Conference Activities & Talks -

Migration Energies of 5-7 Edge Dislocations in GaN

J. C. Anderson, M. Oda, J. Nara, T. Miyazaki

The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors  2019.11.12  

GaN中のGa空孔周りにおける欠陥反応

柿原 大嗣, 小田 将人

第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019.09.18  

(ZnO)1-x(InN)xの結晶成長初期段階の第一原理計算による研究

古木凌太, 小田将人, 篠塚雄三

第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019.09.18  

Novel approach for Growth Mechanism of Atomic Layer Epitaxy of GaAs and AlAs

N. Ohtsuka, M. Oda, T. Eshita, I. Tanaka, C. Itoh

SSDM2019  2019.09.05  

Study on Initial Growth Mechanism of (ZnO)1-x(InN)x Using First PrinciplesCalculations

R. Furuki, M. Oda, Y. Shinozuka

SSDM2019  2019.09.04  

First-stage of a defect reaction around Ga vacancy in GaN

Masato Oda

21st International Vacuum Congress  2019.07.04  

電子格子相互作用を介した欠陥反応機構

小田将人

第12回紀州吉宗セミナー  2019.02.15  

Phonon modes Analysis of AlN/InN Superlattice

Yoshihiro Ihira, Masato Oda

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018  2018.11.15  

Electronic Structures of a NGa-VN complex defect in GaN

Masato Oda

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018  2018.11.12  

Stable Surface Structures of a Cerasome Model

Masato Oda

Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 2018  2018.10.23  

Electronic Structure of a Cerasome Surface Model

Masato Oda

AiMES2018  2018.10.03  

(ZnO)1-x(InN)x混晶半導体の電子状態の理論

古木凌太, 小田将人, 篠塚雄三

日本学術振興会162委員会110回研究会・特別公開シンポジウム  2018.09.27  

AlN/InN半導体超格子のフォノンモード解析

居平吉弘, 小田将人

日本物理学会2018年秋季大会  2018.09.10  

Si(001)表面における分子状酸素の安定構造

門脇菜穂, 柿原大嗣, 古木凌太, J. ANDERSON, 小田将人

日本物理学会2018年秋季大会  2018.09.09  

GaN中のGa欠陥移動の機構

小田将人

日本物理学会2018年秋季大会  2018.09.09  

Migration Energy of a N Atom around Ga Vacancy in GaN

Masato Oda

International Symposium on Growth of III-Nitrides 2018  2018.08.07  

Electronic Structure of (ZnO)1-x(InN)x Alloys Calculated Using IQB Theory

R. Furuki, M. Oda, Y. Shinozuka

Compound Seciconductor Week 2018  2018.05.30  

フェロセン内包カーボンナノチューブの電子状態計算

境新, 小田将人, 伊東千尋, 篠塚雄三

日本物理学会第73回年次大会  2018.03.25  

Interacting Quasi-bandモデルを用いたSi1-xSnxの電子状態計算

黒田侑奈, 小田将人, 篠塚雄三

日本物理学会第73回年次大会  2018.03.23  

(ZnO)x(InN)1-x混晶半導体の電子状態の理論

古木 凌太、小田 将人、篠塚 雄三

応用物理学会第65回春季学術講演会  2018.03.20