Conference Activities & Talks -
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GaN中のGa欠陥移動の機構
小田将人
日本物理学会2018年秋季大会 2018.09.09
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Migration Energy of a N Atom around Ga Vacancy in GaN
Masato Oda
International Symposium on Growth of III-Nitrides 2018 2018.08.07
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Electronic Structure of (ZnO)1-x(InN)x Alloys Calculated Using IQB Theory
R. Furuki, M. Oda, Y. Shinozuka
Compound Seciconductor Week 2018 2018.05.30
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フェロセン内包カーボンナノチューブの電子状態計算
境新, 小田将人, 伊東千尋, 篠塚雄三
日本物理学会第73回年次大会 2018.03.25
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Interacting Quasi-bandモデルを用いたSi1-xSnxの電子状態計算
黒田侑奈, 小田将人, 篠塚雄三
日本物理学会第73回年次大会 2018.03.23
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(ZnO)x(InN)1-x混晶半導体の電子状態の理論
古木 凌太、小田 将人、篠塚 雄三
応用物理学会第65回春季学術講演会 2018.03.20
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GaN中の欠陥に対する大規模電子状態計算
小田将人
第11回紀州吉宗セミナー 2018.03.09
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ヘマグルチニンと糖鎖結合状態の電子状態
松村琢琳, 小田将人, 篠塚雄三
日本物理学会2017年秋季大会 2017.09.24
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First-Principles Calculation of Electronic States of Ga2O3 Modulated by Oxygen Vacancies
Yuto Nakano, Masato Oda, Yuzo Shinozuka
29th International Conference on Defects in Semiconductors 2017.07.31
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Electron-phonon coupling at a Ga vacancy in GaN
T. tsujio, M. Oda, Y. Shinozuka
9th ICMAT 2017.06.21
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Effects of Surface Substituents on Electronic Structures of a Cerasome Model
Masato Oda
9th ICMAT 2017.06.19
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セラソーム表面の安定構造
小田将人
第10回紀州吉宗セミナー 2017.03.03
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Electronic Structures of a Cerasome Surface Model
Masato Oda
SSSN-KANSAI 2017.01.24
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窒化物混晶半導体のＩＱＢ理論による電子状態計算
岸 彩香, 小田将人, 篠塚雄三
第27回光物性研究会 2016.12.03
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Effects of Surface Substituents on Electronic Structures of a Cerasome Surface Model
Masato Oda
ACSIN-13 2016.10.12
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セラソーム表面電子状態における置換基の影響
小田将人
日本物理学会2016年秋季大会 2016.09.14
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酸化ガリウム中の酸素空孔によるバンド分散変化
中野友斗, 小田将人, 篠塚雄三
日本物理学会2016年秋季大会 2016.09.14
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GaN中の欠陥における格子変位が引き起こす電子状態変化
辻尾健志, 小田将人, 篠塚雄三
日本物理学会2016年秋季大会 2016.09.14
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First-principles calculation of electronic structures and phonon modes at a Ga vacancy in GaN
T. Tsujio, M. Oda, Y. Shinozuka
ICDIM 2016 2016.07.14
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ElectroniStructures Calculation of Si1-xSnx Compound Alloy Using Interacting Quasi-band Model
M. oda, Y. Kuroda, A. Kishi, Y. Shinozuka
Compound Seciconductor Week 2016 2016.06.27