Semiconductors

    Aayami Kadono, Masato Oda

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors  2023年11月14日  

  • 第一原理計算による窒化アルミニウム上での窒化ニオブの結晶成長初期段階の解明

    中越 龍司, 小田 将人

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月21日  

  • 溶融塩処理による和田石生成過程の反応機構

    奥本 峻介, 飯野 千秋, 小田 将人, 村口 正和, 早川 虹雪, 石井 宏幸, 本田 充紀

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月20日  

  • III族窒化物半導体中の励起子間に働く熱的相互作用

    葛野 彩未, 小田 将人

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月19日  

  • 第一原理計算を用いたセシウム吸着風化黒雲母の溶融塩反応機構解明

    飯野千秋, 奥本峻介, 小田将人, 奈良純, 村口正和, 石井宏幸, 本田充紀

    日本物理学会第78回年次大会  2023年09月17日  

  • α-Al2O3上に蒸着した自己組織化単分子膜の電子状態

    車谷朋寛, 小田将人

    日本物理学会第78回年次大会  2023年09月16日  

  • セラソーム表面電子状態に対する多角形構造の影響

    井口 楓梨, 小田 将人

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年03月17日  

  • 溶融塩処理による風化黒雲母からの熱電変換材料創製

    本田 充紀, 金田 結依, 村口 正和, 早川 虹雪, 小田 将人, 飯野 千秋, 石井 宏幸, 後藤 琢也, 矢板 毅

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年03月15日  

  • セラソームの表面電子状態の表面構造依存性

    井口楓梨, 小田将人

    第44回日本バイオマテリアル学会  2022年11月21日  

  • 福島風化黒雲母を対象とした熱伝導特性の温度依存性

    早川 虹雪, 梅田 海人, 村口 正和, 木村 尚仁, 小田 将人, 飯野 千秋, 石井 宏幸, 本田 充紀

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月23日  

  • DNA上における蛍光分子とバルジ構造の相互作用

    朴泰亮, 小田将人

    日本物理学会2022年秋季大会  2022年09月14日  

  • A first-principles study of initial growth mechanism of (ZnO)1-x(InN)x

    Ryota Furuki, Masato Oda

    THE 22ND INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS IVC-22  2022年09月14日  

  • Measurement of Thermal Conductivity of Soil Clay Minerals toward Exploring Novel Thermoelectric Materials

    Kosetsu Hayakawa, Masakazu Muraguchi, Masato Oda, Chiaki Iino, Hiroyuki Ishii, Mitsunori Honda

    THE 22ND INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS IVC-22  2022年09月14日  

  • Electronic structures calculation of GaAs(1-x)Bix using Interacting quasi-band model

    Chiaki Iino, Masato Oda

    THE 22ND INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS IVC-22  2022年09月12日  

  • 第一原理計算を用いた高濃度シリコンドープ窒化ガリウムの電子状態

    山口 泰大, 小田将人

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年03月24日  

  • 測定端子が熱電物性測定に与える影響の 伝熱シミュレーションによる検討

    若生峻信, 早川虹雪, 松村博志, 村口正和, 小田将人, 飯野千秋, 石井宏幸, 本田充紀

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年03月24日  

  • 溶融塩電解した土壌粘土鉱物の熱伝導率測定

    早川虹雪, 松村博志, 若生峻信, 村口正和, 小田将人, 飯野千秋, 石井宏幸, 本田充紀

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年03月22日  

  • 熱電材料創製へむけた土壌粘土鉱物の熱電3物性評価

    本田 充紀, 金田 結衣, 村口 正和, 早川虹雪, 小田将人, 飯野千秋, 石井宏幸, 後藤 琢也, 矢板 毅

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年03月22日  

  • 層状粘土鉱物(Si8-xAlx)Mg6O20(OH)4の電子状態計算

    飯野 千秋, 小田 将人, 奈良 純

    日本物理学会第76回年次大会  2022年01月16日  

  • 初期酸化Si(001)表面における分子状酸素の吸着構造

    門脇菜穂, 小田将人奈良純

    日本物理学会第76回年次大会  2022年01月16日  

  • Electronic structures and the initial growth mechanism of (ZnO)1-x(InN)x

    Masato Oda, Yuzo Shinozuka, Ryota Furuki  [招待有り]

    The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation  2022年01月11日  

  • Ag(111), Cu(111)表面上におけるDph-BTBT分子の吸着構造

    小田将人  [招待有り]

