Conference Activities & Talks -

GaN中の欠陥に対する大規模電子状態計算

小田将人

第11回紀州吉宗セミナー  2018.03.09  

ヘマグルチニンと糖鎖結合状態の電子状態

松村琢琳, 小田将人, 篠塚雄三

日本物理学会2017年秋季大会  2017.09.24  

First-Principles Calculation of Electronic States of Ga2O3 Modulated by Oxygen Vacancies

Yuto Nakano, Masato Oda, Yuzo Shinozuka

29th International Conference on Defects in Semiconductors  2017.07.31  

Electron-phonon coupling at a Ga vacancy in GaN

T. tsujio, M. Oda, Y. Shinozuka

9th ICMAT  2017.06.21  

Effects of Surface Substituents on Electronic Structures of a Cerasome Model

Masato Oda

9th ICMAT  2017.06.19  

セラソーム表面の安定構造

小田将人

第10回紀州吉宗セミナー  2017.03.03  

Electronic Structures of a Cerasome Surface Model

Masato Oda

SSSN-KANSAI  2017.01.24  

窒化物混晶半導体のＩＱＢ理論による電子状態計算

岸 彩香, 小田将人, 篠塚雄三

第27回光物性研究会  2016.12.03  

Effects of Surface Substituents on Electronic Structures of a Cerasome Surface Model

Masato Oda

ACSIN-13  2016.10.12  

セラソーム表面電子状態における置換基の影響

小田将人

日本物理学会2016年秋季大会  2016.09.14  

酸化ガリウム中の酸素空孔によるバンド分散変化

中野友斗, 小田将人, 篠塚雄三

日本物理学会2016年秋季大会  2016.09.14  

GaN中の欠陥における格子変位が引き起こす電子状態変化

辻尾健志, 小田将人, 篠塚雄三

日本物理学会2016年秋季大会  2016.09.14  

First-principles calculation of electronic structures and phonon modes at a Ga vacancy in GaN

T. Tsujio, M. Oda, Y. Shinozuka

ICDIM 2016  2016.07.14  

ElectroniStructures Calculation of Si1-xSnx Compound Alloy Using Interacting Quasi-band Model

M. oda, Y. Kuroda, A. Kishi, Y. Shinozuka

Compound Seciconductor Week 2016  2016.06.27  

Electronic States of III-V and II-VI Alloys Calculated by IQB Theory

A. Kishi, M. Oda, Y. Shinozuka

Compound Seciconductor Week 2016  2016.06.27