    NIMSナノシミュレーションワークショップ2021  2021年12月09日  

  • IQB理論を用いたGaAs(1-x)Bixの電子状態計算

    飯野千秋, 小田将人

    第13回ナノ構造  2021年12月03日  

  • 溶融塩電解した土壌粘土鉱物の熱電特性

    本田充紀, 金田結依, 村口正和, 小田将人, 石井宏幸, 後藤琢也, 矢板毅

    第53回溶融塩化学討論会  2021年11月19日  

  • Ag(111)表面上におけるDPh-BTBTの吸着状態解析

    仲間杏, 小田将人, 小野裕太郎, 岩澤柾人, 石井宏幸, 山田洋一

    日本物理学会2021年秋季大会  2021年09月21日  

  • Dph-BTBT 高配向膜の構造遷移に伴う電子状態の変化

    小野裕太郎, 岩澤柾人, 仲間杏, 小田将人, 石井宏幸, 佐々木正洋, 山田洋一

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月11日  

  • GaN中の大型複合欠陥に対する第一原理電子状態計算

    小田将人, 宮崎剛

    2021年電気化学会秋季大会  2021年09月08日  

  • 窒化ガリウム中の空孔複合欠陥の安定性と電子状態

    柿原 大嗣, 小田 将人

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年03月16日  

  • Electronic states calculation of GaAs1-xBix by interacting quasi-band model

    Chiaki Iino, Masato Oda

    The 8thAsian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology  2021年03月02日  

  • Effect of a Dopant for Migration Energies of (0001) oriented 5-7 edge dislocation in GaN

    Jesse C Anderson, Tsuyoshi Miyazaki, Jun Nara, Masato Oda

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology  2021年03月02日  

  • Microscopic structures of vacancy complexes in GaN

    Masato Oda

    Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity  2021年02月02日  

  • バーミキュライト中のCsイオン吸着構造およびエネルギー安定性

    飯野千秋, 小田将人

    日本物理学会第75回年次大会  2020年03月17日  

  • Si(001)表面における分子状酸素の吸着構造

    門脇菜穂, 小田将人, 奈良純

    日本物理学会第75回年次大会  2020年03月17日  

  • GaN 中におけるミクロな欠陥反応機構

    小田将人

    第13回紀州吉宗セミナー  2020年01月28日  

  • Conformational change from VGa to NGa-VN complex in GaN

    Taishi Kakihara, Masato Oda

    The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors  2019年11月14日  

  • Migration Energies of 5-7 Edge Dislocations in GaN

    J. C. Anderson, M. Oda, J. Nara, T. Miyazaki

    The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors  2019年11月12日  

  • GaN中のGa空孔周りにおける欠陥反応

    柿原 大嗣, 小田 将人

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月18日  

  • (ZnO)1-x(InN)xの結晶成長初期段階の第一原理計算による研究

    古木凌太, 小田将人, 篠塚雄三

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月18日  

  • Novel approach for Growth Mechanism of Atomic Layer Epitaxy of GaAs and AlAs

    N. Ohtsuka, M. Oda, T. Eshita, I. Tanaka, C. Itoh

    SSDM2019  2019年09月05日  

  • Study on Initial Growth Mechanism of (ZnO)1-x(InN)x Using First PrinciplesCalculations

    R. Furuki, M. Oda, Y. Shinozuka

    SSDM2019  2019年09月04日  

  • First-stage of a defect reaction around Ga vacancy in GaN

    Masato Oda

    21st International Vacuum Congress  2019年07月04日  

  • 電子格子相互作用を介した欠陥反応機構

    小田将人

    第12回紀州吉宗セミナー  2019年02月15日  

  • Phonon modes Analysis of AlN/InN Superlattice

    Yoshihiro Ihira, Masato Oda

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018  2018年11月15日  

  • Electronic Structures of a NGa-VN complex defect in GaN

    Masato Oda

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018  2018年11月12日  

  • Stable Surface Structures of a Cerasome Model

    Masato Oda

    Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 2018  2018年10月23日  

  • Electronic Structure of a Cerasome Surface Model

    Masato Oda

    AiMES2018  2018年10月03日  

  • (ZnO)1-x(InN)x混晶半導体の電子状態の理論

    古木凌太, 小田将人, 篠塚雄三

    日本学術振興会162委員会110回研究会・特別公開シンポジウム  2018年09月27日  

  • AlN/InN半導体超格子のフォノンモード解析

    居平吉弘, 小田将人

    日本物理学会2018年秋季大会  2018年09月10日  

  • Si(001)表面における分子状酸素の安定構造

    門脇菜穂, 柿原大嗣, 古木凌太, J. ANDERSON, 小田将人

    日本物理学会2018年秋季大会  2018年09月09日  

  • GaN中のGa欠陥移動の機構

    小田将人

    日本物理学会2018年秋季大会  2018年09月09日  

  • Migration Energy of a N Atom around Ga Vacancy in GaN

    Masato Oda

    International Symposium on Growth of III-Nitrides 2018  2018年08月07日  

  • Electronic Structure of (ZnO)1-x(InN)x Alloys Calculated Using IQB Theory

    R. Furuki, M. Oda, Y. Shinozuka

    Compound Seciconductor Week 2018  2018年05月30日  

  • フェロセン内包カーボンナノチューブの電子状態計算

    境新, 小田将人, 伊東千尋, 篠塚雄三

    日本物理学会第73回年次大会  2018年03月25日  

  • Interacting Quasi-bandモデルを用いたSi1-xSnxの電子状態計算

    黒田侑奈, 小田将人, 篠塚雄三

    日本物理学会第73回年次大会  2018年03月23日  

  • (ZnO)x(InN)1-x混晶半導体の電子状態の理論

    古木 凌太、小田 将人、篠塚 雄三

    応用物理学会第65回春季学術講演会  2018年03月20日  

  • GaN中の欠陥に対する大規模電子状態計算

    小田将人

    第11回紀州吉宗セミナー  2018年03月09日  

  • ヘマグルチニンと糖鎖結合状態の電子状態

    松村琢琳, 小田将人, 篠塚雄三

    日本物理学会2017年秋季大会  2017年09月24日  

  • First-Principles Calculation of Electronic States of Ga2O3 Modulated by Oxygen Vacancies

    Yuto Nakano, Masato Oda, Yuzo Shinozuka

    29th International Conference on Defects in Semiconductors  2017年07月31日  

  • Electron-phonon coupling at a Ga vacancy in GaN

    T. tsujio, M. Oda, Y. Shinozuka

    9th ICMAT  2017年06月21日  

  • Effects of Surface Substituents on Electronic Structures of a Cerasome Model

    Masato Oda

    9th ICMAT  2017年06月19日  

  • セラソーム表面の安定構造

    小田将人

    第10回紀州吉宗セミナー  2017年03月03日  

  • Electronic Structures of a Cerasome Surface Model

    Masato Oda

    SSSN-KANSAI  2017年01月24日  

  • 窒化物混晶半導体のＩＱＢ理論による電子状態計算

    岸 彩香, 小田将人, 篠塚雄三

    第27回光物性研究会  2016年12月03日  

  • Effects of Surface Substituents on Electronic Structures of a Cerasome Surface Model

    Masato Oda

    ACSIN-13  2016年10月12日  

  • セラソーム表面電子状態における置換基の影響

    小田将人

    日本物理学会2016年秋季大会  2016年09月14日  

  • 酸化ガリウム中の酸素空孔によるバンド分散変化

    中野友斗, 小田将人, 篠塚雄三

    日本物理学会2016年秋季大会  2016年09月14日  

  • GaN中の欠陥における格子変位が引き起こす電子状態変化

    辻尾健志, 小田将人, 篠塚雄三

    日本物理学会2016年秋季大会  2016年09月14日  

  • First-principles calculation of electronic structures and phonon modes at a Ga vacancy in GaN

    T. Tsujio, M. Oda, Y. Shinozuka

    ICDIM 2016  2016年07月14日  

  • ElectroniStructures Calculation of Si1-xSnx Compound Alloy Using Interacting Quasi-band Model

    M. oda, Y. Kuroda, A. Kishi, Y. Shinozuka

    Compound Seciconductor Week 2016  2016年06月27日  

  • Electronic States of III-V and II-VI Alloys Calculated by IQB Theory

    A. Kishi, M. Oda, Y. Shinozuka

    Compound Seciconductor Week 2016  2016年06月27日  

▼全件表示

研究交流

  • GaAsBiの電子状態計算

    2019年04月
    -
    継続中
     

    共同研究

  • 土壌変換材料科学

    2019年04月
    -
    継続中
     

    共同研究

  • Si(001)上における分子状酸素の吸着状態

    2019年04月
    -
    継続中
     

    共同研究

  • 新学術領域研究(研究領域提案型)：フォノン科学による特異構造3次元分光評価と応用欠陥物性

    2016年04月
    -
    2020年03月
     

    共同研究

  • 和歌山大学独創的研究支援プロジェクトA　医療および食品応用を目指した糖鎖研究

    2016年04月
    -
    2018年03月
     

    共同研究

科学研究費

  • 大規模第一原理計算によるGaN中格子欠陥、不純物の複合構造モデリング

    2023年04月
    -
    2027年03月
     

    基盤研究（B）  分担

  • GaN中における複合空孔欠陥集合反応機構の解明

    2023年04月
    -
    2027年03月
     

    基盤研究（C）  代表

  • 土壌粘土鉱物を利用した熱電変換材料の創製

    2022年04月
    -
    2024年03月
     

    挑戦的研究（萌芽）  分担

  • DDS応用に向けたセラソーム表面モデルの大規模電子状態計算とその開封方法の研究

    2020年04月
    -
    2023年03月
     

    基盤研究（C）  代表

  • 電子-格子相互作用による特異構造の移動・変形の理論

    2019年04月
    -
    2021年03月
     

    新学術領域研究（研究領域提案型）  代表

  • 特異構造を介してのエネルギー転換機構の理論

    2017年04月
    -
    2019年03月
     

    新学術領域研究（研究領域提案型）  代表

  • 混晶化合物半導体における電子正孔再結合機構の研究

    2009年04月
    -
    2012年03月
     

    基盤研究（C）  分担

▼全件表示

財団・企業等との共同研究、受託研究、学術指導等

  • 土壌粘土鉱物を利用した熱電変換材料創製に関する研究開発

    2022年04月
    -
    2024年03月
     

    共同研究  代表

公開講座等の講師、学術雑誌等の査読、メディア出演等

  • 投稿論文の査読

    2024年03月
    -
    2024年05月

    Japanese Journal of Applied Physics, IOP Publishing

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    投稿論文の査読

  • 投稿論文の査読

    2023年12月
    -
    2024年01月

    Japanese Journal of Applied Physics, IOP Publishing

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    投稿論文の査読

  • 投稿論文の査読

    2023年11月
    -
    2023年12月

    Japanese Journal of Applied Physics, IOP Publishing

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    投稿論文の査読

  • 投稿論文の査読

    2023年07月
    -
    2023年08月

    Japanese Journal of Applied Physics, IOP Publishing

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    投稿論文の査読

  • 非常勤講師

    2023年04月13日
    -
    継続中

    学校法人藍野大学　藍野大学短期大学部

    　詳細を見る

    看護師不足の解消

    授業等（物理学、統計学）

  • 投稿論文の査読

    2023年02月
    -
    2023年03月

    Applied Physics Express

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    投稿論文の査読

  • 投稿論文の査読

    2022年12月
    -
    2023年01月

    Applied Physics Express

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    投稿論文の査読

  • 投稿論文の査読

    2022年10月
    -
    2022年11月

    Japanese Journal of Applied Physics, IOP Publishing

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    投稿論文の査読

  • 投稿論文の査読

    2022年08月
    -
    2022年09月

    Applied Physics Express

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    投稿論文の査読

  • 投稿論文の査読

    2022年02月
    -
    2022年03月

    Surface Science, Elsevier

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    投稿論文の査読

  • 投稿論文の査読

    2021年08月
    -
    2021年09月

    Japanese Journal of Applied Physics, IOP Publishing

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    投稿論文の査読

  • 投稿論文の査読

    2021年05月
    -
    2021年06月

    Journal of Applied Physics, AIP Publising

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    投稿論文の査読

  • 投稿論文の査読

    2021年02月
    -
    2021年03月

    Japanese Journal of Applied Physics, IOP Publishing

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    投稿論文の査読

  • 投稿論文の査読

    2020年11月
    -
    2020年12月

    Japanese Journal of Applied Physics, IOP Publishing

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    投稿論文の査読

  • 投稿論文の査読

    2020年09月
    -
    2020年10月

    Journal of the Physical Society of Japan

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    投稿論文の査読

  • 投稿論文の査読

    2020年05月
    -
    2020年06月

    Japanese Journal of Applied Physics, IOP Publishing

    　詳細を見る

    学術雑誌等の編集委員・査読・審査員等

    投稿論文の査読

  • 非常勤講師

    2020年04月01日
    -
    継続中

    東京医療保健大学

    　詳細を見る

    非常勤講師

    非常勤講師として「物理学」を担当する。

  • 非常勤講師

    2019年10月
    -
    2020年03月

    名古屋工業大学

    　詳細を見る

    非常勤講師等

    非常勤講師,任期:2019年10月～2020年3月

  • 講師

    2019年08月
    -
    継続中

    きのくにオリンピック科学力向上ゼミ

    　詳細を見る

    講演講師等

    講師,任期:2019年8月～

  • 非常勤講師

    2019年04月
    -
    2019年09月

    東京医療保健大学

    　詳細を見る

    非常勤講師等

    非常勤講師,任期:2019年4月～2019年9月

  • きのくに科学オリンピック　科学力向上ゼミ

    2019年04月

    その他

    　詳細を見る

    小・中・高校生を対象とした学部体験入学・出張講座等

    県内高校生に対する科学オリンピック県内予選に向けた勉強セミナー,日付:8/7

  • 講師

    2018年08月
    -
    継続中

    きのくにオリンピック化学力向上ゼミ

    　詳細を見る

    講演講師等

    講師,任期:2018年8月～

  • 非常勤講師

    2018年04月
    -
    2018年09月

    東京医療保健大学

    　詳細を見る

    非常勤講師等

    非常勤講師,任期:2018年4月～2018年9月

  • きのくに科学オリンピック　科学力向上ゼミ

    2018年04月

    その他

    　詳細を見る

    小・中・高校生を対象とした学部体験入学・出張講座等

    県内高校生に対する科学オリンピック県内予選に向けた勉強セミナー,日付:8/2

  • 非常勤講師

    2017年04月
    -
    2017年09月

    学校法人　藍野学院藍野大学短期大学部

    　詳細を見る

    非常勤講師等

    非常勤講師,任期:2017年４月～2017年９月

  • きのくに科学オリンピック　科学力向上ゼミ

    2017年04月

    その他

    　詳細を見る

    小・中・高校生を対象とした学部体験入学・出張講座等

    県内高校生に対する科学オリンピック県内予選に向けた勉強セミナー,日付:7/27

  • 非常勤講師

    2016年04月
    -
    2016年09月

    学校法人　藍野学院　藍野大学短期大学部

    　詳細を見る

    非常勤講師等

    非常勤講師,任期:2016年4月-2016年9月

  • 非常勤講師

    2015年04月
    -
    2015年09月

    藍野大学短期大学部

    　詳細を見る

    非常勤講師等

    非常勤講師,任期:2015/04/01～2015/09/30

▼全件表示

学協会、政府、自治体等の公的委員

  • 応用物理学会座長

    2023年09月
     

    応用物理学会

    　詳細を見る

    座長

    15.3 III属窒化物セッションの座長

  • 応用物理学会座長

    2022年03月
     

    応用物理学会

    　詳細を見る

    座長

    15.3 III属窒化物セッションの座長

  • プログラム委員

    2021年12月
    -
    2022年01月
     

    International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021

    　詳細を見る

    プログラム委員

    国際シンポジウムのプログラム作成および運営支援

  • 座長

    2021年12月
    -
    2022年01月
     

    International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021

    　詳細を見る

    座長

    国際シンポジウムのプログラム作成および運営支援

  • 応用物理学会座長

    2021年09月
     

    応用物理学会

    　詳細を見る

    座長

    15.3 III属窒化物セッションの座長

  • プログラム委員

    2020年12月
    -
    2021年01月
     

    International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021

    　詳細を見る

    プログラム委員

    国際シンポジウムのプログラム作成および運営支援

  • 座長

    2020年12月
    -
    2021年01月
     

    International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021

    　詳細を見る

    座長

    国際シンポジウムの座長

  • 客員研究者

    2018年09月
    -
    継続中
     

    国立研究開発法人物質・材料研究機構国際ナノアーキテクス研究拠点（MANA)

    　詳細を見る

    国や地方自治体、他大学・研究機関等での委員

    客員研究者,任期:2018年9月～2019年3月

  • Local Committee

    2009年04月
     

    ISPEN-2009

    　詳細を見る

    学協会、政府、自治体等の公的委員

    学協会、政府、自治体等の公的委員,任期:2009.4～2009.4

  • 主催者

    2007年04月
    -
    継続中
     

    紀州吉宗セミナー

    　詳細を見る

    学協会、政府、自治体等の公的委員

    若手物性研究者を全国から集め、各々の研究分野の現状及び最新成果を発表し、議論する。,任期:2007.4～2020.3

▼全件表示